放大器模塊、寬帶放大器、高功率放大器模塊、帶RF和DC連接器的高功率放大器模塊和低噪聲放大器，功率放大器，開關(guān)，衰減器，移相器以及上/下邊變頻器的定制，歡迎咨詢。
2024-03-15 09:36:37
Qorvo的QPA3333是款功率倍增器放大器 SMD 模塊。QPA3333選用 GaAs MESFET、GaAs pHemt 和 GaN Hemt 芯片，頻率范圍為 45 MHz 至 1218
2024-03-04 14:44:22
的功率放大器，如：射頻晶體管、MMIC功率放大器、混合放大器模塊、寬帶放大器、高功率放大器模塊、帶RF和DC連接器的高功率放大器模塊和低噪聲放大器，功率放大器，開關(guān)，衰減器，移相器以及上/下邊變頻器的定制，歡迎咨詢。
2024-03-04 09:49:08
AMCOM的AM08011039WM-00（SN-R）是種光纖寬帶GaAs MMIC功率放大器。具備25dB的小信號增益值，在8V偏置電壓下，在8到11GHz頻率段上的輸出功率>
2024-02-27 09:25:49
卡可以設(shè)置一個PIN碼以及一個PUK碼。PIN碼是個人識別碼（Personal Identification Number），PUK碼是個人解鎖碼（Personal Unblocking Key）。在本文
2024-02-19 16:20:56
572 PIN針是公母連接器中的關(guān)鍵導(dǎo)體，影響電流和信息傳輸。LC系列公母插頭的PIN針有多種排列，適用于大多數(shù)智能設(shè)備，采用紫銅導(dǎo)體、冠簧結(jié)構(gòu)等獨特優(yōu)勢。PIN針與線束壓接成型，避免了焊接氧化的缺點。歡迎了解更多產(chǎn)品信息。
2024-01-27 16:20:39446 
微波天線和基站天線是無線通信系統(tǒng)中常見的天線類型。本文將詳細(xì)介紹微波天線和基站天線的定義、作用、結(jié)構(gòu)、特點、應(yīng)用以及區(qū)別等方面。 一、微波天線的定義和作用 微波天線是一種用來接收和發(fā)送微波信號的設(shè)備
2024-01-09 16:16:10390 的介紹。 一、尺寸標(biāo)準(zhǔn) 連接器pin針的尺寸標(biāo)準(zhǔn)主要包括長度、直徑和形狀等。這些尺寸參數(shù)需要精確控制，以保證連接器pin針與插孔的配合精度。長度：連接器pin針的長度是指從插針尾部到插針頭部的距離。長度標(biāo)準(zhǔn)通常包括公差范圍，以確保不同批
2024-01-04 17:00:25896 射頻微波連接器在各種高頻率和高精度信號傳輸領(lǐng)域中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。啟源微波的連接器有著體積小、機械電氣性能優(yōu)越、頻帶寬、可靠性高、駐波比小、插損低、耐磨損、耐腐蝕、使用壽命長的特點。隨著
2023-12-14 17:30:39225 
報告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58178 
開關(guān)和按鈕的不同特點和用法！ 開關(guān)和按鈕是常見的電子設(shè)備或電器的組成部分，它們在控制電路或操作電子設(shè)備時起著關(guān)鍵的作用。雖然它們都用于控制電氣電路的通斷或啟停，但它們之間存在一些不同的特點和用法
2023-12-11 10:40:46394 聯(lián)合電子決定降低I-Pin端部直線段高度，從根本上解決I-Pin電機的核心問題，即開發(fā)X-Pin電機技術(shù)。
2023-12-11 09:37:07391 
。由于這些優(yōu)勢，GaN HEMT在射頻功率放大器、微波通信、雷達(dá)、衛(wèi)星通信和電源應(yīng)用等領(lǐng)域被廣泛采用。 然而，GaN HEMT也存在一些限制，其中一個是它不能作為低壓器件使用。下面將詳細(xì)探討為什么GaN HEMT不能做成低壓器件，以及該限制的原因。 首先，為了明
2023-12-07 17:27:20337 定向傳輸微波信號和微波能量的傳輸線可稱之為微波傳輸線，常用的TEM模傳輸線有同軸線，微帶線，帶狀線和共面波導(dǎo)，TE模和TM模傳輸線有矩形波導(dǎo)，圓波導(dǎo)，橢圓波導(dǎo)和瘠波導(dǎo)等。本次推文就簡單介紹幾種典型微波傳輸線的理論和仿真分析。
2023-12-07 10:36:45556 
GaN是常用半導(dǎo)體材料中能隙最寬、臨界場最大、飽和速度最高的材料。
2023-12-06 09:28:15909 
在 RF 設(shè)計中，當(dāng)我們旨在將功率從信號鏈中的一個模塊傳輸?shù)较乱粋€模塊時，駐波是不可取的。事實上，駐波會影響不同射頻和微波系統(tǒng)的性能，從電波消聲室到微波爐等日常電器。
