電路和系統(tǒng)。
DC-DC30V降壓24V、12V、5V、3.3V/1A H4110降壓穩(wěn)壓芯片
產(chǎn)品描述
H4110是一種內(nèi)置30V耐壓MOS，并且能夠?qū)崿F(xiàn)精確恒壓以及恒流的異步降壓型 DC-DC
2024-03-19 10:28:19
來作為對外部存儲器的尋址地址 FSMC_A[24:0]，相當(dāng)于右移了一位，在后面我們設(shè)置 A10 地址的時候就要使用到。無論外部存儲器的寬度為 16 位還是 8 位， FSMC_A[0] 都應(yīng)連接
2024-03-15 15:53:42
讀寫等操作。異步語法是一種編程語言的特性，允許程序在執(zhí)行某些操作時不必等待其完成，而是可以繼續(xù)執(zhí)行其他操作。
Promise是一種用于處理異步操作的對象，可以將異步操作轉(zhuǎn)換為類似于同步操作的風(fēng)格，以方
2024-03-07 15:46:31
存儲芯片是一種用于存儲數(shù)據(jù)的集成電路芯片，也被稱為存儲器芯片。
2024-02-29 09:09:22
394 英飛凌科技旗下的Infineon Technologies LLC Memory Solution近日宣布，擴(kuò)展其集成嵌入式糾錯碼（ECC）的抗輻射異步靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（RAM）產(chǎn)品線。這款新產(chǎn)品的設(shè)計(jì)初衷是為了滿足航空和其他極端環(huán)境中的高性能計(jì)算需求。
2024-01-24 17:11:39358 KIT_A2G_TC375_LITE和KIT_A2G_TC375_ARD_SB，在功能上有啥區(qū)別，做域控開發(fā)，都帶燒錄和仿真器嗎
2024-01-24 08:27:51
，以滿足特定市場的需求。
技術(shù)創(chuàng)新：國產(chǎn)芯片制造商在技術(shù)創(chuàng)新方面也在不斷努力,并致力于研發(fā)新的降壓芯片技術(shù)，提高性能、效率和穩(wěn)定性，以滿足不斷發(fā)展的電子設(shè)備需求。
惠海H6211S 國產(chǎn)恒壓芯片具有外圍
2024-01-22 17:46:38
邏輯芯片和存儲芯片是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中兩種不同類型的芯片，它們在功能和用途上有著明顯的區(qū)別。
2024-01-17 18:26:26478 支持寬電壓輸入的開關(guān)降壓型DC-DC，芯片內(nèi)置100V/5A功率MOS，最高輸入電壓90V。SL3036具有低待機(jī)功耗、高效率、低紋波、優(yōu)異的母線電壓調(diào)整率和負(fù)載調(diào)整率等特性。支持大電流輸出，輸出電流
2024-01-16 17:23:43
DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計(jì)約占整體存儲器芯片市場的97%;自2022年初起，下游需求市場的萎縮以及宏觀環(huán)境進(jìn)一步惡化導(dǎo)致存儲芯片市場不斷承壓，存儲芯片價格持續(xù)下滑
2024-01-14 09:47:101059 
異步整流主要由一個高邊MOS管和一個續(xù)流二極管構(gòu)成。這種整流方式之所以被稱為異步，是因?yàn)槠淅m(xù)流過程是自然發(fā)生的，與同步整流相比，它具有不同的工作原理。 對于同步降壓電路的構(gòu)造，它相當(dāng)于一個柵極
2024-01-12 15:26:13226 
作電動機(jī)運(yùn)行的異步電機(jī)。因其轉(zhuǎn)子繞組電流是感應(yīng)產(chǎn)生的，又稱感應(yīng)電動機(jī)。異步電動機(jī)是各類電動機(jī)中應(yīng)用最廣、需要量最大的一種。各國的以電為動力的機(jī)械中，約有90%左右為異步電動機(jī)，其中小型異步電動機(jī)約占
2024-01-09 08:36:42156 
