CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
在新一代電力電子技術(shù)領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)因其出色的抗輻射能力和卓越的電氣性能，已成為太空任務(wù)的革命性突破的關(guān)鍵。氮化鎵 (GaN) 技術(shù)已成為天基系統(tǒng)的游戲規(guī)則改變者，與傳統(tǒng)硅 MOSFET 相比，它具有卓越的耐輻射能力和無(wú)與倫比的電氣性能。
2024-02-26 17:23:14
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HMC8205BCHIPS是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，其主要技術(shù)參數(shù)如下：頻率范圍：0.4 GHz至6 GHz輸出功率：在頻率范圍內(nèi)，最大輸出功率為45.5 dBm (相當(dāng)于35 W)功率
2024-02-16 17:33:52
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議
2024-01-11 18:17:32865
請(qǐng)問(wèn)半橋上管氮化鎵這樣的開(kāi)爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來(lái)驅(qū)動(dòng)氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動(dòng)方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動(dòng)電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因?yàn)轵?qū)動(dòng)芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵（GaN）芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由氮化鎵制成。它具有許多優(yōu)越的特性，例如高電子遷移率、高耐壓、高頻特性和低電阻等，這使得它在許多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用的潛力。以下是幾個(gè)氮化鎵芯片的應(yīng)用領(lǐng)域
2024-01-10 10:13:19436 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應(yīng)用前景。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國(guó)防等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢(shì)
2024-01-09 18:06:36294 事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類(lèi)型：封裝分立晶體管封裝類(lèi)別：法蘭盤(pán)、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
Sumitomo 是全球最大的射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件供應(yīng)商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線(xiàn)電和其他應(yīng)用。 功率氮化鎵-用于無(wú)線(xiàn)電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
2023年12月15日，中國(guó)-意法半導(dǎo)體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產(chǎn)品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)最新的生態(tài)設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-12-15 16:44:11462 在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 09:23:06547 
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(yīng)(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
作為一種新型功率器件，GaN 器件在電源的高密小型化方面極具優(yōu)勢(shì)。
2023-12-07 09:44:52777 
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類(lèi)似纖鋅礦，硬度很高。氮化
2023-11-24 11:05:11822 GaN氮化鎵晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn)，與硅晶圓相比在封裝過(guò)程中對(duì)溫度、封裝應(yīng)力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過(guò)程最易出現(xiàn)的問(wèn)題。同時(shí)，GaN產(chǎn)品的高壓特性，也在封裝設(shè)計(jì)過(guò)程對(duì)爬電距離的設(shè)計(jì)要求也與硅基IC有明顯的差異。
2023-11-21 15:22:36333 
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性：氮化鎵（GAN)具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)
2023-11-09 11:43:53434 氮化鎵（GaN）功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上比硅（Si）具有優(yōu)勢(shì)。具有低固有載流子濃度的寬帶隙具有更高的臨界電場(chǎng)，能實(shí)現(xiàn)更薄的漂移層，同時(shí)在較高的擊穿電壓下可以降低導(dǎo)通電阻（Rds（on））。由于
2023-11-06 09:39:293605 
氮化鎵（GaN）被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來(lái)簡(jiǎn)單了解一下，這個(gè)材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
GaN近期為何這么火？如果再有人這么問(wèn)你，你可以這樣回答：因?yàn)槲覀冸x不開(kāi)電源。
2023-11-02 10:32:041265 
渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵（GaN）功率轉(zhuǎn)換解決方案產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的應(yīng)用技術(shù)。已獲得所有必要的監(jiān)管部門(mén)審批，交易結(jié)束后，GaN Systems 已正式成為英飛凌的組成部分。 目前，英飛凌共有 450 名氮化鎵技術(shù)專(zhuān)家和超過(guò) 350 個(gè)氮化鎵技術(shù)專(zhuān)利族。英飛凌表示，公司和 G
2023-10-26 08:43:52206 隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的理論極限，進(jìn)一步發(fā)展只是以緩慢和高成本實(shí)現(xiàn)微小
2023-10-25 16:24:43641 
交割日，GaN Systems現(xiàn)已成為英飛凌的一部分。 英飛凌首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck表示：“氮化鎵技術(shù)為支持脫碳的更節(jié)能、更節(jié)能的二氧化碳解決方案鋪平了道路。收購(gòu)GaN Systems顯著加快了我們的GaN路線(xiàn)圖，并通過(guò)掌握所有相關(guān)功率半導(dǎo)體技術(shù)，進(jìn)一步加強(qiáng)了英飛凌在電源系統(tǒng)