2023-12-04 11:31:11558 
MSUSB30/MSUSB30N 是一款高速、低功耗雙刀雙擲 USB 模擬開關(guān)芯片，其工作電壓范圍是+1.8V 至+5.5V。可Pin to Pin兼容FSUSB30/SGM7222。其具有低碼間偏移、高通道噪聲隔離度、寬帶寬的特性。
2023-11-30 14:26:46177 
產(chǎn)品，包括各種單個功能射頻芯片以及高集成芯片解決方案，可 用于無線微波通信、測試與測量儀器儀表以及軍工等高可靠性市場。ADI同時提供豐富的設(shè)計資源，為RF系統(tǒng)的開發(fā)提供了極大便 利，包括免費設(shè)計工具、FMC快速原型開發(fā)平臺、Circuits from the Lab? 參考設(shè)計和
2023-11-28 16:06:36
5 GaN氮化鎵晶圓硬度強、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點，與硅晶圓相比在封裝過程中對溫度、封裝應(yīng)力更為敏感，芯片裂紋、界面分層是封裝過程最易出現(xiàn)的問題。同時，GaN產(chǎn)品的高壓特性，也在封裝設(shè)計過程對爬電距離的設(shè)計要求也與硅基IC有明顯的差異。
2023-11-21 15:22:36333 
射頻（RF）濾波器是所有RF/微波系統(tǒng)的基礎(chǔ)元件，特別是具備多個信道或頻段的無線通信系統(tǒng)。RF濾波器的主要功能是衰減某些不需要頻段中的信號，而只對所需頻段中的信號產(chǎn)生最小的影響。
2023-11-21 09:16:06485 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開關(guān)電源中的硬開關(guān)和軟開關(guān)介紹.doc》資料免費下載
2023-11-14 09:49:270 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《主要RF微波放大器性能點評.pdf》資料免費下載
2023-11-10 15:20:020 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SDH數(shù)字微波通信技術(shù)的組成、特點及應(yīng)用.pdf》資料免費下載
2023-11-10 14:45:120 穩(wěn)定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質(zhì)和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。
今天就來了解一下，氮化鎵（GAN)在應(yīng)用過程中具有那些性能特點？
2023-11-09 11:43:53434 GaAs器件在微波領(lǐng)域的應(yīng)用非常廣泛，器件分類齊全，包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數(shù)字單芯片集成電路等。
2023-11-08 11:01:19186 氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料，今天金譽半導(dǎo)體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
2023-11-03 10:59:12662 
普通二極管是P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體結(jié)合構(gòu)成，而PIN則在P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體之間夾了一層I型半導(dǎo)體(即本征半導(dǎo)體)
2023-10-18 17:35:06366 
本文介紹雙極性SPWM控制的特點，雙極性控制都是高頻開關(guān)，沒有工頻開關(guān)。Q1,Q2同步開關(guān)，Q3,Q4同步開關(guān)。
2023-10-18 12:23:221172 
今天來給大家推薦一個 Python 當(dāng)中超級好用的內(nèi)置函數(shù)，那便是 lambda 方法，本篇教程大致和大家分享 什么是 lambda 函數(shù) lambda 函數(shù)過濾列表元素 lambda 函數(shù)
2023-10-17 11:27:48556 射頻（Radio Frequency，RF）和微波（Microwave）是電磁波的兩種特定頻率范圍，它們在許多方面有相似之處，但也有一些顯著的區(qū)別。
