隨著新能源汽車（NEV）的崛起，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）已成為這一領(lǐng)域的核心元件。目前我國(guó)新能源汽車快速發(fā)展已經(jīng)使IGBT已成為我國(guó)最重要的應(yīng)用領(lǐng)域，占據(jù)約30%的市場(chǎng)份額。以特斯拉Model
2023-10-21 11:30:00
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不同的研究。但是，其中大多數(shù)僅適用于與絕緣柵雙極晶體管（IGBT）一起使用的頻率，通常高達(dá)20 kHz。 英飛凌使用碳 化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）寬帶隙（WBG ）開關(guān)，將仿真和實(shí)驗(yàn)方法相結(jié)合，研究了較高開關(guān)頻率對(duì)逆變器和電機(jī)效率（高達(dá)50
2023-10-18 14:11:03123 
新能源汽車（NEV）的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）模塊市場(chǎng)正在全球范圍內(nèi)迅速增長(zhǎng)。在北美（NA）地區(qū)，電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的不斷采用推動(dòng)了對(duì)IGBT模塊的需求。亞太地區(qū)（APAC），尤其是中國(guó)
2023-09-12 16:50:32655 
與傳統(tǒng)的硅（Si）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和其他技術(shù)相比，碳化硅（SiC）技術(shù)具有更多優(yōu)勢(shì)
2023-09-12 09:45:5794 絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:29612 
絕緣柵雙極晶體管(IGBT, InsulatedGate Bipolar Transistor)是一種三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，在較新的器件中以結(jié)合高效和快速開關(guān)而聞名。IGBT通過在
2023-08-24 11:01:32606 
隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）向高功率和高集成度方向發(fā)展，在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn)，熱產(chǎn)生問題日益突出，對(duì)散熱的要求越來(lái)越高，IGBT 芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會(huì)嚴(yán)重影響器件的工作性能。
2023-07-27 10:43:26392 
除了這些新材料外，絕緣柵雙極晶體管(IGBT)這一較老的技術(shù)在電力電子領(lǐng)域仍占有重要地位。本周，Nexperia首次進(jìn)入IGBT市場(chǎng)，推出了一系列新的600 V設(shè)備。本文將介紹IGBT、trench-gate設(shè)備和Nexperia的新產(chǎn)品系列。
2023-07-18 15:35:53223 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)分析略。本講義附加了相關(guān)資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
最先進(jìn)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器使用基于 3 相絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的逆變器，該逆變器由直流母線電壓供電，通常在 400 V 直流至 800 V 直流范圍內(nèi)。該高壓軌可以直接來(lái)自三相整流橋式濾波器組合或功率因數(shù)校正升壓整流器，后者從三相交流輸入產(chǎn)生高壓軌（見圖3）。
2023-06-13 17:20:03543 
碳化硅 （SiC） 是一種成熟的器件技術(shù)，在 900 V 至 1，200 V 以上的高壓、高開關(guān)頻率應(yīng)用中，與硅 （Si） 技術(shù)（包括硅超結(jié) （SJ） 和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） ）相比具有
2023-05-24 09:27:40266 
按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。
2023-05-06 11:10:021520 
依賴于AC網(wǎng)絡(luò)，因此它們可以向無(wú)源負(fù)載供電并具有黑啟動(dòng)能力。使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無(wú)需進(jìn)行晶閘管所需的換流操作，并可實(shí)現(xiàn)雙向電流流動(dòng)。
2023-04-06 10:10:031207 
電機(jī)用于電梯、食品加工設(shè)備、工廠自動(dòng)化、機(jī)器人、起重機(jī)……這樣的例子不勝枚舉。交流感應(yīng)電機(jī)在這種應(yīng)用中很常見，且總是通過用于電源級(jí)的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）來(lái)實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)。典型的總線電壓為200 VDC至1,000 VDC。IGBT采用電子換向，以實(shí)現(xiàn)交流感應(yīng)電機(jī)所需的正弦電流。
2023-03-31 09:40:45228 過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高的開關(guān)頻率，不僅可以通過降低電阻和開關(guān)損耗
2023-03-15 09:42:07479 
二極管PD 晶閘管SCR 功率晶體管GTR 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管PowerMOSFET 絕緣柵雙極晶體管IGBT 功率放大環(huán)節(jié)概述 線性功率放大器 電力電子技術(shù)概述 電子電力技術(shù)是電力、電子和控制三者之間的交
