飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 經擴大了其 P 通道 PowerTrench? MOSFET 產品線 。
2012-08-10 09:58:12
913 恩智浦半導體近日推出54款符合汽車工業標準并采用LFPAK56封裝的全新MOSFET——是目前市場上最全的Power-SO8 MOSFET產品組合。恩智浦的LFPAK56 MOSFET具有業界領先的性能和可靠性，與DPAK相比還可節省超過55%的尺寸面積，從而能大幅降低總成本。
2013-03-08 12:41:542961 安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57 m?產品,籍此擴展市場領先的低RDS(on) MO,同時優化了安全工作區、漏極電流和柵極電荷。
2020-02-26 08:17:001691 節省空間的LFPAK56D半橋產品可以幫助動力系統、電機控制和DC/DC應用減少60%的寄生電感并改善散熱性能
2021-02-23 10:03:321096 `恩智浦半導體在眾多半導體產品市場長期位于領先的位置，恩智浦半導體具有非常豐富的通用MICR產品系列，從經典的8位/16位，數字信號控制器（DSC）,Arm7,Arm9到Arm Cortex-M
2018-06-20 17:26:44
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
半導體泵浦固體激光器的種類很多，可以是連續的、脈沖的、調Q的，以及加倍頻混頻等非線性轉換的。工作物質的形狀有圓柱和板條狀的。
2020-03-10 09:03:12
和飛思卡爾各自的產品、目標行業、半導體產業以及競爭對手帶來哪些影響呢?我們目前還不能得到準確答案，但是希望能從對兩家公司的十大對比中，讓你看出一些端倪。 1.優勢產品 恩智浦 微控制器、射頻
2015-12-07 14:50:33
支持尾鏈中斷（Tail chaining）和后到（Late arriving）中斷。 2009年，恩智浦半導體發布了LPC1100家族中的第一款產品，也是首款基于Cortex-M0內核的微控制器
2010-11-29 15:04:02
本帖最后由 zhihuizhou 于 2011-10-28 14:54 編輯
恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布，其PN544近距離無線通信 (NFC
2011-10-27 15:36:03
大家好，我是痞子衡，是正經搞技術的痞子。今天痞子衡給大家介紹的是恩智浦i.MX RTxxx系列MCU的基本特性。 恩智浦半導體于2017年開始推出的i.MX RT系列重新定義了MCU，其第一款
2021-11-04 07:08:30
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日為時尚、零售和電子市場推出了其最新的UHF解決方案。基于結構簡單、經濟高效的單天線解決方案，UCODE G2iL和G2iL+不僅實現了行業領先
2019-08-01 08:28:10
導讀：日前，恩智浦半導體（以下簡稱“NXP”）對外發布一款用于X電容的自動放電IC--TEA1708.此器件擁有的自動放電功能加上抵抗電壓浪涌的高度耐用性，輕易的滿足了新的電源規范要求，成為電源
2018-09-28 16:25:19
所在各類半導體功率器件中，未來增長強勁的產品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導體市場仍由歐美日企業主導，其中英飛凌以 19%的市占率占據絕對領先地位。全球功率半導體前十名供應商
2022-11-11 11:50:23
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
優恩半導體32D系列徑向導聯壓敏電阻通過提供比以往更高的浪涌額定值，為低直流電壓應用提供了理想的電路保護解決方案。極限峰值浪涌電流額定值可達30ka (8/20 μs脈沖)，以防止包括間接雷擊干擾
2023-06-14 10:52:47
Power SO-8LFPAK封裝60V和100V晶體管
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)推出全新60 V和100 V晶體管，擴充Trench 6 MOSFET產品線。新產品采用Power SO-8LFPAK封裝，支持60 V和100 V兩種工作
2010-02-09 09:27:392203 with state of the art Trench 6 silicon technology - Smaller : Power-SO8 form factor LFPAK - Faster : Best in class switching performance - Co
2011-03-30 15:50:33
0 恩智浦半導體業界首款Doherty架構超寬帶射頻解決方案和雙通道Power-SO8 MOSFET方案，近日分別榮獲業界殊榮，摘得由環球資源（Global Sources）旗下《電子工程專輯》于今
2013-03-15 16:12:33505 半導體基礎元器件生產領域的高產能生產專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產品。
2020-05-09 11:07:263164 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。
2022-02-15 14:23:261103 
意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間，簡化電路設計。
2022-02-17 10:06:141783 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、6.8 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN6R8-40HS
2023-02-07 20:31:400 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、31 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN033-100HL
2023-02-08 19:06:410 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、12.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET，使用針對重復雪崩增強的 TrenchMOS 技術-PSMN012-60HL
2023-02-08 19:06:510 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、12.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN013-60HL
2023-02-08 19:07:050 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、11.5 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN011-60HL
2023-02-08 19:07:250 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、7.2 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN6R1-40HL
2023-02-08 19:07:440 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、9.4 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN8R0-40HL
2023-02-08 19:08:000 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、14 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN014-60HS
2023-02-08 19:10:200 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、10 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN013-60HS
2023-02-08 19:10:330 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 60 V、9.3 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN9R3-60HS
2023-02-08 19:10:460 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、45 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN045-100HL
2023-02-08 19:11:020 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、29 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN029-100HL
2023-02-08 19:11:190 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、37.6 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN038-100HS
2023-02-08 19:11:300 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、27.5 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN028-100HS
2023-02-08 19:11:450 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 100 V、24.5 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN025-100HS
2023-02-08 19:11:590 采用 TrenchMOS 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、8.5 mOhm、標準電平 MOSFET-PSMN8R5-40HS
2023-02-08 19:12:120 采用 NextPowerS3 技術的 LFPAK56D 中的 N 溝道 40 V、13.6 mOhm、邏輯電平 MOSFET-PSMN014-40HLD
2023-02-08 19:12:260 雙 N 溝道 40 V、4.2 mOhm 標準電平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半橋配置）-BUK7V4R2-40H
2023-02-08 19:27:160 采用 LFPAK56 的 NextPower 80 V、4.5 mOhm N 溝道 MOSFET-PSMN4R5-80YSF
2023-02-14 19:20:100 雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 標準電平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半橋配置）-PSMN013-40VLD
2023-02-15 19:52:550 雙 N 溝道 40 V、4.2 mOhm 標準電平 MOSFET，采用 LFPAK56D（半橋配置）-PSMN4R2-40VSH
2023-02-15 19:53:060 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-40H
2023-02-16 21:23:330 LFPAK56D（半橋配置）中的雙 N 溝道 40 V、13 mOhm 邏輯電平 MOSFET-BUK9V13-40H
2023-02-16 21:23:500 采用重復雪崩技術的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、35 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K35-60RA
2023-02-17 19:06:540 采用重復雪崩技術的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、55 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K52-60RA
2023-02-17 19:07:050 采用重復雪崩技術的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 40 V、29 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K25-40RA
2023-02-17 19:07:210 采用重復雪崩技術的 LFPAK56D 中的雙 N 溝道 60 V、12.5 mOhm 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K13-60RA
