您好，我的應(yīng)用程序大于1MB后，勾選IROM2后，下載失敗，提示：Load linking...Program Size: Code=225528 RO-data=866252 RW-data
2024-03-22 07:58:13
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《40V、8mΩ 單通道智能高側(cè)開關(guān)TPS1HB08-Q1數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-18 18:18:52
0 國產(chǎn)高端FPGA芯片有多種，以下是一些知名的國產(chǎn)FPGA芯片，
2024-03-15 14:01:06
147 MEMORY CARD SRAM 1MB
2024-03-14 22:15:42
MEMORY CARD SRAM 1MB
2024-03-14 22:15:42
獨立雙核，32位CPU
主頻150MHz
flash 1MB ,SRAM1MB
單精度浮點運算FPU
三角函數(shù)運算TMU
24個增強型外設(shè)ePWM
16個高分辨率HRPWM（150PS）
3個12位ADC，采樣率3MSPS
2024-03-11 14:52:13
云塔科技（安努奇）發(fā)布世界首個LB/MB/HB/UHB四工器，基于云塔自主知識產(chǎn)權(quán)的SPD技術(shù)，其芯片制程工藝實現(xiàn)100%國產(chǎn)化。
2024-03-11 11:33:39233 隨著新能源汽車和自動駕駛的飛速發(fā)展，汽車電源芯片在應(yīng)用中出現(xiàn)較多EMI問題
2024-03-01 09:19:02818 
復(fù)用模式寫時序圖
SRAM寫時序參數(shù)，看-55的
SRAM寫時序1，有刪減
.SRAM寫時序2
鎖存器74LVC273參數(shù)，算上上升沿和下降沿，延遲至少11ns
其中sram
2024-01-04 10:46:19
Star MCU , up to 192 MHz - Memories - 1MB SRAM - SiP 8 MB/16 MB Flash - 8 MB H S PSRAM in R128
2023-12-26 10:57:00314 當(dāng)今時代，以數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化、智能化為特征的第四次工業(yè)革命正在進(jìn)行，伴隨著國內(nèi)汽車新能源的普及，加速了國產(chǎn)高安全芯片的快速發(fā)展，D9360是芯馳推出的一款六核CPU的高度集成、低功耗化、高安全性芯片
2023-12-22 18:07:58
AD9122的內(nèi)部時鐘HB1_CLK、HB2_CLK、HB3_CLK的頻率是多少呢？
2023-12-21 06:51:22
據(jù)了解，恒爍股份公司的nor flash產(chǎn)品覆蓋1mb~256mb容量的再系列產(chǎn)品，可以滿足大容量、中小容量顧客的需求，目前公司的重大容量產(chǎn)品銷售比小容量產(chǎn)品占更多的比重。
2023-12-04 09:46:29204 超低價、超靈活、超全能!飛凌嵌入式FET113i-S全國產(chǎn)核心板正式發(fā)布!整板采用100%國產(chǎn)工業(yè)級元器件，含稅價最低僅需88元!
