非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:15
14 
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45158 
CW32L052內(nèi)部集成了64KB嵌入式FLASH供用戶使用，可用來(lái)存儲(chǔ)應(yīng)用程序和用戶數(shù)據(jù)。芯片支持對(duì) FLASH 存儲(chǔ)器的讀、擦除和寫(xiě)操作，支持擦寫(xiě)保護(hù)和讀保護(hù)。芯片內(nèi)置 FLASH 編程所需的高壓 BOOST 電路，無(wú)須額外提供編程電壓。
2024-02-28 17:43:59382 
與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲(chǔ)密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問(wèn)性能。
2024-02-19 11:45:24641 
Flash存儲(chǔ)器的寫(xiě)操作具有特殊性，它只能將數(shù)據(jù)位從1寫(xiě)成0，而不能從0寫(xiě)成1。因此，在對(duì)存儲(chǔ)器進(jìn)行寫(xiě)入操作之前，必須先執(zhí)行擦除操作，將預(yù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)位初始化為1。
2024-02-19 11:37:28536 
與主存儲(chǔ)器（內(nèi)存）和輔助存儲(chǔ)器（外存）有不同的特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。 首先，我們來(lái)詳細(xì)了解ROM的特點(diǎn)和分類(lèi)。ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器，這意味著即使在斷電或重啟系統(tǒng)后，存儲(chǔ)在ROM中的數(shù)據(jù)仍然保持完整。這是由于ROM的存儲(chǔ)單元是由非可更改的電路或柵電勢(shì)器構(gòu)成
2024-02-05 10:05:10740 ，包括其結(jié)構(gòu)、特點(diǎn)以及如何寫(xiě)入數(shù)據(jù)。 一、STM32 Flash的結(jié)構(gòu) STM32 Flash存儲(chǔ)器通常被分為多個(gè)扇區(qū)，每個(gè)扇區(qū)大小為2KB到256KB不等，根據(jù)不同的型號(hào)有所不同。每個(gè)扇區(qū)可以獨(dú)立進(jìn)行
2024-01-31 15:46:03419 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
SD卡、嵌入式SD卡等。它的主要優(yōu)勢(shì)在于解決了主控器（例如STM32系列的MCU單片機(jī)）使用NAND FLASH、SPI NAND FLASH、eMMC等存儲(chǔ)器時(shí)需要自行管理NAND FLASH
2024-01-24 18:30:00
此舉意味著，復(fù)旦微電的NOR Flash存儲(chǔ)產(chǎn)品線將進(jìn)一步充實(shí)，有潛力在不遠(yuǎn)的將來(lái)擴(kuò)大市場(chǎng)占有率。此外，面向SLC NAND Flash領(lǐng)域的布局也已初步形成
2024-01-23 14:45:33404 不同的特點(diǎn)和用途。 首先，讓我們了解一下Flash存儲(chǔ)器。Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，可以在斷電后保留數(shù)據(jù)。它以塊為單位進(jìn)行擦除和寫(xiě)入操作，允許多次重寫(xiě)。Flash存儲(chǔ)器的主要作用如下： 1. 程序存儲(chǔ)：Flash存儲(chǔ)器通常用于存儲(chǔ)單片機(jī)的程序代碼。單片機(jī)的程
2024-01-18 11:43:40551 只讀存儲(chǔ)器（ROM）是一種計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)設(shè)備，用于存儲(chǔ)固定數(shù)據(jù)和指令，其特點(diǎn)如下： 數(shù)據(jù)固定性：只讀存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是在出廠時(shí)被編程固化的，用戶無(wú)法進(jìn)行修改。這意味著ROM中的信息是靜態(tài)的、不可
2024-01-17 14:17:39290 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
DRAM、NAND Flash、NOR Flash合計(jì)約占整體存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)的97%;自2022年初起，下游需求市場(chǎng)的萎縮以及宏觀環(huán)境進(jìn)一步惡化導(dǎo)致存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)不斷承壓，存儲(chǔ)芯片價(jià)格持續(xù)下滑
2024-01-14 09:47:101059 
是Volatile RAM（易失性存儲(chǔ)器），又稱(chēng)為SRAM（Static Random Access Memory，靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器）；另一種是Non-volatile RAM（非易失性存儲(chǔ)器），又稱(chēng)
2024-01-12 17:27:15513 Erasable Programmable Read-Only Memory）是一種可擦寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器，可以在不使用外部電壓的情況下對(duì)其進(jìn)行擦除和編程。它不同于Flash存儲(chǔ)器的主要特點(diǎn)是可
2024-01-09 11:21:36372 擦除后的值是指將Flash存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)全部清除，并將其重置為初始狀態(tài)。Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)介質(zhì)，它使用電子存儲(chǔ)技術(shù)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。擦除后的Flash存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)都會(huì)被擦除，這就意味著