需要恒轉(zhuǎn)矩拖動一負(fù)載，并且要滿足零速滿負(fù)荷（轉(zhuǎn)矩），擬采用S120 + 1PH8電機(jī)，選型時候看到1PH8有同步和異步兩種，我這種需求應(yīng)該選擇同步還是異步電機(jī)？ 在能實(shí)現(xiàn)零速滿轉(zhuǎn)矩情況下哪種方式性價比高些？
2024-01-09 06:40:37
與SDNAND芯片其實(shí)并沒有直接關(guān)系，但它提供了更好的電性、機(jī)械性和熱性能，因而被廣泛應(yīng)用于存儲芯片、微處理器、芯片組等器件中。
在SDNAND芯片的應(yīng)用中，LGA-8封裝的優(yōu)點(diǎn)包括：
更好的電性能
2024-01-05 17:54:39
前言大家好，我們一般在STM32項(xiàng)目開發(fā)中或者在其他嵌入式開發(fā)中，經(jīng)常會用到存儲芯片存儲數(shù)據(jù)。今天我和大家來介紹一款存儲芯片，我這里采用（雷龍）CS創(chuàng)世SDNAND。SDNAND介紹
2024-01-05 17:53:01603 
DRAM芯片全稱是動態(tài)隨機(jī)存儲器，是一種隨機(jī)存儲器（RAM），與CPU直接交換數(shù)據(jù)，可隨時讀寫且速度快，斷電后存儲數(shù)據(jù)丟失，是易失性存儲器，也就是俗稱的“內(nèi)存”。
2023-12-26 12:25:561003 
從存儲芯片的市場表現(xiàn)來看，兩大類別DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）與NAND Flash（閃存存儲器）目前的價格較今年谷底都出現(xiàn)了上漲。
2023-12-19 15:19:32136 同步計(jì)數(shù)器和異步計(jì)數(shù)器的區(qū)別詳解 同步計(jì)數(shù)器和異步計(jì)數(shù)器是數(shù)字電路中兩種常見的計(jì)數(shù)器類型，它們在實(shí)現(xiàn)方式和功能上存在明顯的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹同步計(jì)數(shù)器和異步計(jì)數(shù)器的區(qū)別，包括其工作原理、特點(diǎn)
2023-12-13 14:54:241717 異步 DCDC 中的自舉電容 下面，我們通過一幅圖來看一下，對于異步 DCDC 芯片，它的自舉電容的充電回路是怎么樣的，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">異步 DCDC 沒有低邊的 MOS管，它的續(xù)流是靠外部設(shè)計(jì)一個肖特基二極管
2023-11-20 16:43:58207 
什么是同步邏輯和異步邏輯？同步電路與異步電路有何區(qū)別？ 同步邏輯和異步邏輯是計(jì)算機(jī)科學(xué)中的兩種不同的邏輯設(shè)計(jì)方法。它們分別用于描述數(shù)字電路中信號的傳輸和處理方式。同步邏輯是指電路中的各個組件
2023-11-17 14:16:031003 20世紀(jì)70 年代到 90年代中期，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 (Dynamic Random Access Memory ，DRAM) 采用的是異步接口，這樣它可以隨時響應(yīng)控制輸入信號的變化從而直接影響
2023-11-17 09:26:27378 嵌入式壞塊管理和更強(qiáng)的嵌入式ECC。即使在異常斷電，它仍然可以安全地保存數(shù)據(jù)。作為一個存儲芯片，它確實(shí)做到了小巧，LGA-8的封裝對比我之前用到過的TF卡，只占到了其面積的三分之一，這樣對于一些嵌入式
2023-11-15 18:07:57
根據(jù)貿(mào)易部周二公布的數(shù)據(jù)，存儲芯片出口同比增長1%，較9月份下滑了18%。多芯片封裝產(chǎn)品引領(lǐng)了反彈，增長了12.2%，而利潤豐厚的動態(tài)隨機(jī)存取存儲器的銷售額首次收窄至個位數(shù)。
2023-11-15 17:37:26719 經(jīng)歷漫長的下行周期之后，存儲芯片市場價格止跌，部分型號存儲芯片價格出現(xiàn)反彈，該行業(yè)的疲軟需求可能終于觸底。