2023-03-07 10:32:16
0 本文對(duì)IGBT芯片的電熱性能進(jìn)行了廣泛的研究，用于IGBT芯片中的3D封裝結(jié)構(gòu)。在過去的幾年里，半導(dǎo)體技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，特別是在電力電子領(lǐng)域，在研究和重工業(yè)應(yīng)用中的應(yīng)用。絕緣柵雙極晶體管
2023-02-19 17:35:20743 
絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用作電子開關(guān)。憑借出色的開關(guān)特性、耐高溫性、輕量級(jí)和成本效益等特征，IGBT 電源模塊逐漸成為電動(dòng)汽車等大功率應(yīng)用的首選技術(shù)。
2023-02-16 09:40:42272 按照器件結(jié)構(gòu)，分為二極管、功率晶體管、晶閘管等，其中功率晶體管分為雙極性結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。
2023-02-07 09:50:12434 本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學(xué)習(xí)絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認(rèn)識(shí)其原理及其應(yīng)用。IGBT是一種功率開關(guān)晶體管，它結(jié)合了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)，用于電源和電機(jī)控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:26957 本文介紹了在電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中為功率級(jí)選擇隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器時(shí)，您有多種選擇。柵極驅(qū)動(dòng)器可簡(jiǎn)單可復(fù)雜，具有集成米勒箝位、分離輸出或絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 發(fā)射極的欠壓 （UVLO） 鎖定參考等功能。
2022-11-30 09:58:21792 
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)結(jié)合了GTR和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有柵極G、集電極C和發(fā)射極E。
2022-10-28 16:12:427822 
一.晶體管包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、場(chǎng)效應(yīng)管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說(shuō)的三極管是指雙極結(jié)型晶體管，其按PN結(jié)結(jié)構(gòu)分為NPN型和PNP型;
2022-10-25 09:06:396381 過去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比 IGBT 更高的開關(guān)頻率，不僅可以通過降低電阻和開關(guān)損耗提高效率，還可以增加功率和電流密度。
2022-10-11 10:50:262712 碳化硅(SiC）具有較寬的帶隙，已廣泛應(yīng)用在高電壓電力電子器件中，如分立式的功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Power MOSFET)和絕緣柵雙極晶體管（IGBT)。
2022-09-19 10:19:551603 
電力電子行業(yè)在 80 年代初期向前邁出了一大步，當(dāng)時(shí)絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 技術(shù)的引入使創(chuàng)新型電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)成為可能，從而以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的效率。IGBT 可以以低導(dǎo)通電阻（即低飽和
2022-08-09 08:02:09567 
的功率和熱循環(huán)進(jìn)行了探討。 各種工業(yè)應(yīng)用中通常會(huì)使用多達(dá)十幾種的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，設(shè)計(jì)IGBT模塊的目的就是為了向某種專門的應(yīng)用提供最優(yōu)的性價(jià)比和適當(dāng)?shù)目煽啃浴?商用電動(dòng)車(EV)和混合動(dòng)力電動(dòng)車(HEV)的出現(xiàn)為IGBT模塊創(chuàng)造了一個(gè)新
2022-08-06 14:54:531763 電力電子設(shè)備，其內(nèi)置器件包括金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFETs）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和雙極CMOS-雙擴(kuò)散MOS集成電路（BCD）
2022-08-01 16:23:05742 功率開關(guān)要么使用傳統(tǒng)的硅基技術(shù)制造，例如MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)，要么使用更新的寬帶隙半導(dǎo)體制造，例如碳化硅和氮化鎵。在相關(guān)應(yīng)用中，汽車是近年來(lái)發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁的領(lǐng)域，主要是由于正在向電動(dòng)汽車過渡以及電動(dòng)汽車的逐步采用。
2022-07-29 08:06:31395 
那樣依賴于AC網(wǎng)絡(luò)，因此它們可以向無(wú)源負(fù)載供電并具有黑啟動(dòng)能力。
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）閥，則無(wú)需進(jìn)行晶閘管所需的換流操作，并可實(shí)現(xiàn)雙向電流流動(dòng)。
表1對(duì)LCC和VSC進(jìn)行了對(duì)比。...