2023-10-25 14:51:13477 10 月 25 日，英飛凌科技股份公司今日宣布完成收購(gòu)氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN Systems，以下同）。這家總部位于加拿大渥太華的公司，為英飛凌帶來(lái)了豐富的氮化鎵 (GaN) 功率轉(zhuǎn)換解決方案
2023-10-25 11:38:30189 
隨著各大手機(jī)和筆記本電腦品牌紛紛進(jìn)入氮化鎵快充市場(chǎng)，氮化鎵功率器件的性能得到進(jìn)一步驗(yàn)證，同時(shí)也加速了氮化鎵技術(shù)在快充市場(chǎng)的普及。目前，快充源市場(chǎng)上氮化鎵主要以三種形式使用，即GaN單管功率器件、內(nèi)置驅(qū)動(dòng)器的GaN功率芯片以及內(nèi)置控制器、驅(qū)動(dòng)器和GaN功率器件的封裝芯片。其中，GaN單管功率器件發(fā)展最快
2023-10-23 16:38:59292 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而在這些設(shè)備中，電源是一個(gè)非常重要的部件。近年來(lái)，氮化鎵（GaN）材料在電源領(lǐng)域的應(yīng)用逐漸受到關(guān)注，成為推動(dòng)新型電源解決方案的重要力量。
2023-10-20 16:41:43229 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，電力電子設(shè)備的應(yīng)用越來(lái)越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發(fā)揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電子設(shè)備中的應(yīng)用，以及氮化鎵解決方案如何實(shí)現(xiàn)更高的能效。
2023-10-13 16:02:05344 
氮化鎵（GaN）是電力電子行業(yè)的一個(gè)熱門(mén)話(huà)題，因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)80Plus鈦電源、3.8 kW/L電動(dòng)汽車(chē)（EV）車(chē)載充電器和電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電站等設(shè)計(jì)。在許多特定的應(yīng)用中，GaN已經(jīng)取代了傳統(tǒng)
2023-10-13 15:25:33355 
全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商GaN Systems 今推出全新第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標(biāo)竿，更提供顯著的性能表現(xiàn)優(yōu)化及業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit)。
2023-10-08 17:22:52262 在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學(xué)、規(guī)范的測(cè)試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:23476 
干貨 | 氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
2023-09-27 16:13:56484 
15年左右行業(yè)內(nèi)開(kāi)始掀起風(fēng)磁編碼器替代光電編碼器，而且在22年的時(shí)候國(guó)內(nèi)幾家磁編發(fā)展迅速取得了很大的成績(jī)，可是23年開(kāi)始隨著光電編碼成本的下調(diào)技術(shù)的革新，又有客戶(hù)回歸到用光電的技術(shù)。
是不是現(xiàn)在達(dá)到一個(gè)平衡點(diǎn)了？還是說(shuō)磁編還有突破的空間？
2023-09-26 13:03:43
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)?，效率在開(kāi)關(guān)頻率超過(guò) 250 kHz 時(shí)也會(huì)受到影響。 而增強(qiáng)型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
的功率型分立器件針對(duì)軟開(kāi)關(guān)諧振和硬開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應(yīng)用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應(yīng)用提供更緊湊的電源設(shè)計(jì)。意法半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案可以使用專(zhuān)用的評(píng)估板、參考設(shè)計(jì)、技術(shù)文檔和eDesignSuite軟件配置器和設(shè)計(jì)工具來(lái)實(shí)現(xiàn)
2023-09-06 07:44:16
在競(jìng)爭(zhēng)激烈的當(dāng)今市場(chǎng)中，可再生能源、儲(chǔ)能、電源適配器、電源充電器和數(shù)據(jù)處理應(yīng)用需要具有更高功率密度的低成本、高效率解決方案來(lái)提高性能，以滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的電信、汽車(chē)、醫(yī)療保健和航空航天行業(yè)的需求。氮化鎵
2023-09-06 06:38:52
功率器件在工業(yè)應(yīng)用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應(yīng)用和總結(jié)八個(gè)部分。
2023-09-05 06:13:28
華為Mate60系列手機(jī)在近期在華為商城上架并全面開(kāi)售，掀起了手機(jī)行業(yè)的熱潮。
2023-09-04 14:42:27884 氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料
?氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，是研制微電子器件、光電子器件的新型材料
2023-09-04 10:16:40541 
開(kāi)關(guān)電源紋波波形? 開(kāi)關(guān)電源紋波波形是在開(kāi)關(guān)電源輸出端出現(xiàn)的交流紋波電壓，通常在直流電壓上疊加的一種電壓波形。這種波形會(huì)對(duì)電路的正常工作產(chǎn)生嚴(yán)重的干擾，因此對(duì)電源的輸出紋波進(jìn)行有效的抑制是非
2023-08-29 10:38:491410 的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類(lèi)型的損耗：傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。 功率晶體管是開(kāi)關(guān)電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術(shù)）的開(kāi)發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關(guān)注。
2023-08-28 17:03:082026 
生長(zhǎng)氮化鎵薄膜，形成GaN基礎(chǔ)器件的結(jié)構(gòu)。由于氮化鎵材料的性質(zhì)優(yōu)良，GaN技術(shù)被廣泛應(yīng)用于LED、高頻功率放大器、射頻器件等領(lǐng)域。