2023-10-16 15:15:19909 Java Lambda表達(dá)式是Java 8中最重要的新特性之一。 它們是一種可傳遞的匿名函數(shù)，可以作為參數(shù)傳遞給方法或存儲在變量中，因此可以在需要的時候調(diào)用它們。 基礎(chǔ) 1. 簡介 Lambda
2023-09-30 10:29:002262 上一章主要介紹了虹科高速數(shù)字化儀的特點、RF測試選型以及RF動態(tài)范圍測量示例，本章將繼續(xù)為大家介紹多通道采集分析正交調(diào)制信號、RF頻率響應(yīng)測量等內(nèi)容。RF測試分析數(shù)字化儀獲取數(shù)據(jù)并將其用于測量和分析
2023-09-23 08:05:11310 
目前中小 功率開關(guān)電源正朝著單片集成化的方向發(fā)展，本文詳細(xì)闡述近年來問世的各種單片開關(guān)電源的性能特點及典型應(yīng)用
2023-09-22 06:01:11
目前傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體器件的性能已逐漸接近其理論極限， 即使采用最新的硅器件和軟開關(guān)拓?fù)洌试?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)頻率超過 250 kHz 時也會受到影響。 而增強型氮化鎵晶體管 GaN HEMT（gallium
2023-09-18 07:27:50
氮化鎵（GaN）是一種由氮和鎵組成的半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度大于2.2eV，故又稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是在藍(lán)色發(fā)光器件中具有重要應(yīng)用價值的半導(dǎo)體。。GaN材料的研究和應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點，是發(fā)展微電子器件和光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。
2023-09-07 17:07:551783 
開關(guān)電源芯片U8722X是一款集成 E-GaN 的高頻高性能準(zhǔn)諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)。
2023-09-07 15:52:10466 M12連接器2pin外殼通常由金屬或塑膠材料制成，具有保護(hù)M12連接器2pin和維持M12連接器2pin接口位置的作用。
2023-09-06 11:41:59990 
品英Pickering作為用于電子測試和驗證的模塊化信號開關(guān)和仿真解決方案的全球供應(yīng)商，于近日發(fā)布了一款全新的免費在線使用的微波開關(guān)設(shè)計工具M(jìn)icrowave Switch Design Tool
2023-08-31 14:19:45308 2023年8月，品英Pickering——用于電子測試和驗證的模塊化信號開關(guān)和仿真解決方案的全球供應(yīng)商，于近日發(fā)布新款基于PXI/PXIe的微波開關(guān)產(chǎn)品（40/42-890系列），為PXI產(chǎn)品家族
2023-08-31 14:14:07351 Java8 的一個大亮點是引入 Lambda 表達(dá)式，使用它設(shè)計的代碼會更加簡潔。當(dāng)開發(fā)者在編寫 Lambda 表達(dá)式時，也會隨之被編譯成一個函數(shù)式接口。
2023-08-24 10:25:22151 隨著能夠高頻驅(qū)動的半導(dǎo)體“GaN”的普及，開關(guān)電源的高頻化也逐漸變成了現(xiàn)實。變壓器產(chǎn)品中使用鐵氧體材料，但根據(jù)驅(qū)動頻率的不同，磁芯損耗（鐵耗）會有很大的變化，這是變壓器設(shè)計的關(guān)鍵。本文將介紹為GaN
2023-08-22 17:06:07606 
XBG-M556是一款采用多普勒雷達(dá)技術(shù),專門檢測物體移動的微波感應(yīng)模塊。采用2.9G微波信號檢測，該模塊具有靈敏度高
2023-08-15 18:01:12605 
SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為3.3eV，GaN（氮化鎵）為3.4eV。這導(dǎo)致了更高的適用擊穿電壓，在某些應(yīng)用中可以達(dá)到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
該PIN二極管射頻開關(guān)是VHF和UHF的理想天線開關(guān)，可與PIN二極管配合使用，PIN二極管是具有非常低內(nèi)部電容的特殊高頻開關(guān)二極管。PIN二極管的內(nèi)阻可以通過直流控制電壓在1至10.000
