手冊說L9369的PROM不是非易失存儲，那么如果芯片掉電（VBP），PROM中的數據是否會全部丟失？
EPB應用是否要求VBP掛KL30上
2024-03-21 07:19:54
通過外部引腳可配置BOOT從SRAM中啟動，上電過程SRAM沒有初始化，BOOT從SRAM啟動的作用是什么，這個我不能理解。
我想實現所有程序都在SRAM中運行，有沒有實現的方法？
2024-03-12 07:30:49
嵌入式鐵電存儲器可實現超低功耗微控制器的設計。將鐵電存儲器添加到微控制器中可以進行快速可靠的非易失性數據存儲與處理，是存儲系統狀態、數據記錄及在多種應用的非易失性的理想選擇，例如傳感器與計量儀表到
2024-03-06 09:57:22
我將一個數組定義在SRAM2中，另一個數組定義在CCM中，我可以利用memcpy這個函數來將SRAM2里的數據拷貝到CCM中嗎。
因為我看總線矩陣圖，CCM的D-BUS和SRAM2并無交集，是不是也就意味著這兩塊內存互相無法進行交互呢？
2024-03-06 08:21:14
FX3自帶SDK中的例程GPIF ii sram-master：讀寫sram指令中的地址由狀態機中的地址計數器來決定，請教一下如何在FX3固件代碼中指定讀寫sram的地址，可否提供一個例程或相關文檔
2024-02-27 07:20:24
如下圖所示，GD32F4系列內部SRAM分為通用SRAM空間和TCMSRAM空間，其中通用SRAM為從0x20000000開始的空間，TCMSRAM為從0x10000000開始的64KB空間。大家
2024-02-24 09:43:16
186 
我正在與 SafetPack 為 TC38x 調試的無損測試 (MBIST) 合作。 但我找不到 Geth Tx/Rx RAM 和 gtm_mcsxslow/Fast-DPLL RAM 的正確的 SRAM 初始化過程。
你能否給我一些關于上面提到的 RAMS 的初始化過程的提示。
2024-02-01 07:09:22
PSOC6如何把變量定義在外部串行SPI SRAM中，并且在使用時可以跟內部SRAM變量使用方法類似
2024-02-01 06:33:40
，
qspi_obj.context);
}
...
}
其中，紅色的字體定義如下
/** 在 quad 之后輪詢內存的就緒狀態時應用超時
* 啟用命令已發出。 Quad 使能是一種非易失性寫入
2024-01-31 06:01:09
您能告訴我 PSoC? 4中SRAM陣列的數據保持電壓嗎？
我想知道在 VDD 電源電壓下降或上升時 SRAM 可以保留數據的最小電壓。
MPN： PSoC? 4100S Max/CY8C4148AZI-S555
2024-01-19 06:08:12
運行/example中的Power_On_Self_Test為什么SRAM并不能成功讀寫。用示波器看SRAM的管腳，使能和讀寫的管腳一直都是高電平，這是為什么？
2024-01-12 07:17:25
RAM來維持它的運行和使用，只有在保存相關文件時才會轉存到 microSD 卡。
正是這種搭配才使得核桃派有了易失性和非易失性的記憶，RAM 是掉電不保存，而 microSD 卡則是掉電保存。
核桃派
2024-01-01 21:58:36
——Teeworlds 。
什么是 Teeworlds
Teeworlds （激戰世界） 是一款免費的在線多人射擊游戲，擁有獨特的像素藝術風格和簡單而刺激的游戲玩法。以下是關于 Teeworlds
2023-12-25 19:47:25
SRAM (Static Random Access Memory)是一種高速、隨機訪問的存儲器，它以其快速的讀寫操作和不需要刷新的特點而受到廣泛使用。本文將詳細介紹SRAM的讀寫電路設計
2023-12-18 11:22:39496 西門子 EDA的內存技術專家Jongsin Yun說， SRAM 的微縮滯后于邏輯收縮，主要是由于最新技術中嚴格的設計規則。過去，我們對 SRAM 有單獨的設計規則，這使我們能夠比基于邏輯晶體管
2023-12-15 09:43:42175 SRAM是采用CMOS工藝的內存。自CMOS發展早期以來，SRAM一直是開發和轉移到任何新式CMOS工藝制造的技術驅動力。
2023-12-06 11:15:31635 NVSRAM的工作原理基于將SRAM部分的數據在斷電前復制到NVM單元中，并在重新上電時將數據從NVM恢復到SRAM。
2023-12-05 16:46:59271 NVSRAM在通信設備中具有良好的性能和可靠性，使其成為一種受歡迎的數據存儲解決方案。
2023-12-05 16:02:33456 NVSRAM和NVRAM都涉及非易失性存儲技術，但它們在實現方式和應用方面有一些區別。
2023-12-05 10:55:25417 非易失性靜態隨機存取存儲器 (NVSRAM) 是一種即使斷電也能保留數據的存儲器，提供非易失性存儲。
2023-12-05 10:09:56303 該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-11-27 16:41:47
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據
2023-11-27 16:37:59
SRAM 的數量是任何人工智能處理解決方案的關鍵要素，它的數量在很大程度上取決于您是在談論數據中心還是設備，或者是訓練還是推理。但我想不出有哪些應用程序在處理元件旁邊沒有至少大量的 SRAM，用于運行人工智能訓練或推理。
