與武岳峰等中國基金所收購的美國 DRAM 廠 ISSI 合并，從 9 月中停牌迄今的兆易創(chuàng)新今 19 日再發(fā)出持續(xù)停牌公告，并正式揭露了即將與 ISSI 整并的消息！
2016-11-21 10:09:55
1769 早前曾報導(dǎo)過，中國NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新（Gigadevice）可能與武岳峰等中國基金所收購的美國DRAM廠ISSI合并，從9月中停牌迄今的兆易創(chuàng)新19日再發(fā)出持續(xù)停牌公告，并正式揭露了即將與ISSI整并的消息！
2016-11-21 14:00:583126 和?x16 配置中均可提供高達(dá)?2133Mbps 的數(shù)據(jù)傳輸速率，并可與1.5V DDR3實現(xiàn)100%兼容。目前，華邦的?DRAM 產(chǎn)品布局包括1Gb-4Gb DDR3、128Mb-2Gb DDR
2022-04-20 16:04:032554 
DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2022-11-28 09:17:063907 DDR4，開發(fā)版使用的是DDR3。DRAM：動態(tài)隨機(jī)存儲器，內(nèi)部存儲單元的以電容電荷表示數(shù)據(jù)，1代表有電荷，0代表無數(shù)據(jù)。DRAM結(jié)構(gòu)簡答，所以成本低，集成度高。但是存取速度不如SRAM。? 2.DDR?常見頻率100MHZ，133MHZ，166M，200MHz。?計算容量：行地址位row=
2022-02-07 06:15:06
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們在本質(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
理，相比之下在SRAM存儲芯片上一個bit通常需要六個晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。 DRAM存儲原理 DRAM的每一位存儲單元采用一個晶體管和小電容來實現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11
我們公司屬進(jìn)口原裝正品存儲IC現(xiàn)貨代理分銷商：1、主要是在MEMORY、FLASH、SRAM、SDRAM、DDR方面?zhèn)溆鞋F(xiàn)貨庫存，且價格方面也有優(yōu)勢2、。主營品牌有ISSI、SPANSION
2018-11-20 14:40:55
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數(shù)，但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個文件里：搜索了一下有下面幾個文件比較像，但我不知到時哪一個，請各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
反應(yīng)。如果燒寫內(nèi)核時候直接運行內(nèi)核的話，板子會在解壓內(nèi)核的時候死掉。初步判斷，是地址空間的問題。 開發(fā)板的DRAM是128M，NANDFLAHS 128M，公司自己板子的DRAM是256M，NANDFLAHS 也是256M，是不是公司板子的地址映射有問題？請問怎么改？
2019-02-21 12:42:59
這款DDR芯片，其大小為128MB。 一般對于嵌入式設(shè)備，可能需要的內(nèi)存大于128MB，那怎么實現(xiàn)呢？ 可以通過兩片DDR級聯(lián)，例如上述兩片DDR級聯(lián)，級聯(lián)后存儲容量為128M * 2 = 256MB。 當(dāng)然也可以直接選取256MB的DDR咯。
2020-09-16 15:30:27
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-5-25 15:41 編輯
大家好！我最近有一個問題很疑惑，我的TI 原裝的TMS320DM8168的開發(fā)板上有8片DDR3，每片128M，每四片一個
2018-05-25 00:25:27
Direct Rambus DRAM的信號連接關(guān)系如圖所示。與DDR-SDRAM最大的不同在于信號線是漏極開路輸出以及時鐘是以連續(xù)不斷的方式往復(fù)的。 圖 Direct Rambus DRAM
2008-12-04 10:16:36
`本開發(fā)板板載了一片高速 DDR3 SDRAM， 型號：MT41J128M16JT-093， 容量：256MByte（128M*16bit），16bit 總線。開發(fā)板上 FPGA 和 DDR
2021-07-30 11:23:45
控制器的地址空間都是512MB。所以說如果DRAM控制器“力所能及”512MB。此處我們用了每個的128M地址空間。圖2圖3圖2和圖3所示，為兩顆16位寬的DDR2，掛在DMC1上，地址線、片選、時鐘等