2024-01-04 15:57:29526 NOR Flash是一種基于NOR門(mén)結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門(mén)電路中的“或非”門(mén)。NOR Flash具有并行訪問(wèn)結(jié)構(gòu)，這意味著每個(gè)存儲(chǔ)單元都有一個(gè)地址，可以直接訪問(wèn)任何存儲(chǔ)單元，這使NOR Flash具有快速的隨機(jī)訪問(wèn)能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 14:37:05293 在這一氛圍下，NOR Flash行業(yè)已開(kāi)始醞釀漲價(jià)。臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)今日有消息指出，預(yù)計(jì)NOR Flash將接棒啟動(dòng)存儲(chǔ)芯片新一輪漲價(jià)潮，預(yù)計(jì)明年1月起先漲5%，二季度漲幅有望擴(kuò)大至10％。
2023-12-26 14:37:42127 業(yè)界普遍看好，NOR Flash市況最快有機(jī)會(huì)在明年終結(jié)庫(kù)存調(diào)整，迎來(lái)新一波漲價(jià)循環(huán)。
2023-12-25 16:56:58368 要求使用其他存儲(chǔ)設(shè)備，如Flash存儲(chǔ)器，來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，能夠長(zhǎng)時(shí)間保存數(shù)據(jù)，即使在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)。它具有較高的讀寫(xiě)速度和較低的功耗，適用于FPGA的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求。 FPGA上的Flash存儲(chǔ)器一般通過(guò)SPI（串行
2023-12-15 15:42:51543 如何充分利用單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲(chǔ)器 單片機(jī)（MCU）的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）是存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程序的重要組成部分。它可以保留數(shù)據(jù)，即使在斷電或復(fù)位后也不會(huì)丟失。為了充分利用MCU的NVM，我們
2023-12-15 10:10:49507 EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和Flash Memory（閃存）是兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器（NVM）技術(shù)，它們
2023-12-07 16:10:20516 Nor Flash采用NOR門(mén)結(jié)構(gòu)，其中每個(gè)存儲(chǔ)單元都有不同的地址用于直接訪問(wèn)。這種并行訪問(wèn)功能可以實(shí)現(xiàn)高效的隨機(jī)訪問(wèn)和快速的數(shù)據(jù)檢索。
2023-12-05 15:21:59363 Nor Flash 中的編程和擦除操作涉及寫(xiě)入數(shù)據(jù)和擦除存儲(chǔ)單元的特定步驟。
2023-12-05 15:19:06321 選擇Nor Flash作為存儲(chǔ)解決方案的一個(gè)主要原因就是Nor Flash的并行訪問(wèn)結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速讀取速度和低讀取延遲。
2023-12-05 14:32:31275 嵌入式系統(tǒng)需要可靠且快速的引導(dǎo)存儲(chǔ)器來(lái)在系統(tǒng)啟動(dòng)期間加載初始引導(dǎo)代碼和操作系統(tǒng)。
2023-12-05 14:08:35312 閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫(xiě)入存儲(chǔ)單元，為確保準(zhǔn)確編程，Nor Flash 支持字節(jié)級(jí)編程，允許寫(xiě)入或修改單個(gè)字節(jié)，而無(wú)需擦除整個(gè)塊。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲(chǔ)器，類(lèi)似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場(chǎng)景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，對(duì)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)具有重大影響，閃存其獨(dú)特的特性和功能影響著計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)的各個(gè)方面
2023-12-05 10:32:31332 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類(lèi)型。
2023-11-30 13:53:20734 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《基于非易失性存儲(chǔ)器的數(shù)字電位器的多功能可編程放大器.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 16:04:35
0 閃速存儲(chǔ)器 （Flash Memory）簡(jiǎn)稱(chēng)閃存器或閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17911 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。按照電源在關(guān)斷后數(shù)據(jù)是否依舊被保存的方式區(qū)分，存儲(chǔ)器可分為非易失性存儲(chǔ)器 (Non-volatile Memory，NVM)和易失性存儲(chǔ)器 （volatile Memory