2023-11-14 10:47:57617 負(fù)載常見的三種形式在屬性和功能上有什么不同？ 在計(jì)算機(jī)科學(xué)中，負(fù)載（Load）是指一個系統(tǒng)或設(shè)備正在承受的工作量或任務(wù)量。常見的負(fù)載形式主要包括計(jì)算負(fù)載、網(wǎng)絡(luò)負(fù)載和存儲負(fù)載。這三種形式在屬性和功能上
2023-11-13 16:04:30543 MOS管和三極管在功能上有什么區(qū)別？這兩種元件本身就可以看作一個基本單元，一個獨(dú)立的器件，就算拆開外殼，用肉眼也找不出什么差別，從工作原理上理解又謷牙詰屈，這次從一個簡單的觸摸燈電路來感受一下二者功能上的區(qū)別。
2023-11-13 15:57:28424 
交流異步電機(jī)的異步是怎么來的？交流異步電動機(jī)的工作原理 異步電機(jī)的“異步”一詞來源于電機(jī)轉(zhuǎn)速與旋轉(zhuǎn)磁場的同步性不強(qiáng)。交流異步電動機(jī)是一種將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能的設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各個領(lǐng)域，如工業(yè)、商業(yè)
2023-11-06 11:32:10863 美國消費(fèi)者新聞與商業(yè)頻道分析，這意味存儲芯片市場可能觸底回升。按這家媒體說法，三星電子是全球最大的動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片制造商。這家企業(yè)生產(chǎn)的存儲芯片廣泛應(yīng)用于智能手機(jī)和電腦等設(shè)備。
2023-11-02 16:57:57530 工控開發(fā)用什么芯片合適？功能上需要USB外接U盤讀取資料、光纖接口、屏幕、鍵盤、近接開關(guān)、芯片需要有芯片存儲16M左右、等
2023-10-27 07:57:38
單片機(jī)使用的只有一個引腳了，可以加存儲芯片么。
2023-10-25 07:03:36
kHz 固定開關(guān)頻率
內(nèi)置補(bǔ)償，便于使用
占空比高達(dá) 92%
FB 端 0.8V 參考電壓
9μA 關(guān)斷電流
內(nèi)置短路保護(hù)功能
過溫保護(hù)功能
采用 ESOP-8 封裝
應(yīng)用程序
家用電器、動力和園藝工具
2023-10-23 15:03:33
是一款 USB3.2 Gen1X1接口的 的 4 口 口 HUB控制器 芯片， 片成 上集成 32
位 微處理器， 它具有低功耗 、 高性能 、 可配置 等特點(diǎn) ；芯片 集成 USB3.0高速物
理層
2023-10-20 18:20:58
簡單的一種，其特點(diǎn)是輸入和輸出都與時鐘信號同步，當(dāng)時鐘到來時，數(shù)據(jù)總是處于穩(wěn)定狀態(tài)，因此容易實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的傳輸和存儲。 而異步FIFO則是在波形的上升沿和下降沿上進(jìn)行處理，在輸入輸出端口處分別增加輸入和輸出指針，用于管理數(shù)據(jù)的讀寫。異步FIFO的輸入和輸出可同時進(jìn)行，中間可以
2023-10-18 15:23:58786 固定振蕩器頻率：340 KHz（Typ）
?內(nèi)部軟啟動功能（SS）
?內(nèi)置P-MOSFET，用于2A輸出加載?過電流保護(hù)
?包： SOP-8L
2023-10-18 12:12:40
MT53E512M32D1ZW-046 WT:B ，MICRON/美光，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 16Gb低VDDQ移動低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4X）是一種高速CMOS
2023-10-16 15:48:28
單片機(jī)存儲芯片用什么好?