2023-07-25 15:25:071597 
Lambda表達(dá)式是一個可以內(nèi)聯(lián)在我們代碼中的函數(shù)，我們可以將他傳遞給另外一個函數(shù)。
2023-07-18 16:26:14412 摘要:文中采用Au80Sn20共晶焊料對GaAs功率芯片與MoCu基板進(jìn)行焊接，分析了焊接溫度、摩擦次數(shù)等工藝參數(shù)對共晶焊接的影響，給出了GaAs芯片共晶焊的工藝參數(shù)控制要求，通過掃描電鏡
2023-07-15 14:01:421276 
Lambda架構(gòu)（Lambda Architecture）是由Twitter工程師南森·馬茨（Nathan Marz）提出的大數(shù)據(jù)處理架構(gòu)。這一架構(gòu)的提出基于馬茨在BackType和Twitter上的分布式數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的經(jīng)驗。
2023-07-15 12:47:13215 
GaAs工藝中也可以像傳統(tǒng)的Si工藝一樣集成無源和有源器件，但GaAs在某些方面會比Si工藝有優(yōu)勢，尤其是高頻應(yīng)用。
2023-07-11 10:42:341847 
CMPA2560025F是一種高電子遷移率的氮化鎵（GaN）基于晶體管（HEMT）的單片微波集成電路（MMIC）。與硅或砷化鎵相比，GaN具有優(yōu)越的性能，包括擊穿電壓越高，飽和電子漂移速度越高導(dǎo)熱性
2023-07-05 15:04:321 在彩色電視機和其他一些電子設(shè)備中采用開關(guān)電源，開關(guān)電源中采用開關(guān)變壓器，以下介紹了開關(guān)變壓器的工作特點是什么，以及開關(guān)變壓器電路的分析方法及注意事項，供大家參考。
2023-07-04 16:09:45885 
在小功率無線產(chǎn)品射頻開關(guān)電路設(shè)計中，我們常常選用CMOS，GaAs，SOI等工藝的射頻器件，其外圍電路很簡單，通常只需要配合電阻電容就可以正常工作。
2023-07-04 15:02:181539 
領(lǐng)域的熱點。
如圖1所示，GaN材料作為第三代半導(dǎo)體材料的核心技術(shù)之一，具有禁帶寬度高、擊穿場強大、電子飽和速度高等優(yōu)勢。由GaN材料制成的GaN器件具有擊穿電壓高、開關(guān)速度快、寄生參數(shù)低等優(yōu)良特性
2023-06-25 15:59:21
該款全新免費在線工具，方便定制LXI微波開關(guān)系統(tǒng)配置 ? 2023 年6月 21 日，于英國Clacton-on-Sea。 Pickering Interfaces作為用于電子測試和驗證的模塊化信號
2023-06-21 16:55:07383 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用SmartThings控制RF開關(guān).zip》資料免費下載
2023-06-20 11:30:031 GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率集成電路
2023-06-19 08:29:06
GaN技術(shù)實現(xiàn)快速充電系統(tǒng)
2023-06-19 06:20:57
GaN高密度300W交直流變換器
2023-06-19 06:03:23
標(biāo)準(zhǔn)1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通過利用卓越的性能在GaN HEMT集成電路中，我們已經(jīng)能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)頻率推到600 kHz以上，同時保持97.5%的效率。當(dāng)結(jié)合行業(yè)領(lǐng)先的圖騰柱PFC，峰值整個系統(tǒng)的效率達(dá)到80Plus制定的Titanium標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-16 11:01:43
基于GaN器件的產(chǎn)品設(shè)計可以提高開關(guān)頻率，減小體積無源器件，進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關(guān)特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰(zhàn)耗散設(shè)計、驅(qū)動設(shè)計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