2023-11-16 09:14:06413 何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器？ 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比，具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-11-15 10:20:01731 
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
什么才是嵌入式Flash的邊界？ 嵌入式Flash是一種非易失性存儲(chǔ)器，常用于嵌入式電子設(shè)備中，如智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)、車(chē)載娛樂(lè)系統(tǒng)等。它與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)和閃存存儲(chǔ)器不同，具有高速、低功耗
2023-10-29 17:29:44250 為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP，而Nand flash就不行呢？ Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫(xiě)入數(shù)據(jù)，同時(shí)因?yàn)闆](méi)有
2023-10-29 16:32:58646 大家有誰(shuí)知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。浚緼T89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說(shuō)明，各位高手有誰(shuí)知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
快閃存儲(chǔ)器（flash memory），是一種電子式可清除程序化只讀存儲(chǔ)器的形式，允許在操作中被多次擦或?qū)懙?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器。它是一種非易失性存儲(chǔ)器，即斷電數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失。
2023-10-24 15:19:17498 
存儲(chǔ)器測(cè)試問(wèn)題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場(chǎng)上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 
隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171437 摘要：本文主要對(duì)兩種常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫(xiě)入、高讀寫(xiě)耐久性和低功耗性能。 由于車(chē)載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類(lèi)傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
本文分析了NOR Flash的技術(shù)體系，結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，并對(duì)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的基本原理以及發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行介紹。
2023-09-22 12:20:261974 
概述在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器，都可以做到設(shè)備掉電重啟后，數(shù)據(jù)還會(huì)保留。但二者有明顯的區(qū)別：EEPROM可以
2023-09-22 08:19:23676 
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動(dòng)外部NOR Flash
2023-09-21 17:37:03466 
在MCU的使用中，經(jīng)常遇到需要存儲(chǔ)參數(shù)或掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)等功能。其中，Flash和EEPROM是常見(jiàn)的非易失性存儲(chǔ)器
2023-09-21 09:14:39812 )。而ROM則是非易失性存儲(chǔ)器， ROM可分為EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM)、flash memory等。
2023-09-15 15:59:02668 
FSMC特性簡(jiǎn)介和FSMC框圖外掛存儲(chǔ)器地址映射
AHB接口
NOR/PSRAM控制器
接口信號(hào)
支持的存儲(chǔ)器和訪問(wèn)方式異步傳輸
同步突發(fā)傳輸
NAND/PC card控制器
接口信號(hào)
·支持的存儲(chǔ)器和訪問(wèn)方式NAND操作
.ECC計(jì)算
.PC card/Compact Flash操作
2023-09-13 06:54:41
存儲(chǔ)器，NOR 與NAND 存儲(chǔ)邏輯的差異導(dǎo)致二者的應(yīng)用場(chǎng)景有很大不同。NOR 的優(yōu)勢(shì)在于隨機(jī)讀取與擦寫(xiě)壽命，因此適合用來(lái)存儲(chǔ)代碼；NAND 的優(yōu)勢(shì)在于單位比特成本，花同樣的錢(qián)可以獲得更大的容量。
2023-09-11 16:59:231905 
Flash存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器，即使在供電電源關(guān)閉后仍能保持片內(nèi)信息。
2023-09-09 16:22:282617 STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
閃存存算方面，目前主要路線是基于NOR flash（不是目前優(yōu)盤(pán)所用的閃存類(lèi)型），多數(shù)情況下存儲(chǔ)容量較小，這使得NOR flash單片算力達(dá)到1 TOPS以上器件代價(jià)較大，通常業(yè)內(nèi)說(shuō)大算力一般
2023-09-06 12:40:33433 
引言：串行Nor Flash是一類(lèi)使用比較多的存儲(chǔ)器件，在特殊應(yīng)用場(chǎng)景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-09-05 10:09:341666 