FET113i-S核心板基于全志T113-i工業(yè)級處理器開發(fā)
2023-11-20 16:32:40
EMI騷擾源有啥特征呢？為何du/dt和di/dt是產(chǎn)生騷擾的條件？ EMI（Electromagnetic Interference，電磁干擾）是指電磁場中的電荷、電流和場的變化引起的一系列電磁波
2023-11-17 15:00:59589 9LPRS501 數(shù)據(jù)表
2023-11-14 18:30:360 9LPR501 數(shù)據(jù)表
2023-11-14 18:30:190 在現(xiàn)代電子設(shè)備的制造過程中，電磁干擾（EMI）成為了一個不可忽視的問題。特別是在集成電路的設(shè)計和生產(chǎn)過程中，隨著電子設(shè)備的普及和發(fā)展，電磁干擾（EMI）對芯片性能的影響變得越來越重要，而芯片
2023-11-11 08:30:49460 
有些簡單的異步SRAM芯片為了與CPU配合使用可能只需要一個3.3V的電源
2023-10-31 11:40:072014 
*附件：和芯潤德 USB3.0HUB 設(shè)計資料.rar
推薦一款國產(chǎn) USB3.0 HUB芯片，型號SL6340
推薦一款國產(chǎn)3.0HUB，型號SL6340，是一款由和芯潤德科技自主研發(fā)的國產(chǎn)
2023-10-20 18:20:58
stc8g1k08的硬件i2c可以從機模式嗎
2023-09-20 06:38:16
一、特性參數(shù)
1、獨立雙核，32位CPU，單核主頻400MHz
2、IEEE 754 單精度浮點單元 （FPU）
3、三角函數(shù)單元 （TMU）
4、1MB 的 FLASH （ECC保護(hù)）
5、1MB
2023-09-19 10:08:53
提高了數(shù)倍。 結(jié)構(gòu)框圖芯片特性ARM Cortex-M0 32位處理器 存儲配置 ? 128KB-8MB Flash? 64KB SRAM? 4-way Instruction Cache? 8KB
2023-09-18 17:05:13
使用MM32F3270 FSMC驅(qū)動SRAM
2023-09-18 16:29:50918 
湖北芯擎科技有限公司（以下簡稱：芯擎科技）于2021年推出，并已于去年年底前實現(xiàn)量產(chǎn)。隨著領(lǐng)克08全新發(fā)售，芯擎科技在國產(chǎn)高端汽車芯片領(lǐng)域的開發(fā)能力和量產(chǎn)經(jīng)驗得到進(jìn)一步認(rèn)證，并一舉打破高性能車規(guī)級芯片被國外廠商壟斷的局面，為中國車
2023-09-14 09:44:27450 PC由于沒有電池，電源適配器對其尤為重要。今天來講講USB適配器的國產(chǎn)適用芯片。一、GP232RL，直接軟硬件兼容FT232RL，無需更改就可直接替換使用，大大節(jié)約了芯片成本主要參數(shù)1、集成USB
2023-09-12 17:37:26
?與F4x完全兼容
?高達(dá)180MHz，具有過驅(qū)動模式
?雙組2 x 1MB閃存
?256KB SRAM
?支持SDRAM+的FMC
32位數(shù)據(jù)
?音頻PLL+串行音頻I/F
?LCD-TFT控制器
2023-09-12 08:12:59
領(lǐng)克 08在中國首次開發(fā)了7納米規(guī)模的自主開發(fā)半導(dǎo)體芯片——“龍鷹1號”。這兩個芯片集成在1000pro的entola計算平臺上，擁有業(yè)界最高的16 tops的npu運算能力，滿足了駕駛艙的各種智能要求。
2023-09-11 09:30:441448 與F4x完全兼容
?高達(dá)216MHz，具有過驅(qū)動模式
?雙組2 x 1MB閃存
?512KB SRAM
?支持SDRAM+的FMC
32位數(shù)據(jù)
?音頻PLL+串行音頻I/F
?LCD-TFT控制器
2023-09-11 07:19:42
國產(chǎn)5G方案 國產(chǎn)手機芯片,采用紫光展銳新推出的T820芯片采用了6納米EUV工藝，具備強大的處理能力和多項實用功能。該芯片擁有八核CPU架構(gòu)，其中包括1顆主頻為2.7GHz的Arm
2023-09-06 18:59:461209 
宇凡微在2023年推出了全新的2.4G合封芯片YE08，該芯片結(jié)合了32位高性能MCU和強大的2.4GHz無線通信功能，為各種遠(yuǎn)程遙控應(yīng)用提供卓越性能和廣泛應(yīng)用潛力。 深入了解YE08內(nèi)部構(gòu)造
2023-09-06 11:33:47424 國產(chǎn)芯片與外資芯片差距一目了然，主要就在CPU領(lǐng)域。國產(chǎn)芯片陣營CPU最高的是主要做手機芯片的展訊，其A7870平臺配置了車規(guī)級6nm制程處理器，8核設(shè)計，包括1個2.7GHz的A76
2023-08-28 17:06:59894 
/1MB?Flash 程序存儲器，64KB的SRAM存儲器。此外，PAN1080配置了豐富的外設(shè)，包括高達(dá)48個GPIO，24路PWM，三個32位定時器，1路I2C，2路UART，2路SPI，11個通路的ADC，WDT，WWDT，I2S?master，I2S slave，USB2.