英國Pickering公司作為用于電子測試和驗證的模塊化信號開關(guān)和仿真解決方案的全球供應(yīng)商，于今日發(fā)布了一款全新的免費在線使用的微波開關(guān)設(shè)計工具M(jìn)icrowave Switch Design
2023-06-15 14:22:19321 在使用這款交互式在線工具時，工程師可以設(shè)計不同組合的高性能微波LXI繼電器，可選帶寬最高110GHz，阻抗50Ω或75Ω，以及一系列連接器類型，還可以選擇包括各個微波開關(guān)元器件的位置到相關(guān)的標(biāo)簽要求
2023-06-15 14:21:31344 BAL-0003RF/微波巴倫（或變壓器）是一種設(shè)備，它以給定的阻抗接收輸入信號，并以（可能）不同的輸出阻抗輸出相同的信號和信號的反相版本。它們適用于差分信號、集成電路測試以及一般實驗室和實驗用途
2023-05-26 17:23:20
氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:091059 
RF LDMOS之于早期蜂窩網(wǎng)絡(luò)，氮化鎵（GaN）之于現(xiàn)代和高頻應(yīng)用。與砷化鎵（GaAs）和Si LDMOS相比，GaN長期以來一直具有難以超越的優(yōu)勢：
2023-05-24 10:11:56686 GaN HEMT 為功率放大器設(shè)計者提供了對 LDMOS、GaAs 和 SiC 技術(shù)的許多改進(jìn)。更有利的特性包括高電壓操作、高擊穿電壓、功率密度高達(dá) 8W/mm、fT 高達(dá) 25 GHz 和低靜態(tài)
2023-05-24 09:40:011374 
所謂，RF MEMS 開關(guān)，是一種是小型的微機械開關(guān)，功耗低，可以使用傳統(tǒng)的 MEMS 制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開關(guān)，其中觸點打開或關(guān)閉以通過開關(guān)傳導(dǎo)信號。在 RF MEMS 器件的情況下，開關(guān)的機械組件只有微米級尺寸。與電燈開關(guān)不同，在 RF MEMS 開關(guān)中傳導(dǎo)的信號在射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 15:09:18776 
和Coff可以做的很小，便于實現(xiàn)很好的開關(guān)特性，但是，PIN二極管的偏置電源電壓需要通過低通濾波器直接施加到RF信號端，PIN的集成也非常昂貴。相較于二極管，F(xiàn)ET是三端口器件，不需要通過低通濾波器就可以
2023-05-23 15:07:282738 
在《[射頻開關(guān)（RF Switch）基礎(chǔ)]》討論了高頻信號中信號衰減的發(fā)生方式和原因。它還討論了造成這種性能下降的兩個主要原因：線路中的功率耗散和傳輸線路中的反射引起的功率損耗。然而，迄今為止所有
2023-05-23 15:04:351102 
RF MEMS開關(guān)是一種小型微機械開關(guān)，具有低功耗，可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間里的開關(guān)，通過打開或關(guān)閉接觸點來傳導(dǎo)信號。
在RF MEMS設(shè)備的情況下，開關(guān)的機械部件僅有幾微米大小。與普通開關(guān)不同的是，RF MEMS開關(guān)傳導(dǎo)的信號處于射頻范圍內(nèi)。
2023-05-23 14:58:51860 
EGN-RF-SWITCH-01控制盒是恩基尼（上海）物聯(lián)科技有限公司基于目前市面上廣為需求的免換傳統(tǒng)墻體開關(guān)嵌入式控制方案。控制盒支持RF無線學(xué)習(xí)/控制并兼容傳統(tǒng)開關(guān)。
2023-05-23 14:56:391187 
和帶寬（例如 NI PXI-2594 2.5 GHz 4x1 多路復(fù)用器）。雖然這些規(guī)格在評估階段確實很重要，但它們并沒有為買家提供足夠的信息來做出明智的購買決定。本教程的目的是向您介紹設(shè)計 RF 開關(guān)網(wǎng)絡(luò)時必須考慮的以下七個重要規(guī)范：
2023-05-23 14:50:211477 
從工作原理上進(jìn)行分類，RF微波開關(guān)可以分為機電開關(guān)和固態(tài)開關(guān)，機電開關(guān)包括電磁繼電器和舌簧繼電器。機電開關(guān)是依靠機械接觸作為其機械結(jié)構(gòu)，而固態(tài)開關(guān)稱為無觸點開關(guān)，一般由電力電子技術(shù)實現(xiàn)