Flash是存儲(chǔ)芯片的一種，在電子及半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)表示為Flsah Memory，全稱(chēng)為Flash EEPROM Memeory，即我們平時(shí)說(shuō)的“閃存”。它結(jié)合了ROM和RAM的優(yōu)點(diǎn)，具備電子可擦除
2023-08-24 12:35:053181 
FLASH，指Flash Memory，是一種非易失性存儲(chǔ)器（閃存），掉電能正常保存數(shù)據(jù)。
2023-08-16 12:22:211442 
并行（ISA）Nor Flash有5V、3V和1.8V三種不同的供電體系，容量從2Mb-1Gb，具有x8、x16可選配置的引導(dǎo)和統(tǒng)一扇區(qū)架構(gòu)。Parallel Nor Flash具有高性能、低功耗、高耐久性、高可靠性的特點(diǎn)。
2023-08-11 15:47:151091 
）接口提高了系統(tǒng)性能，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，并降低了系統(tǒng)成本。Serial Nor Flash的最新八進(jìn)制系列產(chǎn)品包括：八進(jìn)制（xSPI）Flash、八進(jìn)制RAM和八進(jìn)制MCP。OctaBus Memory將閃存和RAM存儲(chǔ)器集成到同一數(shù)據(jù)I/O總線中，將引腳數(shù)量減少到12個(gè)。
2023-08-11 15:45:32899 
引言：串行Nor Flash是一類(lèi)使用比較多的存儲(chǔ)器件，在特殊應(yīng)用場(chǎng)景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲(chǔ)器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-08-11 15:44:221074 
NOR Flash的讀取和我們常見(jiàn)的SDRAM的讀取是一樣，即可以根據(jù)地址隨機(jī)讀寫(xiě)，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因?yàn)槠渥x取速度快，多用來(lái)存儲(chǔ)程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
2023-08-07 09:47:03763 
富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存儲(chǔ)器串行接口系列中密度最高的產(chǎn)品。目前已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)產(chǎn)品。 在不斷變化的環(huán)境中，隨著傳感器信息數(shù)據(jù)量的增加和邊緣計(jì)算的擴(kuò)展，客
2023-08-04 11:55:04339 
（SMC）。AHB MC有四個(gè)可訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。
2023-08-02 14:51:44
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開(kāi)發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開(kāi)發(fā)的靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器（SMC）。AHB MC有一個(gè)
2023-08-02 07:14:25
（SMC）。AHB MC有四個(gè)可訪問(wèn)外部存儲(chǔ)器的AHB端口。每個(gè)AHB端口都有一個(gè)到內(nèi)存控制器的橋接接口。有一個(gè)單獨(dú)的AHB端口用于配置內(nèi)存控制器。SMC和DMC的特定配置被實(shí)例化以針對(duì)特定存儲(chǔ)器設(shè)備。圖1-1顯示了AHB MC（PL242）配置
2023-08-02 06:26:35
藍(lán)牙耳機(jī)大量出貨的推動(dòng)下，NOR?Flash帶來(lái)了巨大的商機(jī)。 ? ? ??TWS藍(lán)牙耳機(jī)必須配備NOR?Flash，因?yàn)樗懈嗟墓δ?。為?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)大量的固件和代碼程序，需要外擴(kuò)一個(gè)SPI?NOR?Flash。隨著TWS藍(lán)牙耳機(jī)功能的進(jìn)一步增加，它需要更多的存儲(chǔ)容量。以Android手機(jī)TWS藍(lán)牙耳機(jī)
2023-07-31 14:33:10460 Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲(chǔ)器，按照實(shí)現(xiàn)方式和運(yùn)行特性Flash一般還會(huì)分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機(jī)地址的讀取方式，在讀取操作上類(lèi)似于RAM，比較適合程序
2023-07-24 10:00:281845 
FSMC稱(chēng)為靈活的靜態(tài)存儲(chǔ)器，它能夠與同步或異步存儲(chǔ)器和16位PC存儲(chǔ)器卡連接，STM32F4的FSMC接口支持包括SRAM、NAND FLASH、NOR FLASH和PSRAM等存儲(chǔ)器。
2023-07-22 14:46:531961 
NOR Flash作為嵌入式系統(tǒng)中的重要存儲(chǔ)器類(lèi)型，在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域中的應(yīng)用非常廣泛。在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中，NOR Flash通常用于MCU數(shù)據(jù)讀取和執(zhí)行，其工藝和讀取速度都直接影響MCU性能。 ? 因此，隨著可穿戴設(shè)備、健康監(jiān)測(cè)等多種物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備應(yīng)用的低功耗需