2023-08-22 15:17:312375 氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產(chǎn)品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料。 當(dāng)用于電源時(shí)，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
氮化鎵電源方案功率通常達(dá)到65W、100W、120W等，氮化鎵功率器件生產(chǎn)商英諾賽科推出INN650D260A氮化鎵200w電源方案設(shè)計(jì)3C+2A多口輸出。英諾賽科INN650D260A氮化
2023-08-08 21:28:181273 
解決方案帶來(lái)了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項(xiàng)技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運(yùn)用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點(diǎn) 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28225 。安世博能源科技為電源行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商，擁有完整電源供應(yīng)器、電動(dòng)車(chē)充電模塊及車(chē)載充電器產(chǎn)品解決方案。結(jié)合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車(chē)用領(lǐng)域所累積的應(yīng)用實(shí)績(jī)，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國(guó)電動(dòng)車(chē)行業(yè)
2023-08-03 09:52:19253 
氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個(gè) 100MW 數(shù)據(jù)中心節(jié)約多達(dá) 700 萬(wàn)美元的能源成本。
2023-08-01 09:32:001330 
相對(duì)于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時(shí)產(chǎn)生的熱量較少，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導(dǎo)率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對(duì)于傳統(tǒng)的硅電源會(huì)產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:233602 友尚基于ST產(chǎn)品的GaN電源轉(zhuǎn)換器方案的實(shí)體圖 近年來(lái)，以氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料在消費(fèi)電子領(lǐng)域的滲透率不斷提升，其能夠以高能效和高功率密度實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換，在快充時(shí)代備受歡迎。針對(duì)此趨勢(shì)，大聯(lián)大友尚基于ST ViperGaN50器件推出了GaN電源轉(zhuǎn)換器方案，能夠優(yōu)化電
2023-07-20 18:05:06499 
鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。
2023-07-13 15:34:27410 
作為電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)之一，基于GaN的電能轉(zhuǎn)換技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用，這對(duì)提高電能的高效利用及實(shí)現(xiàn)節(jié)能減排起著關(guān)鍵作用。
2023-06-29 10:17:12481 
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒(méi)有經(jīng)過(guò)驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場(chǎng)對(duì)更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿(mǎn)足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開(kāi)關(guān)性能，有助消除死區(qū)時(shí)間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN功率集成電路技術(shù):過(guò)去，現(xiàn)在和未來(lái)
2023-06-21 07:19:58
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應(yīng)用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導(dǎo)體帶來(lái)AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應(yīng)用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
GaN技術(shù)實(shí)現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57
前言
橙果電子是一家專(zhuān)業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標(biāo)準(zhǔn)無(wú)塵生產(chǎn)車(chē)間，為客戶(hù)進(jìn)行一站式服務(wù)。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
電機(jī)逆變器功率開(kāi)關(guān)的比較電機(jī)逆變器:三相拓?fù)?IGBT:行業(yè)“主力”開(kāi)關(guān)速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開(kāi)關(guān)，更好?氮化鎵:幾乎沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗
2023-06-16 11:31:56
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴(lài)于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱(chēng)為 GaN，是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，越來(lái)越多地用于高電壓應(yīng)用。這些應(yīng)用需要具有更大
2023-06-16 10:51:097122 納維半導(dǎo)體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應(yīng)用示例：高密度手機(jī)充電器?應(yīng)用實(shí)例：高性能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器?應(yīng)用示例；高功率開(kāi)關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過(guò)SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實(shí)現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動(dòng)、控制和保護(hù)集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
氮化鎵(GaN)是一種“寬禁帶”(WBG)材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離出來(lái)所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4ev，是硅的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