2023-08-22 16:46:260 1、替代TI 的 TMS320F280049
2、獨立雙核，主頻400MHz
3、單精度浮點運算，三角函數(shù)運算
4、Flash 1MB，SRAM 1MB
5、12bit ADC，采樣率
2023-08-22 15:38:33
開搞芯馳D9，這是一個國產(chǎn)車規(guī)級的芯片，現(xiàn)在國產(chǎn)的芯片廠商們發(fā)展的真不錯啊，蒸蒸日上，看資料的話這個芯片的性能挺強大的，器 6 核 ARM Cortex-A55 和 2 核 Arm
2023-08-18 14:23:34
大家非常關(guān)心的汽車DCDC EMI優(yōu)化。 觀看 視頻 視 頻文字部分 一個DCDC系統(tǒng)能夠通過嚴(yán)苛的CISPR 25 ，離不開兩點： 需要一個EMI性能優(yōu)秀的電源芯片 豐富的系統(tǒng)EMI設(shè)計經(jīng)驗 點擊圖片進(jìn)入小程序，觀看 《汽車電子DCDC芯片的EMI優(yōu)化設(shè)計》 圖1 本期我們將從芯片設(shè)計角度出發(fā)，討
2023-08-16 12:25:02943 
特性：
1、替代TI 的 TMS320F280049
2、獨立雙核，主頻400MHz
3、單精度浮點運算，三角函數(shù)運算
4、Flash1MB，SRAM1MB
5、12bitADC，采樣率
2023-08-15 10:01:15
ICS501A 數(shù)據(jù)表
2023-08-10 18:30:320 501B 數(shù)據(jù)表
2023-08-04 18:30:010 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LPS22HB/LPS25HB數(shù)字壓力傳感器：系統(tǒng)硬件集成指南.pdf》資料免費下載
2023-07-31 09:19:382 501 數(shù)據(jù)表
2023-07-10 18:34:030 BB501C 數(shù)據(jù)表
2023-06-29 18:39:290 BB501M 數(shù)據(jù)表
2023-06-29 18:35:570 RKV501KG 數(shù)據(jù)表
2023-06-28 18:56:100 BB501M數(shù)據(jù)表
2023-06-27 20:52:370 本帖最后由 Tronlong創(chuàng)龍科技 于 2023-6-15 10:46 編輯
1 評估板簡介創(chuàng)龍科技TLA40i-EVM是一款基于全志科技A40i處理器設(shè)計的4核ARM Cortex-A7
2023-06-15 10:20:50
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于PCChips M919的3.3V 1MB緩存棒設(shè)計.zip》資料免費下載
2023-06-08 10:52:290
重 SRAM 帶寬 9.70 MB/批
輸出 SRAM 帶寬 0.00 MB/批
總 SRAM 帶寬 21.77 MB/批
每個輸入的總 SRAM 帶寬 21.77 MB/推理（批大小 1）
平均
2023-06-05 11:36:22
我有許多主要運行 tasmota 固件的 sonoff 基本設(shè)備。在上次嘗試將 WLED 安裝到“新”設(shè)備上時，我遇到了問題，因為我只有 1 臺計算機（在 4 臺嘗試過的 2 臺帶 wifi
2023-06-01 08:20:56
賽普拉斯CY7C1041GN是一款高性能CMOS異步快速快速SRAM，由256K字16位組成。通過斷言芯片使能（CE）和寫入使能（WE）輸入LOW來執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入，同時在I/O0到I/O15上提供數(shù)據(jù)，在A0到A17引腳上提供地址。
2023-05-31 17:18:55388 放大器，增益4倍-32倍
6+4通道PWM輸出
1個I2C接口 -通訊速率最快可達(dá)1Mb/s
1個SSP/SPI接口
2個UART -內(nèi)建可編程波特率發(fā)生器
支持不同的工作模式
2023-05-24 09:53:33