2023-05-23 14:47:401086 
RF開關(guān)是無線通信設(shè)備內(nèi)的高頻電路中，用于信號路徑切換的元件。
1天線開關(guān)模塊
天線開關(guān)模塊是用于手機無線電路，是附加在ANT底部以及GSM用LPF等的附加電路
2023-05-23 14:39:161303 
射頻微機電系統(tǒng)(RF MEMS)是MEMS技術(shù)的一大重要應(yīng)用領(lǐng)域，也是20世紀(jì)90年代至今研究MEMS技術(shù)各領(lǐng)域中飛速發(fā)展的熱點。射頻微機械開關(guān)體積小，功耗低，且插入損耗、隔離度等微波性能均遠(yuǎn)優(yōu)于
2023-05-23 14:35:50610 
從驅(qū)動方式和機械結(jié)構(gòu)的角度介紹了不同的RF MEMS開關(guān)類型，分析了各類MEMS開關(guān)的性能及優(yōu)缺點，分析了MEMS開關(guān)在制作和發(fā)展中面臨的犧牲層技術(shù)、封裝技術(shù)、可靠性問題等關(guān)鍵技術(shù)和問題，介紹了MEMS開關(guān)的發(fā)展現(xiàn)狀及其在組件級和系統(tǒng)級的應(yīng)用，以及對MEMS開關(guān)技術(shù)的展望
2023-05-23 14:29:05517 
射頻微波開關(guān)可在傳輸路徑內(nèi)高效發(fā)送信號，此類開關(guān)的功能可由四個基本電氣參數(shù)加以表征。
2023-05-22 10:11:35725 
，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和軍用雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場中獲得應(yīng)用。
2023-05-19 11:50:49626 
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過[氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計
2023-05-17 10:19:13832 
本文內(nèi)容翻譯自一篇Qorvo的應(yīng)用筆記，雖然標(biāo)題是針對GaN偏置電路設(shè)計的一些基本準(zhǔn)則，但實際上對GaAs也是適用的。基于化合物半導(dǎo)體做射頻功放的同學(xué)應(yīng)該都是有概念的，正好這篇文章做了總結(jié)，就隨手分享共同學(xué)習(xí)一下。
2023-05-10 09:52:512538 
UMS?CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶體管，CHK8201-SYA集成化2個CHK8101A99F功率棒封裝形式，能夠單獨瀏覽，可以產(chǎn)生45W的搭配輸出功率。CHK8201-SYA
2023-05-09 11:32:02103 Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 64pin 國標(biāo)封裝) (R20UT1425XJ0100_CHECK_PIN_EJ)
2023-05-05 19:16:150 RF 頻率范圍通常為 500 MHz 至 2 GHz，高于 100 MHz 的設(shè)計被視為 RF。微波頻率范圍高于 2 GHz。射頻和微波電路與典型的數(shù)字和模擬電路之間存在相當(dāng)大的差異。本質(zhì)上，射頻信號是非常高頻的模擬信號。
2023-04-29 17:35:00901 
GaN基功率開關(guān)器件能實現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率，得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣（2DEG）。圖1示出絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)的核心器件增強型AlGaN/GaN MIS/MOS-HEMT的基本結(jié)構(gòu)。
2023-04-29 16:50:00793 
由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，GaN 充電器的運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:212330 
那么，這是否意味著GaN將在每種應(yīng)用中取代GaAs？答案是否定的，這就是為什么Microchip生產(chǎn)分立式以及GaN和GaAs MMIC產(chǎn)品，并擁有業(yè)內(nèi)最廣泛的RF半導(dǎo)體產(chǎn)品之一，從低