2015-08-17 20:30:17
的SOC包含兩個硬核ARM A9，以及ARTIX-7邏輯。板子還有一顆128M x 16 bit DDR3 CLK800MHz，一塊128M字節(jié) NAND FLASH，PS端 33.333Mhz晶振
2021-07-29 07:19:33
我使用Hyperlynx 8.0進(jìn)行了模擬，如下所示： 將FPGA和DRAM芯片的DQ連接到54.5歐姆傳輸線，IBIS模型從Xilinx和Micron網(wǎng)站下載。 DRAM芯片可支持DDR
2020-06-08 07:42:56
將達(dá)到3200MT/s，于2012年推出市場，到2013年時運行電壓將改進(jìn)至1V。然而到了2011年1月，三星電子宣布完成DDR4 DRAM模塊的制造和測試，采用30nm級工藝，數(shù)據(jù)傳輸率為
2022-10-26 16:37:40
1. 嵌入式的內(nèi)存內(nèi)存的發(fā)展從DRAM到廣泛使用的SDRAM，到之后一代的DDR（或稱DDR1），然后是DDR2和DDR3進(jìn)入大眾市場，2015年開始DDR4進(jìn)入消費市場。單片機(jī)領(lǐng)域中，使用較多
2021-12-17 07:44:44
來源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長15.5%。主要原因來自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
我是一名labview FPGA程序員，使用的是NI 7975 fpga模塊，它具有kintex 7 fpga。該模塊具有外部DDR3 DRAM 0f 2GB以及kintex 7 fpga資源。數(shù)據(jù)應(yīng)該從芯片到芯片之間會有多少延遲？這是DDR3 DRAM雙端口（同時讀寫操作可能??）???
2020-05-20 14:42:11
我碰到很多研發(fā)對DDR的分類不太了解，包括工業(yè)級，商業(yè)及，汽車級，軍工級，的區(qū)分定義。還有就是每個行業(yè)級別的內(nèi)存廠家排名都不一樣的。商業(yè)級的大家應(yīng)該都很了解，就是三星，海力士，鎂光，華邦等，工業(yè)級
2016-12-20 15:10:20
,MRAM(非易失性存儲器)256Kbit-16Mbit8.Mobile SDRAM/DDR(低功耗SDRAM/DDR)128Mbit-512Mbit9.DDR2/DDR3 SDRAM (動態(tài)隨機(jī)存儲器
2013-08-27 09:34:11
年收購電子芯片，收購電子IC，收購DDR ,收購集成電路芯片，收購內(nèi)存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR內(nèi)存芯片系列，三星，現(xiàn)代，閃迪，金士頓，鎂光，東芝，南亞，爾必達(dá)，華邦等各原裝品牌，回收DDR，收購DDR！！！`
2021-04-28 18:17:53
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-22 10:36 編輯
我想用DM6446做圖像處理， 我目前的板子是合眾達(dá)的，DDR是128M，而TI的默認(rèn)文檔都是256M內(nèi)存的配置，請問我應(yīng)該怎么修改 才能符合我自己的應(yīng)用？ 還有我想做智能圖像處理，偏重識別方面的，采用那款產(chǎn)品比較好呢？
2018-06-22 05:53:03
P25Q256HFlashSPI256M2.3-3.6v 普冉P25Q128HFlashSPI128M2.3-3.6v 普冉P25Q640HFlashSPI64M2.3-3.6v 普冉
2020-02-22 16:36:16
求RK3399+4顆DDR3 PCB文件
2022-06-23 20:14:15
溫控產(chǎn)品解決方案NetCol8000-C房間級冷凍水智能溫控產(chǎn)品產(chǎn)品描述：華為NetCol8000-C系列是針對中低密度、中大型數(shù)據(jù)中心制冷需求設(shè)計的制冷末端產(chǎn)品，其通常與冷水機(jī)組、水泵、冷卻塔等
2021-08-31 07:57:11
本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
【來源】：《電子與電腦》2010年02期【摘要】：<正>泰克公司日前宣布,為中國推出首款直流電源PWS2000-SC簡體中文系列,以支持中國嵌入式系統(tǒng)設(shè)計工
2010-04-23 11:27:11
習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國***以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。DDR的核心...