2023-10-16 07:36:49
高速風(fēng)筒方案功能描述
方案： KOF01+LDO + CMS6D220+6 MOS
輸入電壓： 310Vdc
輸入功率： 10W - 120W
電機(jī)轉(zhuǎn)速：110000RPM（電轉(zhuǎn)速可達(dá)
2023-10-14 14:03:45
根據(jù)專利摘要，本申請公開了從一對接收第一個輸入數(shù)據(jù)字符串的異步樣本架構(gòu)（100）和芯片，異步樣本架構(gòu)包括：第1寄存器（102）用于緩存第一個輸入數(shù)據(jù)字符串，第一個輸入數(shù)據(jù)字符串（d1）被記錄在第一個寄存器中，該寄存器位于兩端的時鐘。
2023-10-13 09:54:36315 
B-F446E-96B01A 使用了基于 Cortex-M4 內(nèi)核的 STM32F446VET6 的 32 位處理器，此款芯片含有豐富的外設(shè)資源，本次主要是介紹他的串口模塊。它含有四個 USART
2023-10-13 06:32:17
@EnableAsync 注解啟用異步功能； 需要在異步方法上添加 @Async 注解。 示例代碼如下： @SpringBootApplication @EnableAsync public class Applicat
2023-09-30 10:32:00447 籠型異步電動機(jī)反接制動是的限制電阻應(yīng)設(shè)置多大阻值，怎么設(shè)置，根據(jù)什么，有什么公式嗎
2023-09-26 10:46:54
3/application-context-stage-0000001427744560-V3#ZH-CN_TOPIC_0000001574128741__%E8%8E%B7%E5%8F%96%E5%BA%94%E7%94%A8%E5%BC%80%E5%8
2023-09-22 17:35:01
功能
? 集成40mΩ高邊MOSFET
? 低壓差操作：最大占空比為100%
? 使用外部低側(cè)MOSFET或二極管
支持同步和異步降壓
? 作為C型負(fù)載開關(guān)的N-MOSFET控制
? 輸入大容量放電
2023-09-18 08:57:13
讀取雙/四I/O時，雙I/O的等效時鐘頻率為208 MHz(104 MHz X 2)，四I/O的等效時鐘頻率為320 MHz(80 MHz X 4)。
這些傳輸速率可以超過標(biāo)準(zhǔn)的8位和16位并行閃存
2023-09-15 08:11:20
，使用快速讀取雙/四I/O時，雙I/O的等效時鐘頻率為208 MHz(104 MHz X 2)，四I/O的等效時鐘頻率為320 MHz(80 MHz X 4)。
這些傳輸速率可以超過標(biāo)準(zhǔn)的8位和16位并行
2023-09-15 06:00:05
CW32F020 是基于 eFlash 的單芯片微控制器，集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲器（多至 32K 字節(jié) FLASH 和多至 8K 字節(jié)
2023-09-14 08:14:31
CW32F003x3/x4 是基于 eFlash 的單芯片微控制器，集成了主頻高達(dá) 48MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲器（多至 20K 字節(jié) FLASH 和多至
2023-09-14 08:05:00
CW32F030x6/x8 是基于 eFlash 的單芯片微控制器，集成了主頻高達(dá) 64MHz 的 ARM? Cortex?-M0+ 內(nèi)核、高速嵌入式存儲器（多至 64K 字節(jié) FLASH 和多至
2023-09-14 07:19:09
CW32F030x6/x8是一款基于eFlash的單芯片微控制器，集成了ARM?Cortex?-M0+內(nèi)核
主頻率高達(dá)64MHz，高速嵌入式存儲器（高達(dá)64K字節(jié)的FLASH和高達(dá)
8K字節(jié)
2023-09-14 07:03:34
Gbyte)、16或32位LPDDR2/LPDDR3或DDR3/DDR3L高達(dá)533 MHz的外部存儲器。
STM32MP151A/D器件集成了708千字節(jié)內(nèi)部SRAM的高速嵌入式存儲器(包括256
2023-09-13 07:23:32
STM32G431x6/x8/xB器件基于高性能ARM?Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核。