2023-02-17 19:07:320 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、7.0 mOhm 標準電平 MOSFET-BUK7Y7R0-40H
2023-02-17 19:59:220 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、6.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y6R5-40H
2023-02-20 18:50:590 LFPAK56E 中的 N 溝道 40 V、0.9 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9J0R9-40H
2023-02-20 19:32:070 LFPAK56E 中的 N 溝道 40 V、1.4 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7J1R4-40H
2023-02-21 18:48:430 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.4 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y2R4-40H
2023-02-21 18:48:530 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.9 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y1R9-40H
2023-02-21 18:49:070 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y1R6-40H
2023-02-21 18:49:250 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.4 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y1R4-40H
2023-02-21 18:49:370 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.3 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y1R3-40H
2023-02-21 18:49:560 LFPAK56E 中的 N 溝道 40 V、1.0 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7J1R0-40H
2023-02-21 18:50:140 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y2R8-40H
2023-02-21 19:25:590 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y3R5-40E
2023-02-21 19:27:370 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.5 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y3R5-40H
2023-02-21 19:28:000 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、1.7 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y1R7-40H
2023-02-21 19:28:180 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.0 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y2R0-40H
2023-02-21 19:28:280 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、2.5 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y2R5-40H
2023-02-21 19:28:460 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.0 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y3R0-40H
2023-02-21 19:29:010 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.0 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y3R0-40E
2023-02-21 19:38:060 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、153 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y153-100E
2023-02-21 19:38:260 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y14-80E
2023-02-21 19:38:420 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、7.2 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y7R2-60E
2023-02-21 19:41:160 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y19-100E
2023-02-21 19:41:370 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、4.8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y4R8-60E
2023-02-21 19:44:580 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、22 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y22-100E
2023-02-21 19:45:120 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y19-100E
2023-02-21 19:45:300 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y15-60E
2023-02-21 19:45:460 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y15-100E
2023-02-21 19:46:020 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y12-100E
2023-02-21 19:46:180 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、7.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y7R2-60E
2023-02-21 19:54:181 LFPAK56 中的 N 溝道 40 V、3.5 mΩ 標準電平 MOSFET-BUK7Y3R5-40E
2023-02-22 18:40:510 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、10 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN010-80YL
2023-02-22 18:50:380 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、12 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN012-100YL
2023-02-22 18:50:480 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、13 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN013-60YL
2023-02-22 18:51:070 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、14 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN014-80YL
2023-02-22 18:51:220 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、15 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN015-100YL
2023-02-22 18:51:320 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL
2023-02-22 18:51:500 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL
2023-02-22 18:52:060 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、25 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN025-80YL
2023-02-22 18:52:160 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、4.1 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN4R1-60YL
2023-02-22 18:53:300 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、5.2 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R2-60YL
2023-02-22 18:53:440 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、5.6 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN5R6-60YL
2023-02-22 18:55:070 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN8R0-80YL
2023-02-22 18:55:510 LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、37.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN038-100YL
2023-02-22 19:05:130 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、41 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN041-80YL
2023-02-23 18:39:260 LFPAK56 中的 N 溝道 60 V、7.5 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN7R5-60YL
2023-02-23 18:46:190 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、9 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R7-100YSF
2023-02-23 18:51:500 采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF
2023-02-23 18:52:290 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布擴充 NextPower 80/100 V MOSFET 產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32565 電子發燒友網站提供《NextPower 80 V，3.1 mOhm，160 A，N溝道MOSFET LFPAK56包裝產品數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 16:42:000 電子發燒友網站提供《雙N溝道40 V，13 mOhm邏輯電平MOSFET LFPAK56D（半橋配置）產品數據表.pdf》資料免費下載
2024-01-03 14:31:020
電子發燒友App
工商網監
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