2021-09-14 09:04:30
有個非BGA還合封了DDR的版本，很是欣喜，但點開一看，SIP的DDR只有64M，跑IPKVM有點夠嗆（除了推流還得實現(xiàn)HID和一個noVNC以供從網(wǎng)頁端操作），不知道后續(xù)會不會有合封更大內(nèi)存的D1S/F133版本
2021-12-28 07:24:55
你好。
我們正在使用通過 EIM 總線連接的 imx6 和 fpga。
當(dāng)cpu發(fā)生中斷時，從EIM Memory中讀取CS0的數(shù)據(jù)。
我們基本上把CS0分配為一個128M的區(qū)域。
我有個
2023-05-19 08:50:45
麻雀加核計劃：MQ增加雙核內(nèi)置128M版本，MQ-Pro則增加四核版本
2022-03-15 14:45:30
DRAM Chip DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78Pin FBGA Tray
2022-05-31 11:17:55
ISSI是一家國際性的高科技公司，專門從事設(shè)計，開發(fā)，制造和銷售集成電路存儲器，是北美最大的SRAM制造商之一，ISSI的核心產(chǎn)品包括高速，低功耗的SRAM，中，低容量的DRAM.EEPROM
2009-11-05 11:59:05
10 該文提出一種基于素域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗碼的方法。該方法是Lan 等所提出基于有限域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗碼的方法在素域上的推廣，給出了一類更廣泛的基于素域構(gòu)造的準(zhǔn)循
2010-03-05 17:04:523 該文提出一種基于素域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗碼的方法。該方法是Lan 等所提出基于有限域構(gòu)造準(zhǔn)循環(huán)低密度校驗碼的方法在素域上的推廣，給出了一類更廣泛的基于素域構(gòu)造的準(zhǔn)循
2010-03-06 10:38:1513 W9412G6IH datasheet pdf資料(2M*4 Banks*16 Bits DDR SDRAM)
The W9412G6IH is a 128M DDR SDRAM
2010-03-27 17:27:3540 紐曼s999固件升級:S999TV4.0支持N制CA卡固件（機(jī)身內(nèi)存128M）和S999TV4.0增加股票信息（機(jī)身內(nèi)存4G）。
2010-04-25 18:47:39186 什么是交換機(jī)間系統(tǒng)接口(ISSI)
交換機(jī)間系統(tǒng)接口(ISSI: Inter-Switching System Interface)
交換機(jī)間系統(tǒng)接口(ISSI)是一個在
2008-11-27 08:47:141265 DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術(shù)門檻
市場研究機(jī)構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預(yù)期下，相繼投入產(chǎn)能擴(kuò)充競賽，這也使得DRAM供過于求
2009-11-17 10:10:49590 iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流
11月24日消息，根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli的最新預(yù)測，DDR3(Double Data Rate 3)標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨
2009-11-25 09:21:44511 Winbond -DRAM 64M 128M 256M SDRAM
產(chǎn)品規(guī)格 ‧64M 128M 256M SDRAM ‧128M 256M DDR1
2010-01-08 16:59:011451 臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3
2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片
2010-01-18 09:25:13602 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441094 DDR3來臨2010年DRAM市場云開月明
2009年DRAM 市場烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲
2010-01-26 09:54:00549 IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
IDT公司推出首款針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤和電腦主板市場的高精度溫度傳感器。新器件有助于企業(yè)、