它們的工作頻率高達(dá)170兆赫。
Cortex-M4內(nèi)核采用單精度浮點(diǎn)單元(FPU)，支持所有ARM
2023-09-13 06:03:29
來源：電子工程專輯 編輯：感知芯視界 過去近兩年來，受消費(fèi)電子市場需求疲軟等因素影響，存儲芯片產(chǎn)業(yè)游進(jìn)入庫存過剩、訂單減少、價格暴跌的“寒冬”。三星、美光、SK海力士、鎧俠等存儲芯片大廠紛紛減產(chǎn)
2023-09-08 10:36:16442 內(nèi)建影像擷取模塊，傳輸接口支持 CCIR656 與 CCIR601和多種不同的數(shù)據(jù)格式，內(nèi)建硬件二值化 1 位亮度計(jì)算以降低內(nèi)部存儲器的使用，還有硬件縮小功能，在影像縮小功能上執(zhí)行更加快速。當(dāng)
2023-08-25 08:42:26
PL8311是寶礫微電子推出的一款36V，1.5A單片式降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器。 PL8311集成了36V 250mΩ高側(cè)和36V，140mΩ低側(cè)MOSFET，可在4.5V至36V寬工作輸入電壓范圍內(nèi)提供
2023-08-23 17:07:49
異步橋遵循以下時序準(zhǔn)則。
這些數(shù)字與每個功能允許的時鐘周期百分比有關(guān)：
·在時鐘上升沿之前，AXI輸入必須有效40%。
·AXI輸出應(yīng)在時鐘上升沿后20%有效。
·組合路徑占用的時鐘周期不超過9
2023-08-21 06:48:32
子系統(tǒng)。
Musca-A測試芯片和SSE-200使設(shè)計(jì)和開發(fā)低功耗、安全的物聯(lián)網(wǎng)終端成為可能。
Musca-A測試芯片具有兩個Cortex-M33處理器、一個存儲系統(tǒng)和傳感器接口。
Musca-A板支持在
2023-08-18 06:31:54
限度地減少了多達(dá)6個外部元件數(shù)量。誤差放大器的非反相輸入端連接到一個0.6V的精確的參考電壓，內(nèi)部軟啟動功能，可以減少浪涌電流。FP6298是可供選擇的SOP-8L封裝（EP）。
可調(diào)輸出高達(dá)9V，內(nèi)部固定
2023-08-16 11:42:52
請簡述同步復(fù)位與異步復(fù)位的區(qū)別，說明兩種復(fù)位方式的優(yōu)缺點(diǎn)，并解釋“異步復(fù)位，同步釋放”。
2023-08-14 11:49:353408 ai芯片和存儲芯片的區(qū)別 人工智能（AI）技術(shù)在當(dāng)今的數(shù)字時代中扮演著重要角色，而AI芯片和存儲芯片則是支撐這一技術(shù)系統(tǒng)的細(xì)胞。盡管它們似乎很相似，但它們在實(shí)際應(yīng)用中具有不同的功能和優(yōu)勢。在本文
2023-08-09 11:38:032064 存儲芯片是半導(dǎo)體行業(yè)中非常重要的一類產(chǎn)品，我們?nèi)粘Ｋ械碾娮釉O(shè)備基本都會用到存儲器。據(jù)WSTS預(yù)測，2023年全球存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)到1675億美元，占比約30%；其中中國存儲器市場空間巨大，預(yù)計(jì)2023年國內(nèi)存儲芯片市場規(guī)模將達(dá)到6492億元(約942億美元)，約占全球市場的55.8%。
2023-07-07 10:27:267408 
存儲芯片庫存過剩、客戶削減訂單、產(chǎn)品價格暴跌，上千億美元的存儲芯片市場正在經(jīng)歷艱難時刻。雖然消費(fèi)市場需求還未復(fù)蘇，其他應(yīng)用領(lǐng)域卻蘊(yùn)藏著機(jī)遇，比如數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器以及汽車應(yīng)用。 存儲芯片在汽車
2023-07-03 17:09:34619 
總?cè)萘績H256KB，ADC 不支持DMA。 功能●Royalty Free內(nèi)核Core:- 32位青稞RISC-V處理器WCH RISC-V4A-支持RV32IMAC指令集，硬件乘法和除法-低功耗兩級
2023-06-20 15:59:05
存儲芯片之所以重要，是因?yàn)樗怯?jì)算機(jī)系統(tǒng)中數(shù)據(jù)的主要存儲介質(zhì)，承擔(dān)著臨時保存和長期存儲數(shù)據(jù)的功能。