國產(chǎn)XY51S03B是一款適用于OBU方案上的主控芯片，此款藍(lán)牙芯片是InnoStar新一代高性能、超低功耗的藍(lán)牙5.1芯片，采用32位ARM Cortex-M0內(nèi)核，最高工作主頻64MHz，片上集成48KB?SRAM，512KB?Flash。
2023-05-23 17:31:27672 東軟載波SSC1670芯片是一款寬帶電力線載波通信芯片，集成32位高性能MCU微控制器，內(nèi)嵌1MB SRAM、1MBeFLASH 及豐富的外設(shè)資源，支持多路 UART、SPI、I2C、PWM、GPIO等接口，支持多路AD模擬輸入。
2023-05-18 15:30:182066 
I2C接口
1個SPI接口
支持4種振蕩方式
支持四種工作模式
30個通用GPIO
封裝類型：SSOP24，QFN40及LQFP48
歡迎聯(lián)系咨詢
TEL：180 2833 7418
QQ：3101377292*附件：CMS32M55xx數(shù)據(jù)手冊_V1.1.6.pdf
2023-05-17 09:31:47
一、特性參數(shù) 1、獨立雙核，32位CPU，單核主頻400MHz 2、IEEE 754 單精度浮點單元 （FPU） 3、三角函數(shù)單元 （TMU） 4、1MB 的 FLASH （ECC保護(hù)） 5、1MB
2023-05-16 14:20:051111 
(HC_SR501_GPIO, &GPIO_InitStruct);
}
static void HC_SR501_ScanDelay(void)
{
uint32_t i,j
2023-05-14 17:51:05
BB501C 數(shù)據(jù)表
2023-05-12 18:47:500 BB501M 數(shù)據(jù)表
2023-05-12 18:43:470 。當(dāng)從深度睡眠中重新連接時，此過程會導(dǎo)致變化和過多的時間。如果預(yù)先指定固定頻道，連接時間可以減少到最大頻道掃描時間的 1/3 以下。
這個論壇上有人知道任何 microPython 構(gòu)建的 1MB ESP8266 允許在站模式下設(shè)置頻道嗎？
2023-05-12 06:08:42
BB501M數(shù)據(jù)表
2023-05-09 19:30:480 color_buf[480 * 800] __attribute__((section(\".ext_sram\")));
//分配到外部1MB sram的最起始處
然后需要修改鏈接
2023-05-08 20:01:14
flexspi_nor_sdram.icf 可用于存儲在閃存中。
如果我錯了請糾正我，我的觀察是 -
1) 使用的地址在FlexSPI, DTCM, OCRAM2, SEMC0, ITCM空間
2）我的理解是SEMC0直接連接到外部SDRAM內(nèi)存，空間幾乎等于67 MB
3）片上SRAM只有2MB，那么SEMC0地址空間怎么替換？
2023-05-05 06:38:08
國產(chǎn)uPc494貼片芯片有哪些品牌和型號啊？各位大師求告知
2023-04-28 13:48:22
EMI Serial SRAM是為串行接口的SRAM，外擴(kuò)SRAM可以通過使用SPI的接口來將外部RAM添加到幾乎所有應(yīng)用中。串行訪問的靜態(tài)隨機存取存儲器采用先進(jìn)的CMOS技術(shù)進(jìn)行設(shè)計和制造，以提供高速性能和低功耗。
2023-04-27 17:37:44615 
來源：中國電子報 近日，搭載兩顆芯擎科技7納米車規(guī)級智能座艙芯片“龍鷹一號”的領(lǐng)克汽車旗下全新新能源中型SUV車型領(lǐng)克08亮相上海車展。此次“龍鷹一號”上車領(lǐng)克08，彰顯湖北芯擎科技有限公司（簡稱
2023-04-26 16:52:28489 PSoC 62 專為物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用而設(shè)計，適用于可穿戴設(shè)備、智能家居、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、便攜式醫(yī)療設(shè)備等。PSoC 62 還支持高達(dá) 2MB 的閃存、1MB 的片上 SRAM 和高達(dá) 104 個GPIO。
2023-04-25 16:18:57583 