2023-11-12 10:05:05452 EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器EPM1270F256C4N，ALTERA/阿爾特拉，即時開啟非易失性CPLD,處理器
2023-10-24 15:38:16
STM32怎么實現一個非阻塞性的串口屏收發
2023-10-24 08:15:33
AT32 部分型號有零等待閃存和非零等待閃存，程序在零等待閃存執行速度比在非零等待閃存執行速度快，如果有函數對執行速度有要求，可以將該函數加載到零等待區執行。當零等待閃存使用完后，如果還有函數對執行速度有要求，可以將該函數加載到 SRAM 執行，前提是SRAM 還有足夠的空間存放該函數代碼。
2023-10-20 06:10:59
隨著工業4.0的出現，工廠的智能化和互聯性正在日益提高。智能工廠中的機械設備就能夠采用所連接的無線傳感器節點的實時數據，提前預測可能發生的故障，并通知控制系統采取糾正措施，以避免意外的系統停機。累積
2023-10-19 11:27:37
如何捕捉并重現稍縱即失的瞬時信號？
2023-10-18 06:26:54
注射器正壓密合性測試儀 品質可靠/濟南三泉智能科技有限公司 注射器密合性正壓測試儀是具有安全、高效、精確、易操作、實時記錄和便于攜帶等優點，可以為注射器的生產和質檢提供有效的測試手段，下面
2023-09-20 09:10:50
注射器密合性正壓測試儀 品質可靠/濟南三泉智能科技有限公司 注射器密合性正壓測試儀是具有安全、高效、精確、易操作、實時記錄和便于攜帶等優點，可以為注射器的生產和質檢提供有效的測試手段，下面
2023-09-19 08:59:43
使用MM32F3270 FSMC驅動SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
在PPSSPP社區和賽昉科技軟件團隊的共同努力下，PPSSPP 9月最新發布的1.16版本中增加了基于IR的全新RISC-V JIT后端，現在各位游戲愛好者們可以在VisionFive 2上玩PSP
2023-09-11 17:17:26
注射器密合性正壓測試儀 品質可靠 注射器密合性正壓測試儀是具有安全、高效、精確、易操作、實時記錄和便于攜帶等優點，可以為注射器的生產和質檢提供有效的測試手段，下面三泉智能為您提
2023-09-07 16:30:08
飛思卡爾的Kinetis設備提供FlexMemory技術，該技術為靈活的內存使用提供了多功能和強大的解決方案。
FlexMemory由FlexNVM和FlexRAM組成。
FlexNVM是一種非易失
2023-09-04 06:29:35
應用程序: 此示例代碼使用 M032 在 SRAM 中運行 ISR 。
BSP 版本: M031_Series_BSP_CMSIS_V3.03.000
硬件: NuMaker-M032SE
2023-08-31 09:21:19
內核支持內部中斷和外部中斷，其中內部中斷包括計時器中斷和軟件中斷。這里我們以Nuclei SDK中demo_timer為例，簡單講解內部中斷的非向量處理模式。
系統環境
Windows
2023-08-16 07:58:31
讓一顆SRAM型FPGA在太空長期穩定運行的難度，就類似練成獨孤九劍的難度。
2023-08-15 10:36:081898 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:32:461086 
SRAM型FPGA屬于核心元器件，因此對SRAM型FPGA進行抗輻照加固設計非常必要。今天貧道主要給大家布道一下SRAM型FPGA在軌會遇到的問題及其影響。
2023-08-11 10:30:451264 
動態存儲運行時數據在神經網絡的推理過程中。
?AXI接口M1用于允許更低帶寬和更高帶寬的內存事務
延遲因此，AXI M1接口可以連接到較慢或較少突發的存儲器例如閃存或DRAM。內存用于運行時的非易失性
2023-08-02 06:37:01
nvSRAM使用傳統的捕獲電荷技術進行非易失性存儲。由于溫度和過多的寫入周期會導致數據損耗，因此數據可能會泄漏。
2023-07-25 15:36:04244 DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節寬度的接口對DS1747內部的所有寄存器進行訪問。RTC
2023-07-24 09:41:00
本次操作的SRAM的型號是IS62WV51216，是高速，8M位靜態SRAM。它采用ISSI（Intergrated Silicon Solution, Inc）公司的高性能CMOS技術，按照512K個字（16）位進行組織存儲單元。
2023-07-22 14:58:561092 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內置實時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 16:58:16
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報警、看門狗定時器、上電復位、電池監控、256字節非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2023-07-21 16:48:54
