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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM的基本原理是怎樣的

磁阻式隨機(jī)存儲器MRAM的基本原理是怎樣的

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2023-06-25 14:30:181959

LLC基本原理及設(shè)計方法

LLC基本原理及設(shè)計方法
2023-06-25 10:05:286

RAID系統(tǒng)中理想的Netsol MRAM存儲器

RAID控制卡的日志存儲器存放重要數(shù)據(jù),如日志和數(shù)據(jù)寫入完成、奇偶校驗寫入、錯誤日志等。在斷電的情況下,控制器查詢?nèi)罩緝?nèi)存,以了解從哪里開始恢復(fù)。
2023-06-12 17:11:11323

5G基本原理及關(guān)鍵技術(shù)詳細(xì)介紹

5G基本原理及關(guān)鍵技術(shù)詳細(xì)介紹
2023-06-07 11:01:25824

RAM/ROM存儲器的設(shè)計

隨機(jī)存儲器可以隨時從任何一個指定地址中讀出數(shù)據(jù),也可以隨時將數(shù)據(jù)寫入任何一個指定的存儲單元中
2023-06-05 15:49:47785

鐵電存儲器PB85RS2MC在RFID中的應(yīng)用

作為一種非易失性存儲器,鐵電存儲器兼具動態(tài)隨機(jī)存取存儲器DRAM的高速度與可擦除存儲器EEPROM非易失性優(yōu)點,雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用,但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合,鐵電存儲器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134

CY7C10612DV33-10ZSXI

16-MBIT(1M X 16)靜態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-06-01 09:18:00

圖像采集卡的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢

圖像采集卡是一種硬件設(shè)備,用于將模擬視頻信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號,并將其傳輸?shù)接嬎銠C(jī)中進(jìn)行處理和存儲。它通常用于監(jiān)控、視頻會議、醫(yī)學(xué)圖像等領(lǐng)域。本文將介紹圖像采集卡的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢。一、圖像
2023-05-30 15:42:54771

隨機(jī)存取存儲器的誕生

無論是在網(wǎng)飛上看電影、玩電子游戲,還是單純地瀏覽數(shù)碼照片,你的電腦都會定期進(jìn)入內(nèi)存獲取指令。沒有隨機(jī)存取存儲器(RAM),今天的計算機(jī)甚至無法啟動。
2023-05-30 15:19:55313

機(jī)器學(xué)習(xí)讓存儲器設(shè)計提速N個數(shù)量級

因此,存儲器件變得容量越來越大,設(shè)計越來越復(fù)雜。在開發(fā)存儲器件時,怎樣做才能既滿足嚴(yán)苛的性能、功耗、面積(PPA)目標(biāo),又能確保產(chǎn)品按時上市呢?
2023-05-25 14:33:47454

適合用于多功能打印機(jī)存儲芯片S3A1604

MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術(shù),與傳統(tǒng)的存儲器技術(shù)相比,MRAM具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。
2023-05-23 17:34:15395

單板硬件設(shè)計:存儲器( NAND FLASH)

EEPROM的變種,變成了一類存儲器的統(tǒng)稱。 狹義的EEPROM: 這種rom的特點是可以隨機(jī)訪問和修改任何一個字節(jié),可以往每個bit中寫入0或者1。這是最傳統(tǒng)的一種EEPROM,掉電后數(shù)據(jù)不丟失
2023-05-19 15:59:37

Netsol并口STT-MRAM非易失存儲S3R8016

其數(shù)據(jù)始終是非易失性的,可以取代具有相同功能的FRAM、低功耗SRAM或nvSRAM,并有助于簡化系統(tǒng)設(shè)計。由于STT-MRAM的非易失性和幾乎無限的續(xù)航特性,它適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器
2023-05-12 16:31:39268

單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?

單片機(jī)的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器共處同一地址空間為什么不會發(fā)生總線沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

電瓶車充電器的基本原理和故障維修

想維修電瓶車充電器,首先得對充電器的基本原理有一定的了解,熟悉基本電路圖,熟悉充電器中常用的元器件,了解各模塊的功能,下面先了解一下充電器的基本原理
2023-05-06 09:39:002608

一文了解新型存儲器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機(jī)存儲器
2023-04-19 17:45:462544

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲器存儲器

本章教程講解DMA存儲器存儲器模式。存儲器存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

PLC基本原理和實現(xiàn)方法

今天我們繼續(xù)聊聊PLC的基本原理和實現(xiàn)方法。 突然想到之前有個重要的問題沒有跟大家介紹,從實現(xiàn)方式上講,PLC分編譯型和解釋型,Codesys是編譯型的,而某寶上200多元的“三菱仿”是解釋型 的,其實這“三菱仿”某寶上20元就能買到全套原理圖及PCB和源碼。
2023-04-17 11:34:411

電源濾波基本原理和常用標(biāo)準(zhǔn)

電源濾波是電力電子技術(shù)中常用的一種裝置,用于去除電源中的噪聲和高頻干擾,保證電子設(shè)備的正常運行。下面小編帶大家來了解一下電源濾波基本原理和常用標(biāo)準(zhǔn)。一、電源濾波基本原理電源濾波是一種電路
2023-04-14 15:21:53

非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點

數(shù)據(jù)信息。它們都是電子可寫和可擦除存儲器,用以存儲單片機(jī)的應(yīng)用程序及數(shù)據(jù)信息。這些數(shù)據(jù)可在芯片上或芯片外存儲信息。盡管Flash和EEPROM設(shè)備都可以存儲嵌入設(shè)備中使用的信息,但是它們的體系結(jié)構(gòu)
2023-04-07 16:42:42

MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入存儲器的取代

具有非易失性,即使切斷電源,信息也不會丟失,而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面,自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短,均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢?

/寫存儲器,在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述:MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者:宇芯電子
2023-04-07 16:26:28

MT25QL256ABA8ESF-0SIT

MRAM磁性隨機(jī)存儲器 2.7V~3.6V 256Mb
2023-04-06 11:14:58

CAT24C256HU4IGT3

MRAM磁性隨機(jī)存儲器 UDFN8_2X3MM_EP VCC=1.8V~5.5V
2023-04-06 11:13:38

光伏電池的基本原理

光伏發(fā)電的基本原理是利用半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)(Photovoltaic Effect,PV),在太陽能電池內(nèi)部PN 結(jié)上形成電位差,從而將太陽能轉(zhuǎn)換為電能,因此光伏電池是決定光伏發(fā)電效率的核心器件。
2023-04-04 10:49:212501

是否可以將FLASH用作輔助存儲器

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲器,如果可能,我們?nèi)绾问褂谩U堉笇?dǎo)我們實現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

我們常用存儲器知道有哪些嘛

存儲器存儲介質(zhì)特性來說,可以分為兩類,一類就是易失性存儲器,一類是非易失性存儲器。從計算機(jī)角度上看,易失性存儲器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551

71321LA55PPGI

MRAM磁性隨機(jī)存儲器 4.5V~5.5V 140mA TQFP52_10X10MM
2023-03-27 13:44:37

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