絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:29
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、晶體管輸出的特點 晶體管輸出又稱為雙極性晶體管輸出（Bipolar Transistor Output），使用PNP或NPN型雙極晶體管作為控制元件。在控制電壓作用下，通過電流調節控制晶體管的放大倍數，從而實現輸出的開關控制。 1、優點： （1）高速：晶體管
2023-08-25 15:41:31416 今天給大家分享的是：IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)
2023-08-25 09:39:18687 
“晶體管”現在可以分為多種類型，每種類型具有不同的功能和結構，例如FET、MOS FET、CMOS等也是廣義上的晶體管。當然，它仍然是有源的，主要用于電壓/信號放大和開關控制。在本文中，工程師將解釋這種雙極晶體管是什么，以及它的原理、機制和特點。
2023-07-07 10:14:49993 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor，BJT）和絕緣柵型
2023-05-20 15:19:12463 
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫，翻譯為絕緣柵雙極晶體管，是一種高性能功率半導體器件。它結合了MOSFET和雙極晶體管的優點，具有MOSFET輸入電阻低、雙極晶體管輸出電流大的特點，是目前常用的高壓、大電流開關器件之一。
2023-02-28 18:12:261615 
PNP/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030PK
2023-02-27 18:50:15
0 PNP/PNP匹配大功率雙雙極晶體管-PHPT610035PK
2023-02-27 18:50:020 常用場效應管及晶體管參數常用場效應管及晶體管參數場效應管的主要參數 (1)直流參數 飽和漏極電流IDSS 它可定義為：當柵、源極之間的電壓等于零，而漏、源極之間的電壓大于夾斷電壓時，對應的漏極電流
2008-08-12 08:39:59
NPN/PNP大功率雙雙極晶體管-PHPT610030NPK
2023-02-17 19:35:000 晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
2023-02-17 16:32:49866 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。
2022-12-20 10:38:112431 本期介紹：本期ROHM君想與大家一同學習絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認識其原理及其應用。IGBT是一種功率開關晶體管，它結合了MOSFET和BJT的優點，用于電源和電機控制電路 該絕緣柵雙極晶體管
2022-12-08 16:01:26957 N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N120GPED規格書免費下載。
2022-12-02 10:57:050 N溝絕緣柵雙極晶體管JT075N065WED規格書免費下載。
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2022-12-02 10:55:030 N溝絕緣柵雙極晶體管JT040K065WED/AED規格書
2022-12-02 10:54:051 N溝絕緣柵雙極晶體管JT030N065WED/FED規格書免費下載。
2022-12-02 10:53:130 N溝絕緣柵雙極晶體管JT020N065SED/CED/WED/FED規格書
2022-12-02 10:51:470 N溝絕緣柵雙極晶體管JT015N065FED規格書免費下載。
2022-12-02 10:50:490 N溝絕緣柵雙極晶體管JT010N065SED/CED/FED規格書免費下載。
2022-12-02 10:49:360 N溝絕緣柵雙極晶體管JT05N065RED/VED/SED/FED規格書免費下載。
2022-12-02 10:48:050 一.晶體管包括雙極結型晶體管(BJT)、場效應管(FET)和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。通常說的三極管是指雙極結型晶體管，其按PN結結構分為NPN型和PNP型;
2022-10-25 09:06:396381 雙極晶體管（BJT）是最基礎的集成電路器件之一，在集成電路發展史中起著重要的作用。因為這種晶體管工作時，電子和空穴兩種載流子均參與導電，所以被稱為雙極性結型晶體管，簡稱雙極晶體管。
2022-09-07 09:27:161855 根據工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。
2022-08-23 09:37:211774 供應igbt絕緣柵雙極晶體管SGTP75V65SDB1P7，提供SGTP75V65SDB1P7關鍵參數，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 14:04:590 在設計或修理電子設備時，有時真的需要尋找雙極晶體管（BJT）的替代品。在查閱這些BJT數據手冊里的諸多參數時，你或許會感到不知從何下手。在尋找合適的BJT替代品時，有必要理解并考慮一些相關重要參數。在BJT選型時，除了工作溫度和典型應用之外，還需要考慮以下一些基本參數。
2022-05-05 14:41:131510 本文檔的主要內容詳細介紹的是XNS20N60T絕緣柵雙極型晶體管的數據手冊免費下載。
2021-03-02 14:52:2925 先說個冷笑話，IGBT，不是LGBT，不是性少數群體的意思……好了，回到正題。 IGBT晶體管，英文全稱是「Insulated Gate Bipolar Transistor」，中文名叫「絕緣柵
2021-02-03 17:37:1510629 本文檔的主要內容詳細介紹的是IEC60747-9-2019半導體裝置絕緣柵雙極晶體管的數據手冊免費下載。
2020-04-17 08:00:00157 輸入電壓下， 功率雙極晶體管總損耗最多降低了42%, 系統效率提高了2.1%. 開關電源具有功率轉換效率高、穩壓范圍寬、功率體積比高、重量輕等特點。
2019-09-15 04:36:001552 
目前，產業化的高電壓大功率絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）普遍采用新結構設計制造技術，以ABB、三菱、東芝和日立等為代表的國際領先研發