我正在使用 S32k358 uC，我想禁用內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)緩存。在框圖中，我看到樹形 SRAM 塊 SRAM0、SRAM1、SRAM2。是否可以禁用 SRAM2 的數(shù)據(jù)緩存并保留 SRAM 0 和 SRAM1 的數(shù)據(jù)緩存？
2023-04-23 08:01:09
IMXRT1064 外部 SRAM - 同步和異步模式的 CLK 使用差異
2023-04-21 08:31:29
[Build 9221] [2023-03-28] SDK 是 SDK_2.x_LPC55S06 2.13.0.201911251446如果我啟動并設(shè)置一個新項目，編譯后，我沒有任何錯誤，SRAM
2023-04-20 09:06:04
引導(dǎo)，我們只能看到前 2MB 的 SRAM。我們有可用的 IVT、DCD 和 FSBL，但仍然不能使用超過 2MB 的內(nèi)存。我們將 PRAMIAS 設(shè)置為 0x0，將 PRAMIAE 設(shè)置為 0x1FFFF，訪問權(quán)限沒有變化。啟用完整 8MB SRAM 的過程是什么？
2023-04-19 09:23:38
9LPRS501 數(shù)據(jù)表
2023-04-17 18:55:390 9LPR501 數(shù)據(jù)表
2023-04-17 18:55:280 芯片：MIMXRT1176DVMAA芯片上有幾個SRAM。但是當(dāng)SRAM_ITC_cm7用完時它不會使用下一個SRAM。我如何在不使用“__attribute__”的情況下使用所有8個SRAM，而是
2023-04-14 08:01:47
ICS501A 數(shù)據(jù)表
2023-04-13 18:47:570 501B 數(shù)據(jù)表
2023-04-12 19:13:590 MGV100-08-P55MACOM 的 MGV100-08-P55 是電容為 0.13 pF、電容比為 1.4 至 3.4、正向連續(xù)電流為 100 mA、功耗為 100 mW、Q 因子為 4000
2023-04-10 16:59:28
MGV075-08-P55MACOM 的 MGV075-08-P55 是電容為 0.13 pF、電容比為 0.9 至 2.2、正向連續(xù)電流為 100 mA、功耗為 100 mW、Q 因子為 4000
2023-04-10 15:36:46
我非常需要有關(guān) SRAM - SEMC 中異步模式工作邏輯的信息。我無法從 RM 獲得所需的相關(guān)信息。你能請口頭定義或文件嗎？只有下面的圖片能夠給我一些見解。 我只是想決定在我的場景中是應(yīng)該使用 SYNC 還是 ASYNC 模式。我需要更多信息才能做到這一點。
2023-04-07 13:28:31
PM254-2-08-W-8.5
2023-04-06 23:35:18
08-55-0103
2023-04-06 23:34:07
08-55-0105
2023-04-06 23:34:07
連接外部SRAM或者兼容SRAM訪問接口的器件。 SD卡-通訊接口：1個高速USB OTG，集成PHY，1個百兆網(wǎng)口，2個CAN FD，9個UART，4個SPI，4個I2C-電機系統(tǒng)：2組共32路
2023-04-03 14:32:24
設(shè)計，適配的國產(chǎn)多通道并口AD為核芯互聯(lián)的CL1606、CL1616。圖1 SOM-TLT3F工業(yè)核心板正反面圖2 TLT3F-EVM工業(yè)評估板資源框圖TronCL1606是一款16位、8通道同步采樣
2023-03-31 16:48:05
08-55-0101
2023-03-29 21:51:08
08-55-0129
2023-03-29 17:52:29
08-55-0130
2023-03-28 14:50:53
08-55-0110
2023-03-28 14:47:05
FAULT 處理程序應(yīng)從 SRAM 執(zhí)行。（硬故障處理程序應(yīng)啟動全芯片 復(fù)位）從深度睡眠中喚醒似乎與硬故障處理程序在閃存中而不是在 SRAM 中一起工作，但對于其他一些掉電模式來說可能有所不同？
2023-03-27 06:22:28
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