2022-02-11 15:00:540 （ RCT）等，還是新型功率半導(dǎo)體器件如：門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、門極換流晶閘管（GCT）、集成門極換流晶閘管（IGCT）等，甚至是絕緣柵雙極晶體管（ IGBT），由于這些器件都屬于雙極注入器件，故其通態(tài)特性最后都?xì)w結(jié)到PiN 功率二極管的通態(tài)特性上來(lái)。
2021-03-16 10:39:0030 ，包括雙極結(jié)晶體管（BJT）、MOSFET、二極管及晶閘管。但對(duì)多裸片絕緣柵雙極晶體管（IGBT）而言，這種方法被證實(shí)不足以勝任。
2021-03-15 15:18:371508 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT， Insulated-Gate Bipolar Transistor）需要充分的保護(hù)以避免短路、過載和過電壓等錯(cuò)誤情況所造成的損壞和故障，這些保護(hù)是確保如電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及
2021-03-15 15:11:162188 
先說(shuō)個(gè)冷笑話，IGBT，不是LGBT，不是性少數(shù)群體的意思……好了，回到正題。 IGBT晶體管，英文全稱是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「絕緣柵
2021-02-03 17:37:1510629 高壓半導(dǎo)體開關(guān)（絕緣柵雙極晶體管[IGBT]和碳化硅[SiC]）正在驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的總線電壓（800 V或1,000 V）。隨著系統(tǒng)電壓的升高，對(duì)隔離技術(shù)的要求也不斷提高，以確保整體安全性和可靠性。
2020-09-21 15:39:461461 介紹了一種基于復(fù)雜可編程邏輯器件（CPLD）的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）驅(qū)動(dòng)信號(hào)封鎖 保護(hù)電路的設(shè)計(jì)，該電路以ALTERA公司MAXII系列CPLD芯片為核心，采用了EDA軟件QuartusII
2019-12-24 10:07:0023 對(duì)于微型模型來(lái)說(shuō)，熱源及其所有熱路徑的特征在于它們的熱阻，熱阻由所使用的材料，質(zhì)量和尺寸決定。 這顯示了熱量將如何從源流出，也是評(píng)估因自身耗散而導(dǎo)致熱事故的組件的第一步，例如高耗散IC，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT），甚至是電阻。
2019-08-20 14:16:352580 
排表面有做絕緣處理，主要用于降低電機(jī)控制器內(nèi)銅排導(dǎo)體、絕緣柵雙極晶體管（IGBT ）等元件間的雜散電感，避免電壓脈沖損壞IGBT。
2019-07-29 17:16:592637 作為新型電力半導(dǎo)體器件的主要代表， IGBT被廣泛用于工業(yè)、信息、新能源、醫(yī)學(xué)、交通、軍事和航空領(lǐng)域。隨著半導(dǎo)體材料和加工工藝的不斷進(jìn)步， IGBT的電流密度、耐壓和頻率不斷得到提升。 目前，市場(chǎng)上
2019-05-07 08:00:005 安森美的電源產(chǎn)品包括絕緣柵雙極晶體管（IGBT），這是一種三端半導(dǎo)體器件，具有寬泛的雙極電流承載能力。其產(chǎn)品組合包括650V ~ 1200V用于牽引驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的高功率IGBT器件。
2019-03-25 14:23:003040 在幾十年的時(shí)間里，制造商對(duì)基本設(shè)計(jì)進(jìn)行了改進(jìn)，設(shè)置導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的新標(biāo)準(zhǔn)。然而，這些參數(shù)通常需要在MOSFET設(shè)計(jì)中相互折衷。增加擊穿電壓的技術(shù)往往會(huì)推高導(dǎo)通電阻。因此，諸如絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等競(jìng)爭(zhēng)器件已經(jīng)取得了進(jìn)展，其應(yīng)用需要比MOSFET更高的擊穿電壓額定值。
2019-03-13 08:50:0037216 
整車控制器VCU通過驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器DCU將信號(hào)發(fā)送至逆變器內(nèi)的IPM，并使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在驅(qū)動(dòng)電機(jī)U／V／W三相間進(jìn)行切換，從而控制驅(qū)動(dòng)電機(jī)工作。如果VCU接收到來(lái)自DCU的過熱、過電流、過電壓等異常信號(hào)，則其將切斷逆變器，停止對(duì)驅(qū)動(dòng)電機(jī)供電。
2018-09-15 11:00:003100 目前，產(chǎn)業(yè)化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）普遍采用新結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)制造技術(shù)，以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國(guó)際領(lǐng)先研發(fā)