2023-06-19 16:51:035638 IU5365E是一款異步降壓型鉛酸電池充電管理IC。集成功率MOS，具有最大3A的充電電流能力，充電電流可以通過外部電阻靈活可調(diào)。IU5365E通過設(shè)置合適的外圍電阻，具有對電池的NTC保護(hù)功能
2023-06-17 20:59:42
RTC1x RTC座，適配紐扣電池ML2032（3V可充）、CR2032（3V不可充）
Ethernet1x MII ETH，RJ45接口，10/100M自適應(yīng)
1x RGMII ETH，RJ45接口，10
2023-06-15 10:20:50
存儲芯片，也叫存儲器，是用來存儲程序和各種數(shù)據(jù)信息的記憶部件。
2023-06-09 11:05:381012 
器，定時器可組合超過24路PWM獨(dú)立通道，同時還擴(kuò)展了1個采樣率高達(dá)2Msps的12位16通道高速ADC，幾乎所有I/O口可容忍5V輸入信
號，且具有多種端口重映射，超越業(yè)界同級USB OTG芯片
2023-06-08 16:10:08
安防監(jiān)控設(shè)備存儲芯片用底部填充膠由漢思新材料提供經(jīng)過客戶電話了解情況：客戶用膠產(chǎn)品是安防監(jiān)控設(shè)備主板上8顆存儲芯片+1顆處理器芯片存儲芯片規(guī)格：長寬高10.5*8.0*1.1mmBGA錫球數(shù)78
2023-06-08 09:33:39573 
19.3. 異步隨機(jī)搜索? Colab [火炬]在 Colab 中打開筆記本 Colab [mxnet] Open the notebook in Colab Colab [jax
2023-06-05 15:44:45371 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PyTorch教程19.3之異步隨機(jī)搜索.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-06-05 10:43:44
0 存儲芯片是指集成電路中用來存儲數(shù)據(jù)的芯片，它可以存儲數(shù)字信號，包括二進(jìn)制碼、字符、圖像、聲音等信息。存儲芯片廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品中，如計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、音響、電視等。存儲芯片是電子信息技術(shù)中的重要組成部分，它直接影響著電子產(chǎn)品的性能和功能。
2023-06-02 09:24:158476 使用國產(chǎn)鐵電存儲芯片PB85RS2MC是一種最理想的選擇。該芯片不但在功能上正好滿足上述要求，而且憑借獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)性能是其它存儲器都無法達(dá)到的。
2023-06-01 10:59:48187 
Everspin型號MR0A16A容量為1Mbit的MRAM存儲芯片，組織為16位的65536個字。提供與SRAM兼容的35ns讀/寫時序，續(xù)航時間無限制。數(shù)據(jù)在20年以上的時間內(nèi)始終是非易失性的。
2023-05-31 17:23:08403 賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過斷言芯片使能（CE）和寫入使能（WE）輸入LOW來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入，同時在I/O0到I/O15上提供數(shù)據(jù)，在A0到A17引腳上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388 全雙工異步通信，具有傳輸距離遠(yuǎn)、成本低、可靠性高等優(yōu)點(diǎn)。一般UART由專用芯片來實(shí)現(xiàn)，但專用芯片引腳都較多，內(nèi)含許多輔助功能，在實(shí)際使用時往往只需要用到UART的基本功能，使用專用芯片會造成資源浪費(fèi)和成本
2023-05-29 15:05:02303 異步電機(jī)為什么叫異步電機(jī) 異步電動機(jī)又稱感應(yīng)電動機(jī)，是由氣隙旋轉(zhuǎn)磁場與轉(zhuǎn)子繞組感應(yīng)電流相互作用產(chǎn)生電磁轉(zhuǎn)矩，從而實(shí)現(xiàn)機(jī)電能量轉(zhuǎn)換為機(jī)械能量的一種交流電機(jī)。 三相異步電機(jī)主要用作電動機(jī)，拖動各種生產(chǎn)