2023-07-15 00:01:001352 SPI NOR Flash可存儲(chǔ)配置和校準(zhǔn)數(shù)據(jù)，滿足車(chē)載應(yīng)用對(duì)參數(shù)存儲(chǔ)的各種需求，具有高可靠性；低失效率；擦寫(xiě)次數(shù)最高可達(dá)400萬(wàn)次以上；溫度適應(yīng)能力強(qiáng)；數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)100年等特點(diǎn)。可以覆蓋從消費(fèi)級(jí)，到工業(yè)級(jí)，直至汽車(chē)級(jí)的所有應(yīng)用，產(chǎn)品在可靠性，功耗，溫度和速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國(guó)內(nèi)外前沿水準(zhǔn)。
2023-07-07 16:58:17332 非易失性存儲(chǔ)元件有很多種，如EPROM、EEPROM、NOR FLASH和NAND FLASH，前兩者已經(jīng)基本被淘汰了，因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051887 
易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28874 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱(chēng)為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442016 Flash是存儲(chǔ)器的一種統(tǒng)稱(chēng)，單片機(jī)內(nèi)部Flash、外掛Flash、U盤(pán)、SSD等，到處都有Flash的身影。
2023-06-16 16:41:376444 
Flash閃存是一種存儲(chǔ)器,主要用于一般性程序存儲(chǔ)，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 我們知道外部串行NOR Flash是接到i.MXRT的FlexSPI外設(shè)引腳上，有時(shí)串行NOR Flash啟動(dòng)也叫FlexSPI NOR啟動(dòng)。
2023-06-02 17:43:28928 
Flash存儲(chǔ)器，又叫做閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器。具有操作方便讀寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)。一般用于存儲(chǔ)操作系統(tǒng)和程序代碼，或者用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2023-06-02 17:40:373879 
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性?xún)?yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無(wú)限的讀寫(xiě)次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
在單板設(shè)計(jì)中，無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類(lèi)，一種稱(chēng)為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
Flash的容量往往較小。NOR設(shè)備在每次寫(xiě)操作時(shí)都必須以塊的方式寫(xiě)入數(shù)據(jù)。并行NOR閃存利用靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)快速訪問(wèn)芯片的可尋址區(qū)域，實(shí)現(xiàn)了存儲(chǔ)字節(jié)的快速訪問(wèn)。與NAND Flash相比
2023-05-18 14:13:37
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
首個(gè)非易失性存儲(chǔ)器是PROM（可編程只讀存儲(chǔ)器），以及與之密切相關(guān)的EPROM（可擦寫(xiě)可編程只讀存儲(chǔ)器）。最初的PROM產(chǎn)品在1967年由貝爾實(shí)驗(yàn)室提出，并于1971年由英特爾進(jìn)一步開(kāi)發(fā)。
2023-05-10 11:03:57408 通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
。關(guān)于DMA存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH中，然后通過(guò)DMA的方式傳輸?shù)酱诘臄?shù)據(jù)寄存器，然后通過(guò)串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機(jī)顯示出來(lái)。
2023-04-20 16:35:13
基本上，我想將數(shù)據(jù)寫(xiě)入/讀取 I.MX RT1170 評(píng)估板中的非易失性存儲(chǔ)器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....
2023-04-19 09:07:12
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
存儲(chǔ)設(shè)備，包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無(wú)需持續(xù)供電，即使關(guān)閉電源也能保存
2023-04-07 16:42:42
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車(chē)載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器，45nm
2023-04-07 16:41:05
FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘，低VDD復(fù)位，看門(mén)狗定時(shí)器，非易失性事件計(jì)數(shù)器，可鎖定的64位序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō)，可以分為兩類(lèi)，一類(lèi)就是易失性存儲(chǔ)器，一類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:431551 
FLASH - NOR存儲(chǔ)器 IC SPI
2023-03-28 18:28:01
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論