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ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態RAM，組織為512K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。這種高度可靠的工藝加上創新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。
當CS1為HIGH（取消選擇）或CS2為LOW（取消選擇）或CS1為LOW，CS2為HIGH且LB和UB均為HIGH時，器件將處于待機模式，在該模式下，可通過CMOS輸入降低功耗水平。
使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存儲器的寫入和讀取。數據字節允許訪問高字節（UB）和低字節（LB）。
IS62WV51216ALL和IS62WV51216BLL封裝在JEDEC標準的48引腳迷你BGA（7.2mmx8.7mm）和44引腳TSOP（TYPE II）中。英尚微電子親自授權為ISSI代理,為各行業領域提供各種SRAM芯片,保持長期供貨,完成客戶各方面的需求.
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淺談SRAM芯片is62wv51216
- 芯片(407711)
- sram(113780)
- ISSI(22317)
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1137stm32存儲資源詳解
開發板外置了1M字節外部SRAM芯片（IS62WV51216）1M字節（即512K*16位）其中512K是由19根地址線決定，219=512K; 16位是由16根數...
2021-12-24 19:43:1213
13用于替換IS62WV51216EBLL-45TLI的國產SRAM芯片
IS62WV51216EBLL-45TLI SRAM芯片是一個8M容量，組織結構為512K*16的高速率低功耗靜態隨機存儲器。 采用高性能CMOS工藝制造。高度可靠的工藝水準再加創新的電路設計技術
2022-01-26 14:39:571618
1618超低功耗CMOS靜態RAM IS62WV51216ALL/BLL數據手冊
ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位靜態RAM，由16個512K字組成位。它是使用ISSI的高性能CMOS制造的技術這個高度可靠的過程與創新的電路設計技術，產生高性能和低功耗的器件。
2022-09-29 10:14:322
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工商網監
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