2018-04-24 16:12:5110 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 安全工作，它集功率晶體管 GTR 和功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET 的優(yōu)點(diǎn)于一身，自關(guān)斷、開關(guān)頻率高 （10-40 kHz） 的特點(diǎn)，是目前發(fā)展最為迅速的新一代電力電子器件。廣泛應(yīng)用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)調(diào)速、 UPS 及逆變焊機(jī)當(dāng)中。
2018-01-26 14:35:4040555 
）等，還是新型功率半導(dǎo)體器件，如：門極關(guān)斷晶閘管（GTO）、門極換流晶閘管（GCT）、集成門極換流晶閘管（IGCT）等，甚至是絕緣柵雙極晶體管（IGBT），都屬于雙極注入器件，所以它們的通態(tài)特性最后都可以歸結(jié)到PiN功率二極管的通態(tài)特性上。 在實(shí)際應(yīng)用中，往往有多個(gè)器件的并
2017-10-31 10:19:4112 絕緣柵雙極晶體管（IGBT， Insulated-Gate Bipolar Transistor）需要充分的保護(hù)以避免短路、過載和過電壓等錯(cuò)誤情況所造成的損壞和故障，這些保護(hù)是確保如電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及
2017-09-12 11:00:4018 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是在需要高電壓和開關(guān)頻率的電流電路中獲得相當(dāng)多的使用。一般來(lái)說(shuō)，這些電路是在電機(jī)控制，不間斷電源和其他類似的逆變器應(yīng)用。大部分的IGBT的流行源于其簡(jiǎn)單的MOSFET
2017-07-04 10:51:0522 Littelfuse， Inc.（NASDAQ：LFUS）宣布其已達(dá)成最終協(xié)議，將向ON Semiconductor Corporation收購(gòu)用于汽車點(diǎn)火應(yīng)用的瞬態(tài)電壓抑制（“TVS”）二極管、開關(guān)晶閘管和絕緣柵雙極晶體管（“IGBT”）產(chǎn)品組合，總收購(gòu)價(jià)為1.04億美元。
2016-08-26 12:29:491314 2016 年 5月10日- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ON），推出新系列絕緣柵雙極晶體管（IGBT），采用公司專有的超場(chǎng)截止溝槽技術(shù)
2016-05-10 17:57:401797 近日，德州儀器 （TI） 推出了業(yè)內(nèi)速度最快的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器。這款用于分立式功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 的柵極驅(qū)動(dòng)器的工作電壓可達(dá)到600V。
2015-10-16 16:32:111072 制造商已經(jīng)為高壓直流 （HVDC） 應(yīng)用開發(fā)出新的 4.5kV 絕緣柵雙極晶體管 （IGBT）/ 二極管芯片組并對(duì)其性能進(jìn)行了優(yōu)化 。
2014-10-28 17:32:253681 
2014年10月21日，北京——全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出多款堅(jiān)固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴(kuò)充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421903 東京—東芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封裝的軌對(duì)軌輸出柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器，用于直接驅(qū)動(dòng)中低等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）及功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061406 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出高性能600V超高速溝道場(chǎng)截止絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IR66xx系列。堅(jiān)固可靠的新系列器件提供極低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，旨在為焊接應(yīng)用做出優(yōu)化。
2014-08-19 16:31:532272 東芝公司旗下半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布其門驅(qū)動(dòng)光電耦合器陣容增添新成員，用于驅(qū)動(dòng)中等功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。
2014-06-06 19:09:451000 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 宣布擴(kuò)充節(jié)能的600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，并提供多種封裝選擇。