硅的禁帶寬
2023-06-15 15:53:16
(86) ，因此在正常體溫下，它會(huì)在人的手中融化。
又過(guò)了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀(jì)60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術(shù)才得以出現(xiàn)。作為一種化合物，氮化鎵的熔點(diǎn)超過(guò)1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因?yàn)樗c傳統(tǒng)的硅技術(shù)相比，不僅性能優(yōu)異，應(yīng)用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發(fā)和應(yīng)用中，傳統(tǒng)硅器件在能量轉(zhuǎn)換方面，已經(jīng)達(dá)到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
的 3 倍多，所以說(shuō)氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場(chǎng)。氮化鎵比傳統(tǒng)硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細(xì)窄的耗盡區(qū)，從而可以開(kāi)發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開(kāi)關(guān)電路準(zhǔn)諧振反激式帶來(lái)了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢(shì)。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開(kāi)關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更?。篏aNFast? 功率芯片，可實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設(shè)計(jì)使其非常
2023-06-15 15:32:41
，是氮化鎵功率芯片發(fā)展的關(guān)鍵人物。
首席技術(shù)官 Dan Kinzer在他長(zhǎng)達(dá) 30 年的職業(yè)生涯中，長(zhǎng)期擔(dān)任副總裁及更高級(jí)別的管理職位，并領(lǐng)導(dǎo)研發(fā)工作。他在硅、碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個(gè)氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進(jìn)的電源轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從學(xué)術(shù)概念和理論達(dá)到
2023-06-15 14:17:56
大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器或電信交換站使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達(dá)到其理論極限。同時(shí)，近來(lái)氮化鎵(GaN
2023-06-12 10:53:287386 
對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽(tīng)得太多了。
2023-06-12 10:17:171813 
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
2023-06-02 16:41:13330 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)[氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)
2023-05-17 10:19:13832 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330 
、筆記本電腦、路由器等數(shù)碼產(chǎn)品中?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵功率器件，研發(fā)出的快充電源方案，可以為手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦等提供更高的充電功率，極大提升充電體驗(yàn)。本文介紹了一款65W氮化鎵（1A2C） PD快充電源方案，該方案采用功成半導(dǎo)體最新
2023-04-21 11:00:201613 
65W快充是目前快充市場(chǎng)出貨的主流規(guī)格；氮化鎵具有高可靠性，能夠承受短時(shí)間過(guò)壓；將GaN用于充電器的整流管后，能降低開(kāi)關(guān)損耗和驅(qū)動(dòng)損耗，提升開(kāi)關(guān)頻率，附帶地降低廢熱的產(chǎn)生，進(jìn)而減小元器件的體積同時(shí)能提高效率。
2023-04-20 09:40:201226 
氮化鎵正取代硅，越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴(lài)于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。 ? 氮化鎵技術(shù)，通常稱(chēng)為 GaN，是一種
2023-04-19 17:23:01934 來(lái)源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴(lài)于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù)，通常稱(chēng)為 GaN
2023-04-19 16:30:00224 愛(ài)美雅）將隆重推出M版多協(xié)議兼容65W氮化鎵快充頭方案，目前已與國(guó)內(nèi)通信龍頭及國(guó)內(nèi)一線(xiàn)零售品牌建立了合作關(guān)系，未來(lái)這款2C1A的氮化鎵GaN快充頭將卷入65W及45W以下的多口充電需求。
2023-04-11 16:21:36557 
1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A，內(nèi)置MGZ31N65-650V氮化鎵開(kāi)關(guān)管；采用PD3.0協(xié)議IC。
2023-04-07 09:37:16570 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“GaN”）功率開(kāi)關(guān)。之前我們簡(jiǎn)單介紹過(guò)氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)
2023-04-03 11:12:17553 
應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開(kāi)關(guān)電源特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)（6V DRV）? 集成高壓?jiǎn)?dòng)（700V）? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:31:57
靈活應(yīng)對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景。2. 應(yīng)用領(lǐng)域? 適配器? 充電器? AC-DC 開(kāi)關(guān)電源. 特性? 集成氮化鎵直接驅(qū)動(dòng)（6V DRV）? 集成高壓?jiǎn)?dòng)（700V）? 集成高壓 BROWN-IN &
2023-03-28 10:24:46
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