在激光電源應(yīng)用上主要以ACDC為主，功率拓?fù)錇?a target="_blank">PFC+LLC。由于目前全球疫情、自然災(zāi)害等因素，導(dǎo)致進(jìn)口器件在供貨方面有很大影響，交期拉長(zhǎng)，影響出貨，很多廠(chǎng)家為了避免供貨風(fēng)險(xiǎn)，逐漸傾向于找國(guó)產(chǎn)品牌替代以緩解交期和成本上的壓力。

本文重點(diǎn)提到國(guó)產(chǎn)安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光電源設(shè)計(jì)，采用PFC+LLC的方案，如下圖所示。采用安森德4顆分立的MOS ASDM100R066NQ組成全橋LLC拓?fù)洌琍DFN5*6-8小體積封裝有利于PCB靈活布線(xiàn)，導(dǎo)通電阻低至5.9mΩ，可減少導(dǎo)通損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。

激光電源的主功率框圖

針對(duì)激光電源上的LLC主功率部分功率MOS管的選型需要注意以下幾點(diǎn)：

1、目前電壓為70V，MOS的耐壓需要留1.5倍以上的耐壓余量，防止極限工況下，電壓應(yīng)力超標(biāo);

2、由于電源的體積以及高溫環(huán)境限制，因此MOS管要選擇更低的導(dǎo)通電阻值，更小的封裝，可有效降導(dǎo)通損耗減小發(fā)熱量;

3、ID連續(xù)漏極電流需要有一定的余量，來(lái)有效抵抗過(guò)流、短路工況下，電流應(yīng)力超標(biāo);

4、由于設(shè)計(jì)的電源尺寸比較小，需要選擇較小封裝貼片的MOS管，如5*6或者8*8等。

ASDM100R066NQ封裝尺寸

國(guó)產(chǎn)安森德MOS管ASDM100R066NQ助力激光電源設(shè)計(jì)，具有幾下幾點(diǎn)優(yōu)勢(shì)：

1、最高耐壓為100V，滿(mǎn)足母線(xiàn)電壓系統(tǒng)，耐壓余量大，防止MOS管在短路等極限工況下，產(chǎn)生的電壓尖峰而損壞;

2、在VGS=10V，ID=68A測(cè)試條件下，導(dǎo)通電阻最大為2.9mΩ，可降低MOS的整體損耗，減少發(fā)熱量，提高轉(zhuǎn)換效率;

3、在VDD=50V，ID=13.5A，VGS=10V測(cè)試條件下，柵極電荷僅45nc，具有更好的開(kāi)關(guān)特性;

4、ID為68A，108W的耗散功率具有較高的電流余量;140A的峰值浪涌電流，可有效抵抗輸出短路、過(guò)流等工況;

5、采用PDFN5*6-8封裝，通用封裝可替換市面大部分廠(chǎng)商器件，封裝小可靈活的進(jìn)行PCB布局，電源小型化設(shè)計(jì);

6、成熟出貨器件，供貨交期、價(jià)格均有很好的保障。

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審核編輯：湯梓紅