2014-05-14 13:58:421186 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 宣布推出堅(jiān)固可靠的超高速1400V溝道絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） IRG7PK35UD1PbF，新器件為電磁爐和微波爐等軟開關(guān)應(yīng)用作出了優(yōu)化。
2014-03-10 09:50:221463 今天，不論是用在工業(yè)領(lǐng)域還是民用產(chǎn)品的開關(guān)應(yīng)用，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）都可以提供有效的解決方案，以實(shí)現(xiàn)最終產(chǎn)品的高能效和高性能。在節(jié)能至上的市場(chǎng)上，電子設(shè)計(jì)人員首選可以實(shí)現(xiàn)高能效的器件，而且要
2013-11-20 17:28:141009 
2013年10月22日 – Amantys今日宣布推出一款針對(duì)高功率模塊的全新絕緣柵雙極晶體管（IGBT）柵極驅(qū)動(dòng)器，其工作電壓為4500V，額定電流從400A至1200A，它專為支持包括ABB、Dynex、日立、英飛凌和三菱等制造商的模塊產(chǎn)品而設(shè)計(jì)。
2013-10-23 18:28:401720 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產(chǎn)品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產(chǎn)品系列專為嚴(yán)苛環(huán)境工作而設(shè)計(jì)，尤其適用于太陽(yáng)能逆變器、焊接機(jī)和開關(guān)電源等工業(yè)產(chǎn)品。
2013-08-19 16:08:18793 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 推出堅(jiān)固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對(duì)工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)及不間斷電源 （UPS） 應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。
2013-06-14 15:22:001200 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 近日提升絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 選型工具的性能，以優(yōu)化多種應(yīng)用的設(shè)計(jì)過程，包括馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、不間斷電源 （UPS）、太陽(yáng)能逆變器及焊接等應(yīng)用。
2013-03-12 15:27:58997 德州儀器 （TI） 宣布推出業(yè)界首款面向絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 與碳化硅 （SiC） FET 的 35 V 單通道輸出級(jí)電源管理柵極驅(qū)動(dòng)器。TI 支持拆分輸出的最新 UCC27531
2013-03-04 10:59:311123 國(guó)際整流器公司 （International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR） 近日擴(kuò)充600V絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，這些經(jīng)過優(yōu)化的新器件尤為適合不間斷電源 （UPS）、太陽(yáng)能、感應(yīng)加熱、工業(yè)電機(jī)和焊接應(yīng)用。
2013-02-19 10:58:47933 如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用來(lái)說(shuō)，絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 能比其他
2013-01-09 09:56:222034 
國(guó)際整流器公司(International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，包括冰箱和空調(diào)的壓縮機(jī)。
2012-09-05 11:09:19941 比較場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET和絕緣柵雙極晶體管IGBT構(gòu)成的逆變電路，針對(duì)IGBT構(gòu)成的逆變電路中的重要環(huán)節(jié)分別提出改進(jìn)方案來(lái)優(yōu)化電路設(shè)計(jì)。最終既滿足對(duì)高壓大容量系統(tǒng)要求，又可以提高整個(gè)
2012-03-07 10:42:445937 
江蘇宏微科技有限公司自主研發(fā)的大功率超快速軟恢復(fù)外延型二極管（FRED）芯片和1200V/1700V大功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）芯片，順利通過有關(guān)專家組鑒定
2012-03-06 08:59:16751 中科院微電子所超高壓絕緣柵雙極晶體管(IGBT)芯片的年輕研究團(tuán)隊(duì)緊張而期待。由他們?cè)O(shè)計(jì)的一款IGBT芯片，在合作伙伴——上海華虹NEC電子有限公司的工藝線上流片完成，要進(jìn)行超高壓