2010-01-26 16:53:32646 IDT推出DDR3內(nèi)存模塊高精度溫度傳感器
新器件可提高企業(yè)、移動及嵌入式計算系統(tǒng)的可靠性、性能和電源效率
IDT公司（Integrated Device Technology, Inc.）推出首款
2010-01-27 08:34:25801 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國外媒體報道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 安華高推出首款電子標(biāo)志LED燈
Avago Technologies（安華高科技）今日宣布推出業(yè)內(nèi)第一款適合戶外和室內(nèi)電子標(biāo)志應(yīng)用，采用表面貼裝封
2010-03-19 09:17:36825 針對低密度PLD設(shè)計人員對單個器件低成本、低功耗和高系統(tǒng)集成的需求，萊迪思半導(dǎo)體(Lattice)日前推出新的MachXO2 PLD系列。與MachXO
2010-12-01 08:51:451058 
賽普拉斯半導(dǎo)體子公司AgigA技術(shù)公司日前宣布，推出業(yè)界最高存儲密度的DDR3解決方案，成為其無需電池供電的高速非易失性RAM系列產(chǎn)品中新的一員。AGIGARAM™非易失性產(chǎn)品系列中的這一新解決方案可提供高達(dá)8GB的存儲密度，從而為系統(tǒng)架構(gòu)師和設(shè)計者提供了充
2011-01-26 16:45:37641 本文研究高速 數(shù)據(jù)傳輸 中的低密度校驗(LDPC)碼編碼的原理、有效編解碼算法以及基于低密度校驗編碼的編碼調(diào)制系統(tǒng)的分析和設(shè)計方法。LDPC 碼是一類能夠達(dá)到Shannon 極限性能的線性分
2011-06-14 16:33:360 據(jù)IHS iSuppli公司的DRAM模組市場追蹤報告，由于速度更快和功耗較低，DDR3技術(shù)在2012年初幾乎完全統(tǒng)治了DRAM模組市場。第一季度DDR3模組出貨量達(dá)到1.507億個，占全球總體DRAM模組市場的87
2012-05-03 09:19:12871 
歐司朗光電半導(dǎo)體推出首款板上芯片LED—Soleriq E，是高能效筒燈的理想光源。
2012-07-05 09:42:191077 電子發(fā)燒友網(wǎng)訊 ：萊迪思(lattice)半導(dǎo)體公司近日宣布，推出MachXO2系列超低密度FPGA控制開發(fā)套件。該套件適用于低成本的復(fù)雜系統(tǒng)控制和視頻接口設(shè)計的樣機(jī)開發(fā)。新加入了MachXO2-4000
2012-10-24 15:10:093158 ISSI-SRAM選型,有需要的下來看看。
2016-12-11 21:39:2636 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機(jī)上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12749 DDR 控制器部產(chǎn)品營銷總監(jiān) 概述 DDR DRAM內(nèi)存控制器要滿足眾多市場競爭的需求。一款出色的內(nèi)存控制器必須能夠增加存儲器接口的帶寬，滿足CPU、圖形處理、系統(tǒng)實時DRAM的延遲需求，同時符合
2017-11-18 18:23:122521 基于編碼的密碼系統(tǒng)具備抵抗量子計算的天然優(yōu)勢。針對傳統(tǒng)的基于Goppa碼構(gòu)造的密碼方案存在密文擴(kuò)展率大和密鑰量大的問題，利用低密度生成矩陣（ LDGM）碼和哈希函數(shù)構(gòu)造了一個可證明安全的簽密方案
2017-12-12 11:06:470 三星的DRAM市場表現(xiàn)十分強(qiáng)勁，并在近日宣布量產(chǎn)其第二代10納米的8Gb DDR4 DRAM。為迎合市場龐大需求，三星將在明年擴(kuò)大第一代DDR4 DRAM的產(chǎn)量。
2017-12-27 11:22:38834 DRAM (動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)對設(shè)計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設(shè)計中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0091644 Crucial近日推出服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品系列新品--128GB DDR4 LRDIMM。 其為該公司至今以來所推出的產(chǎn)品中密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊，新的DDR4服務(wù)器內(nèi)存具備從2666MTbit/s起跳的速度，可提升每部服務(wù)器所安裝的內(nèi)存容量，以充分運用CPU和服務(wù)器硬件效能。