2023-05-25 16:54:41835 、電路中，何時采用同步或異步，取決于設(shè)計(jì)者，取決于當(dāng)前設(shè)計(jì)電路的需要。一般而言：高速邏輯應(yīng)該采用同步復(fù)位，低速邏輯可以采用異步復(fù)位；涉及人機(jī)交互的復(fù)位，適合異步復(fù)位；涉及機(jī)器之間的握手交互，應(yīng)該采用
2023-05-22 17:33:12
連接器）接口進(jìn)行通信，支持多板級聯(lián)，模塊為100%國產(chǎn)化設(shè)計(jì)（同時也兼容進(jìn)口器件）。FPGA芯片可選上海復(fù)旦微或深圳國微的V7-690T，兩組DDR3的存儲容量分別可配置為2~4GByte。板載有1個
2023-05-21 18:27:41
EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計(jì)和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
請問一下proteus和protel軟件在仿真功能上的差別在什么地方？就是說他們在仿真上有沒有各自的什么側(cè)重點(diǎn)？哪個的功能強(qiáng)些？
2023-04-26 15:43:25
IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異
2023-04-21 08:31:29
單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還具有一組DSP指令和提高應(yīng)用安全性的一個存儲器保護(hù)單元(MPU)。NS32F407XX 器件集成了高速嵌入式存儲器( Flash存儲器和 SRAM的容量分別高達(dá) 1M
2023-04-19 21:13:57
通過websocket發(fā)送異步數(shù)據(jù)時遇到問題。程序可以在這里找到：https://github.com/m5it/es??p-kos-bridge/tree/v0.4b1問題是1分鐘左右發(fā)送失敗
2023-04-13 07:39:13
S32G399A M7-0軟件可以訪問SRAM區(qū)域3400000~349FFFFF，但是不能訪問SRAM區(qū)域34A00000~353FFFFF，為什么？
2023-04-11 07:48:58
/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:26:28
我非常需要有關(guān) SRAM - SEMC 中異步模式工作邏輯的信息。我無法從 RM 獲得所需的相關(guān)信息。你能請口頭定義或文件嗎？只有下面的圖片能夠給我一些見解。 我只是想決定在我的場景中是應(yīng)該使用 SYNC 還是 ASYNC 模式。我需要更多信息才能做到這一點(diǎn)。
2023-04-07 13:28:31
512K x 8高速異步CMOS靜態(tài)RAM
2023-04-06 11:14:01
信號，雙 RISC-V 內(nèi)核-32KB 高速緩存 (I/D Cache) 和雙核共高達(dá) 512KB的零等待指令和數(shù)據(jù)本地存儲器 (ILM / DLM)，加上256KB 通用 SRAM，極大避免了低速
2023-04-03 14:32:24
，映像一個外部中斷64位芯片唯一ID串行單線調(diào)試接口封裝形式：TSSOP20、QFN20、SOP16、SOP8選型指南32位通用增強(qiáng)型RISC-V單片機(jī)CH32V103概述CH32V103系列是以
2023-04-03 13:56:47
2022年，存儲芯片無疑是半導(dǎo)體下行周期中受影響最嚴(yán)重的芯片品類。進(jìn)入2023年，存儲芯片的下滑趨勢仍在繼續(xù)，何時止跌仍是未知數(shù)。
2023-03-30 14:29:201930 舉例132KW異步電動機(jī)計(jì)算如下：功率為 132KW 交流異步電機(jī)，通過查看名牌可知電機(jī)的 功率因數(shù)及星角接法，再通過計(jì)算就可求出電機(jī)繞組的阻值與電感。以下推導(dǎo)：電機(jī)的有功功率P=3UI*cos
2023-03-29 17:04:06
具有異步清除功能的單D型觸發(fā)器
2023-03-28 18:26:43
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