2011-12-06 10:36:221661 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日擴(kuò)充堅(jiān)固耐用、可靠的超高速 600 V 溝道絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列，為不間斷電源 (UPS) 、太陽(yáng)能
2011-11-16 08:54:11983 近日全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國(guó)際整流器公司(簡(jiǎn)稱IR)推出針對(duì)感應(yīng)加熱、不間斷電源(UPS)太陽(yáng)能和焊接應(yīng)用而設(shè)計(jì)的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:541743 在實(shí)際應(yīng)用電力電子技術(shù)過程中,絕緣柵雙極晶體管( IGBT ) 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的合理設(shè)計(jì)應(yīng)根據(jù)具體器件的特性,選擇合適的參數(shù),使之實(shí)現(xiàn)最優(yōu)驅(qū)動(dòng)和有效可靠的保護(hù)。文中針對(duì)具體工程,對(duì)
2011-08-17 15:54:46113 摘要:介紹了以AT89C51單片機(jī)為控制中樞,利用EXB841專用驅(qū)動(dòng)及保護(hù)器件對(duì)功率模塊絕緣柵雙極晶體管(IGBT)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)與保護(hù)的變頻器設(shè)計(jì)方法。介紹了EXB841在應(yīng)用中的一些原則性事項(xiàng),闡
2010-09-13 08:21:12211 太陽(yáng)能電池、電源管理器件、高亮度LED和RF功率晶體管的特性分析等高功率測(cè)試應(yīng)用經(jīng)常需要高電流，有時(shí)需要高達(dá)40A甚至更高的功率，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）將需要100A
2010-08-06 17:09:531182 
1.IGBT的基本結(jié)構(gòu)
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè) P 型層。根據(jù)國(guó)
2010-05-27 17:29:3811817 
分析IGBT的門極驅(qū)動(dòng)鑒于絕緣柵雙極晶體管IGBT在逆變電焊機(jī)中的應(yīng)用日益普、及，針對(duì)IGBT門極驅(qū)動(dòng)特點(diǎn)，分析了它對(duì)于驅(qū)動(dòng)波形，功率，布線，隔離等方面的要求，并介紹了一種
2010-03-14 19:08:3449 本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統(tǒng)中的應(yīng)用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)注意的問題。Abstract: This paper introduces the application of
2010-03-14 18:53:5728 什么是絕緣柵極雙極性晶體管
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質(zhì)上是一個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,只是在漏極和漏區(qū)之間多了一個(gè)P型層.根據(jù)國(guó)際電工委員會(huì)IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49:223985 絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:154870 IR針對(duì)汽車應(yīng)用推出1200V絕緣IGBT AUIRG7CH80K6B-M
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出采用焊前金屬 (Solderable Front Metal，SFM) 的 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) AUIRG7
2009-11-19 08:49:32639 絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù)
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
2009-10-06 22:56:595108 
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001192 
隨著功率VMOS器件以及絕緣柵雙極晶體管(IGBT)器件的廣泛運(yùn)用，更多場(chǎng)合使用VMOS器件或IGBT器件組成橋式電路，例如開關(guān)電源半橋變換器或全橋變換器、直流無(wú)刷電機(jī)的
2009-02-17 14:53:013171 IGBT在不間斷電源的應(yīng)用
：本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統(tǒng)中的應(yīng)用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)注意的問題。
2007-12-22 11:18:5183
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