DS9034PC PowerCap是一款為非易失(NV) SRAM提供的鋰電池電源帽，基于Dallas Semiconductor直接表面貼裝PowerCap模塊封裝。PowerCap模塊焊接、清理
2023-07-21 15:42:57
DS1250 4096k、非易失SRAM為4,194,304位、全靜態非易失SRAM，按照8位、524,288字排列。每個完整的NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容
2023-07-21 15:41:00
DS1245 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、完全靜態的非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否
2023-07-21 15:38:54
DS1230 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:37:16
DS1225AB及DS1225AD為65,536位、全靜態非易失(NV) SRAM，按照8位、8192字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍，一旦
2023-07-21 15:29:48
DS1220AB及DS1220AD 16k非易失(NV) SRAM為16,384位、全靜態NV SRAM，按照8位、2048字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC
2023-07-21 15:28:06
DS1345 1024k非易失(NV) SRAM為1,048,576位、全靜態非易失SRAM，按照8位、131,072字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:23:14
DS1330 256k非易失(NV) SRAM為262,144位、全靜態非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:20:44
DS1270 16M非易失SRAM為16,777,216位、全靜態非易失SRAM，按照8位、2,097,152字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:18:27
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出容差范圍
2023-07-21 15:13:33
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續監視VCC是否超出
2023-07-21 15:11:06
MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標準（易失性）CMOS RAM轉換為非易失性存儲器。它還會持續監控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護
2023-07-21 15:01:52
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:13:33
該 FRAM 芯片（鐵電隨機存取存儲器）配置為 16,384 × 8 位, 通過鐵電工藝和硅柵 CMOS 工 藝技術形成非易失性存儲單元和 SRAM 不同，該芯片不需要電池就可以保持數據。 該芯片
2023-07-18 17:08:13
兼容12個內核時鐘周期。片內集成有62 KB非易失性Flash/EE程序存儲器。片內同時集成4 kB非易失性Flash/EE數據存儲器、256字節RAM和2 kB擴
2023-07-14 17:15:06
DeepCover?嵌入式安全方案采用多重先進的物理安全機制保護敏感數據，提供最高等級的密鑰存儲安全保護。DeepCover安全管理器(DS3605)集成非易失(NV) SRAM控制器、實時
2023-07-14 15:15:30
終端或ATM讀卡器提供安全保障。磁卡數據可采用AES或DES/TDES算法加密。IC帶有快速擦除非易失SRAM (NVSRAM)、硬件隨機數發生器(RNG)、電壓攻
2023-07-14 14:28:53
芯片檢測中的非破壞分析有哪些？
2023-06-27 15:20:08
我想使用 i.mx8mp 處理器將來自 anvo 的 nvSRAM ANV32AA1W 配置到我的定制板中。
我已將其包含在 DTS 中，如下所示
&ecspi2
2023-06-08 09:08:17
我正在嘗試使用 MCUXpresso 配置工具版本 13.1 為 SRAM 配置 RT1172 SEMC。
我只將 SDRAM 視為一個選項：
在此處的類似帖子中有回復 (2022-08-30)，這將在下一版本中通過“模式”設置提供：
是否有關于此功能可用性的狀態更新？
2023-06-02 08:28:39
我們正在構建一個設備來測量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個每秒累加的方法。問題：非易失性內存有寫入限制，所以我需要使用易失性內存。寫入易失性存儲器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲器。