2018-06-25 10:34:002096 繼儲存型快閃存儲器價格走跌之后，原本報價尖挺的DRAM也開始松動，其中，連續(xù)八季漲價的DDR3率先走跌，臺灣包括晶豪科、南亞科等業(yè)者都以DDR3為主要產(chǎn)品，將首當(dāng)其沖。
2018-08-08 10:31:143377 三年前，DRAM廠商ISSI被中資私有化引回國內(nèi)市場后，關(guān)于ISSI的最終去向一直備受行業(yè)關(guān)注，如今去向已定。A股芯片設(shè)計公司北京君正將拿下ISSI的控制權(quán)。
2018-11-12 17:02:024566 據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56845 NorFlash S29GL128P 外擴(kuò)存儲模塊 容量128M Bit
可直接接入帶有32I/Os接口的Open系列開發(fā)板
型號 NorFlash Board (B)
2019-12-30 09:31:352375 
N55S128是一個128M位(16M字節(jié))的SPI串行式Mask ROM。 規(guī)格數(shù)據(jù)
2020-02-12 11:23:451681 
SK 海力士公司宣布，其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM），創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約 27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。
2019-11-19 11:08:21649 內(nèi)存和存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Technology Inc.與摩托羅拉公司聯(lián)合宣布，摩托羅拉新推出的motorola edge+ 智能手機(jī)已搭載美光的低功耗 DDR5（LPDDR5）DRAM 芯片。
2020-04-25 10:32:51689 美國ISSI主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。主要為汽車，通信，數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療等市場提供存儲器產(chǎn)品。IS62WV102416DBLL是超低功耗CMOS 16Mbit靜態(tài)RAM
2020-05-28 15:30:26929 低功耗SRAM和中低密度DRAM。 IS61/64WVxxxxxEDBLL系列是具有糾錯(ECC)功能的異步靜態(tài)隨機(jī)存儲器(Async SRAM),該器件內(nèi)置獨立的ECC單元，極大程度提升了數(shù)據(jù)的完整性;同時得益于先進(jìn)的設(shè)計理念及65nm的制程工藝,期耗、讀寫速度均處于業(yè)界領(lǐng)先水平
2020-05-28 14:54:37662 標(biāo)準(zhǔn) DDR 面向服務(wù)器、云計算、網(wǎng)絡(luò)、筆記本電腦、臺式機(jī)和消費類應(yīng)用，支持更寬的通道寬度、更高的密度和不同的形狀尺寸。DDR4 是這一類別目前最常用的標(biāo)準(zhǔn)，支持高達(dá) 3200 Mbps 的數(shù)據(jù)速率。DDR5 DRAM 的運行速度高達(dá) 6400 Mbps，預(yù)計將在 2020 年問世。
2020-06-08 16:54:235847 
美國ISSI存儲器公司的主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM芯片。該公司還設(shè)計和銷售NOR閃存存儲器產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。近年來對復(fù)雜半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計算機(jī)
2020-07-11 10:44:36911 
階段不斷增強(qiáng)汽車基礎(chǔ)設(shè)施。通過SRAM芯片，DRAM和Flash產(chǎn)品系列來實現(xiàn)這一目標(biāo)。 從開始到生產(chǎn)，汽車市場的設(shè)計周期可能為3-4年。然后生產(chǎn)將再運行5-6年。后期支持的需求已經(jīng)存在了數(shù)年。ISSI致力于為客戶提供汽車生產(chǎn)計劃階段所需的長期支持。ISSI與客戶合作以
2020-08-27 10:08:37523 ISSI是一家無晶圓廠的半導(dǎo)體公司，為以下主要市場設(shè)計開發(fā)和銷售高性能集成電路：汽車和通信，工業(yè)和醫(yī)療以及數(shù)字消費者。ISSI的主要產(chǎn)品是SRAM，DRAM存儲，包括NOR閃存，NAND閃存和托管