2018-04-24 16:12:5110 本文將介紹雙極型晶體管的基本結構。雙極晶體管是雙極型結型晶體管（BJT）的簡稱，在電力半導體中，也稱作大功率晶體管（GTR），在現代電力電子變換器中大多已經被MOSFET或者IGBT所代替。了解雙極晶體管有助于深入理解現代功率器件的結構。
2018-03-05 16:12:1422049 
絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優點，具有良好的特性，應用領域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發射極。
2017-11-29 15:39:2114706 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT， Insulated-Gate Bipolar Transistor）需要充分的保護以避免短路、過載和過電壓等錯誤情況所造成的損壞和故障，這些保護是確保如電機驅動以及
2017-09-12 11:00:4018 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出堅固可靠的全新1200V超高速絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列，針對工業電機驅動及不間斷電源 （UPS） 應用進行了優化。
2013-06-14 15:22:001200 國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)推出600V絕緣柵雙極晶體管(IGBT)系列，適合在10kHz以下工作的電機驅動應用，包括冰箱和空調的壓縮機。
2012-09-05 11:09:19941 《晶體管精華集錦》技術專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊、晶體管電路圖、晶體管電路設計、晶體管應用（主要含晶體管收音機、晶體管測試儀）以及常見的晶體管（如：場效應晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內容豐富、包羅萬象，希望對各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
近日全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司(簡稱IR)推出針對感應加熱、不間斷電源(UPS)太陽能和焊接應用而設計的可靠、高效 1200V 絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2011-09-07 09:24:541743 雙極晶體管屬于電流控制器件，即加入變動的基極電流，產生集電極電流的變動。
2011-03-03 11:40:34150 雙極結型晶體管/絕緣柵場效應晶體管/PN結晶體管習題集:第二章 PN結填空題1、若某硅突變PN結的P型區的摻雜濃度為NA=1.5×1016cm-3，則室溫下該區的平衡多子濃度pp0與平衡少子
2010-06-05 10:30:2613 絕緣柵場效應晶體管長延時電路圖
2010-03-30 14:45:531409 
絕緣柵場效應晶體管“放電式”長延時電路圖
2010-03-30 14:44:541538 
晶體管h參數,晶體管h參數是什么意思
在合理設置靜態工作點和輸入為交流小信號的前提下，晶體管可等效為一個線性雙端口電路
2010-03-05 17:37:225584 什么是絕緣柵極雙極性晶體管
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)本質上是一個場效應晶體管,只是在漏極和漏區之間多了一個P型層.根據國際電工委員會IEC/TC(CO)1
2010-03-05 15:49:223985 聯柵晶體管(GAT)是什么意思?
聯柵晶體管是一種新型功率開關半導體器件，簡稱GAT。GAT是介于雙極型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)之間的特種器
2010-03-05 14:35:242466 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:465735 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的資料大全
絕緣柵雙極型晶體管IGBT是由MOSFET和雙極型晶體管復合而成的一種器件,其輸入極為MOSFET,輸出極為PNP晶體
2010-03-05 11:46:077395 絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是什么意思
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2010-03-05 11:42:028718 異質結雙極晶體管,異質結雙極晶體管是什么意思
異質結雙極晶體管（Hetero-junction Bipolar Transistor,簡稱HBT)基區(base)異質結SiGe外延(圖1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554610 絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結構雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:154870 IGBT絕緣柵極雙極晶體管過壓保護電路
IGBT的柵極過壓的
2010-02-17 17:13:011689 
晶體管的極限參數
以下介紹晶體管的主要極限參數。晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當其超過額定值時，
2010-01-26 08:54:036437
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）
2009-12-10 14:24:311224
雙極晶體管
2009-11-07 10:44:021301 絕緣柵雙極晶體管絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應晶體管（Power MOSFET）的優點，具有
2009-11-05 11:40:14570 絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。
一．絕緣柵雙極晶
2009-05-12 20:42:001192 
絕緣柵雙極晶體管（IGBT)
基礎知識絕緣柵雙極晶體管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT）GTR和MOSFET復合，結合二者的優點1986年投
2009-04-14 22:13:395260 
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