2023-05-30 08:48:06
我要在SDRM中建立一個大的數組，請問如何定位到SRAM中？
2023-05-26 06:12:06
://bbs.elecfans.com/jishu_2354763_1_1.html
再加個控制設備：
現在就可以通過非接觸式傳感器玩游戲了！！！！
2023-05-24 22:27:11
我使用 Wemos D1 mini 制作了一款簡單但具有挑戰性的游戲。
我盡量使說明盡可能詳細，但如果您對此有任何疑問，請告訴我。
您所要做的就是將魔杖從電線的一端拿到另一端。它有一個 OLED
2023-05-23 06:14:41
一種便攜式存儲設備，當插入計算機時，被解析為內置硬盤設備。這也是一種非易失性閃存。與MMC和SD卡一樣，USB閃存驅動器是一種更受歡迎的可移動存儲形式。
5、RAM
RAM是一個易失性內存選項。一旦設備
2023-05-18 14:13:37
摘要：上一篇文章我們具體講解了FSMC的原理配置，這一章主要是關于使用FSMC的SRAM初始化流程，以及使用STM32CubeMX對FSMC進行配置。
2023-05-14 10:27:391300 
如何使用 QDR(TM) II SRAM 和 DDR II SRAM 用戶手冊
2023-04-27 20:25:40
6 我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內存區域的數據緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數據緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數據緩存？
2023-04-23 08:01:09
S32DS、RTD和LLCE CAN驅動有對應的工具版本嗎？我想知道，LLCE driver是否可以在非autosar os中運行，是否有關于LLCE Driver +S32DS3.5的文檔可以學習。
2023-04-18 09:21:58
我現在使用 RT1176 作為我們的控制單元。為了在我們的產品中獲得更多性能，我們在我們的板上添加了一個 FPGA。 它們通過同步 ADMUX SRAM 模式下的 SEMC 相互通信，但我對時序圖有
2023-04-17 06:55:21
我目前正在使用 YOCTO sumo linux 內核 L4.14.98-2.3.1 和 imx6ul。在我的應用程序中，我們需要將安全數據（例如密鑰）存儲在安全非易失性存儲 (SNVS) 區域
2023-04-14 07:38:45
我想用非易失性密鑰獲取CMAC值（僅驗證甚至可以）。我正在使用修改后的“csec_boot_protection_s32k148”項目。初始化 CSEc 模塊后，我使用給定的指令加載密鑰 ROM
2023-04-10 06:34:32
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術規格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
據保留?無限的讀/寫耐力?無磨損?有競爭力的定價?穩定的制造業供應鏈?小尺寸BGA封裝圖1 引腳普通針MR3A16ACMA35是一個8Mb非易失性RAM，組織為512kx16，采用3.3V標稱電源供電
2023-04-07 16:26:28
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量。快速的寫入速度和無限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
在CH573存儲中，分為用戶應用程序存儲區CodeFlash，用戶非易失數據存儲區DataFlash,系統引導程序存儲區Bootloader，系統非易失配置信息存儲區InfoFlash。一般在使用時
2023-04-07 11:46:50
SRAM可以分為低速、中速、高速。===========================================================16位寬的SRAM//16BITSRAM指針
2023-04-06 15:13:03554 
今天就帶你詳細了解一下到底什么是SRAM，在了解SRAM之前，有必要先說明一下RAM：RAM主要的作用就是存儲代碼和數據供CPU在需要的時候調用。
2023-03-30 14:11:51587 
嗨恩智浦專家，我知道 MIMXRT1xxx 能夠在 ITCM 中運行 hello_world 但是 MIMXRT595 中沒有 ITCM 只有 SRAM。MIMXRT595-EVK是否可以在SRAM中運行hello_world zephyr示例？
2023-03-30 06:38:30
親愛的社區，我有幾個關于 SRAM ECC 的問題。1) SRAM 上的ECC 是否默認啟用？哪些代碼使 SRAM 上的 ECC 啟用？2) 我試圖從 M7 內核啟動 A53 內核，所以我必須
2023-03-27 09:15:16
我目前正在嘗試防止臨時對稱密鑰在重新啟動后保留在內存中。我的巧妙計劃是使用 i.MX RT1064 處理器寄存器（保證在重啟時歸零）對它們進行異或，我在重啟時將其設置為隨機數。（這與非易失性寄存器
2023-03-23 07:07:21
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