2023-04-23 09:44:14329 
Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 52pin 國標(biāo)封裝) (R20UT1387XJ0100_CHECK_PIN_EJ)
2023-04-21 19:51:060 、光伏發(fā)電、光伏逆變器等領(lǐng)域。 GaN功率器件有哪些優(yōu)勢？功率密度高，開關(guān)速度快，損耗低，功耗小；高頻高速，可以有效降低系統(tǒng)成本；可在更高頻率下工作；更高的散熱能力和可靠性。 GaN的優(yōu)勢 GaN功率器件是在傳統(tǒng)的硅基功率器件上疊加了
2023-04-21 14:05:42831 Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 100pin 國標(biāo)封裝)
2023-04-20 19:40:320 Check Pin Adapter QB-144-CA-01 Pin Header Cover (for 64pin 國標(biāo)封裝) (R20UT1380XJ0100_CHECK_PIN_EJ)
2023-04-20 19:24:260 GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術(shù)的功率器件，具有較低的導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗、高的開關(guān)速度和可靠性。其特點和優(yōu)勢如下：1. 低導(dǎo)通電阻：GaN:RX65T300 HS2A的導(dǎo)通電
2023-04-20 15:16:01618 在 Python 中，Lambda 表達(dá)式是一種非常強大的工具，它可以讓你快速創(chuàng)建小型匿名函數(shù)，而不需要顯式地定義函數(shù)名稱。Lambda 表達(dá)式通常用于傳遞函數(shù)對象或簡單的函數(shù)式編程。
2023-04-19 15:51:11683 在 Python 中，Lambda 表達(dá)式是一種非常強大的工具，它可以讓你快速創(chuàng)建小型匿名函數(shù)，而不需要顯式地定義函數(shù)名稱。Lambda 表達(dá)式通常用于傳遞函數(shù)對象或簡單的函數(shù)式編程。
2023-04-19 15:49:58479 SW-231-PIN（非 RoHS）匹配的 GaAs SPST 開關(guān)（非 RoHS）匹配的 GaAs SPST 開關(guān) MACOM 的 SW-231-PIN 是一款
2023-04-17 11:39:16
掌握基本的射頻微波理論知識;熟練使用 HFSS、ADS、SONNET、Cadence(virtuoso，calibre)、EMX等電磁仿真以及射頻芯片設(shè)計軟件;熟悉CMOS、GaN、GaAs、IPD 等多個廠家的工藝;具有多次射頻/微波/毫米波前端芯片的流片成功經(jīng)驗。
2023-04-15 14:00:44842 薄膜開關(guān)的三大特點，希望大家通過本文的介紹，可以對薄膜開關(guān)的工作有一定的認(rèn)識與了解：（1）密封性能好：因為薄膜開關(guān)是一種整體都密封起來的零件，開關(guān)的觸點不受外界環(huán)境的干擾，所以不用擔(dān)心腐蝕的問題，也不容易產(chǎn)生氧化;同時還可以防灰塵的污染，可以應(yīng)用在各種惡劣的環(huán)境中....
2023-04-14 16:53:33606 
通常來說，lambda起到了一種函數(shù)速寫的作用，允許在使用的代碼內(nèi)嵌入一個函數(shù)的定義。在你僅需要嵌入小段可執(zhí)行代碼的情況下它們會帶來一個更簡潔的代碼結(jié)構(gòu)。
2023-04-03 11:44:29584 NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”）功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計
2023-04-03 11:12:17553 
的問世，固態(tài)器件開始在低頻段替代真空管，尤其是隨著GaN，SiC等新材料的應(yīng)用，固態(tài)器件的競爭力已大幅提高[1]。本文將對兩種器件以及它們競爭與融合的產(chǎn)物——微波功率模塊（MPM）的發(fā)展情況作一介紹與分析，以充分了解國際先進(jìn)水平，也對促進(jìn)國內(nèi)技術(shù)的發(fā)展有所助益。
2023-03-29 09:24:45880
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