2020-08-27 10:14:23630 1 月 27 日消息 內(nèi)存與存儲解決方案供應(yīng)商美光科技今日宣布批量出貨基于 1α （1-alpha） 節(jié)點的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:031970 美光本周二公布其用于DRAM的1α新工藝，該技術(shù)有望將DRAM位密度提升40%，功耗降低15%。 1α工藝最初被用于生產(chǎn)DDR4和LPDDR4內(nèi)存，未來或?qū)⒌采w美光所有類型的DRAM。
2021-01-29 15:03:442202 內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼： MU）今日宣布，已開始出樣業(yè)內(nèi)首款車用低功耗 DDR5 DRAM （LPDDR5
2021-02-26 12:02:252828 據(jù)外媒消息，日益嚴(yán)重的DDR3短缺，導(dǎo)致價格飛漲，三星電子也因此放緩了減少低密度DRAM產(chǎn)能的計劃。
2021-03-19 10:45:261622 美國ISSI公司是為汽車和通信，數(shù)字消費者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場設(shè)計開發(fā)高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM。近年來對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計算機(jī)市場
2021-04-08 15:44:021587 
為解決現(xiàn)有基于人工設(shè)計特征行為識別方法缺少多類異常行為分類研究和受人工影響大等問題，提出和實現(xiàn)了基于粗糙集的多類中低密度人群異常行汋識別算法。該算法首先提取目標(biāo)人群的人欻、幀泙均加速度、矩形框的距離
2021-06-17 16:52:053 大尺度低密度新媒體空間的彈性沉浸體驗設(shè)計
2021-06-25 14:20:127 ISSI公司主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM和中低密度DRAM存儲芯片。還設(shè)計和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號集成電路。主要是應(yīng)用在汽車、通信、數(shù)字消費以及工業(yè)和醫(yī)療市場的設(shè)計、開發(fā)和銷售高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。
2021-08-24 17:25:57681 是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。DDR的核心...
2021-11-10 09:51:03154 合作伙伴推出美光 DDR5 服務(wù)器 DRAM,以支持下一代英特爾和 AMD DDR5 服務(wù)器及工作站平臺的行業(yè)資格認(rèn)證。相比 DDR4 DRAM,DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品能夠?qū)⑾到y(tǒng)性能提高至多85%。美光全新
2022-07-07 14:45:572298 Microchip 為在產(chǎn)品壽命為 20 年的嵌入式系統(tǒng)中設(shè)計低密度 NOR 閃存提供了理由，這些系統(tǒng)經(jīng)常面臨 EOL 組件的挑戰(zhàn)。
2022-08-17 16:52:25578 
（nm）級工藝技術(shù)打造的16Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。? “ ?三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人Jooyoung?Lee表示： 三星12nm
2022-12-21 11:08:29521 出其首款采用12納米（nm）級工藝技術(shù)打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。 三星電子首款12納米級DDR5 DRAM 三星電子高級副總裁兼DRAM產(chǎn)品與技術(shù)負(fù)責(zé)人
2022-12-21 21:19:54756 
DDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器”。DDR是一種技術(shù)，中國大陸工程師習(xí)慣用DDR稱呼用了DDR技術(shù)的SDRAM，而在中國臺灣以及歐美，工程師習(xí)慣用DRAM來稱呼。
2023-07-16 15:27:103378 
據(jù)DRAM產(chǎn)品分類顯示，PC DRAM方面，DDR5訂單需求未得到充分滿足，買方預(yù)期DDR4價格將進(jìn)一步上漲，這激發(fā)了備貨需求。盡管新一代設(shè)備向DDR5轉(zhuǎn)型，但對于DDR4采購量增幅不定。預(yù)計PC DRAM季度合約價變化幅度將在10～15%之間，其中DDR5占據(jù)更大比例。
2024-01-08 14:27:26195
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