）。另一方面，功率GaN的技術(shù)路線從不同的層面看還有非常豐富的種類。 ? 器件模式 ? 功率GaN FET目前有兩種主流方向，包括增強型E-Mode和耗盡型D-Mode。其中增強型GaN FET是單芯片常關(guān)器件，而耗盡型GaN FET是雙芯片常關(guān)器件（共源共柵Cascode結(jié)構(gòu)）。 ? E-
2024-02-28 00:13:00
1844 CREE的CMPA1D1E025F是款碳化硅單晶上根據(jù)氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 的單片微波集成電路 (MMIC)；選用 0.25 μm 柵極尺寸制作工藝。與硅相比較
2024-02-27 14:09:50
Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化鎵功率放大器Qorvo QPA2511 L波段碳化硅基氮化鎵功率放大器在1.2GHz至1.4GHz脈沖射頻連續(xù)波下工作。該款100W、50V
2024-02-26 23:12:06
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
請問半橋上管氮化鎵這樣的開爾文連接正確嗎？
2024-01-11 07:23:47
采用ADMU4121來驅(qū)動氮化鎵半橋電路，采樣的全隔離的驅(qū)動方案，但是現(xiàn)在上管的驅(qū)動電壓隨輸入電壓的升高而升高，不知道為啥？是因為驅(qū)動芯片的原因嗎？上管是將5V的輸入電壓由B0515隔離芯片轉(zhuǎn)化
2024-01-11 06:43:50
氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開關(guān)速度和低導通電阻等優(yōu)點，逐漸被廣泛應用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢，合理的驅(qū)動方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02412 氮化鎵功率器件是一種新型的高頻高功率微波器件，具有廣闊的應用前景。本文將詳細介紹氮化鎵功率器件的結(jié)構(gòu)和原理。 一、氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu) 氮化鎵功率器件的主要結(jié)構(gòu)是GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率
2024-01-09 18:06:41667 氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導體技術(shù)，被廣泛應用于電子設備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應用，并從不同領(lǐng)域深入探討其重要性和優(yōu)勢
2024-01-09 18:06:36302 事通訊設備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類型：封裝分立晶體管封裝類別：法蘭盤、丸狀技術(shù)應用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
也提出了更高的要求。 按照柵極特性差異，GaN分為 常開的 耗 盡型（D-mode ）和 常關(guān)的增強型（E-mode） 兩種類型；按照應用場景差異，GaN需要 隔離或非隔離、低邊或自舉、零伏或負壓關(guān)斷 等多種驅(qū)動方式。針對不同類型的GaN和各種應用場景，納芯微推出
2023-12-20 13:35:02235 
Sumitomo 是全球最大的射頻應用氮化鎵 (GaN) 器件供應商之一。住友氮化鎵器件用于通信基礎設施、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點對點無線電和其他應用。 功率氮化鎵-用于無線電鏈路和衛(wèi)星通信
2023-12-15 17:43:45
CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高遷移率晶體管(HEMT)與其他技術(shù)相比，CGHV96130F內(nèi)部適應(IM)FET具有出色的功率附加效率。與砷化鎵相比
2023-12-13 10:10:57
建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車規(guī)氮化鎵（GaN）功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯(lián)系，此次進一步合作的目標是共同開發(fā)GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應用。
2023-11-28 08:31:54170 本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
2023-11-27 17:12:011013 
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場和移動設備市場得到廣泛應用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性，適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度集成的電力電子器件，將主控MUC、反激控制器、氮化鎵驅(qū)動器和氮化鎵開關(guān)管整合到一個...
2023-11-24 16:49:22350 氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵激光芯片的用途。 一、通信領(lǐng)域 氮化鎵激光芯片
2023-11-24 11:23:151100 氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵的提取過程
2023-11-24 11:15:20720 具有出色的交流和直流性能，適合有源濾波器應用。因而AD712非常適合用作12位DAC/ADC的緩沖器以及高速積分器。同時，建立時間性能則是任何類似IC放大器所無法比擬的。使用在HIFI功放上是當之無愧的！
2023-11-23 08:09:33
。很明顯，大壓擺率賦于低延時、實時控。
4、AD823的低失調(diào)電壓（200個）：一方面，光伏并網(wǎng)逆變器的輸出功率是隨陽光強弱變化的，當在很小的輸出功率時，()采樣到的輸出交流電流也很小，因()低的失調(diào)電壓
2023-11-23 07:24:40
雖然氮化鎵（GaN）半導體在汽車應用中仍處于早期階段，它正迅速進入更高電壓領(lǐng)域?？紤]到其高功率密度和效率，氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于低壓和高壓應用，它能應用于各種汽車系統(tǒng)。GaN有潛力大幅提高整體效率，我們預計，它會對汽車工業(yè)產(chǎn)生顯著影響。
2023-11-22 13:45:31153 
氮化鎵芯片是什么？氮化鎵芯片優(yōu)缺點 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片，它被廣泛應用于高功率和高頻率應用領(lǐng)域，如通信、雷達、衛(wèi)星通信、微波射頻等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)的硅芯片相比
2023-11-21 16:15:302310 氮化鎵功率半導體器件的先鋒企業(yè) Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設計充分發(fā)揮氮化鎵晶體管的優(yōu)勢，而E-Mode設計卻必須在性能上做出妥協(xié)
2023-10-24 14:12:26531 DM9051 with AT32 MCU本應用指南將介紹如何在 AT32F4 xx 單片機上通過 DM9051 網(wǎng)卡芯片實現(xiàn)以太網(wǎng)通信，并提供基于AT32F4xx_StdPeriph_Lib 和 uIP 協(xié)議棧的源代碼 。
2023-10-19 07:16:12
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現(xiàn)高效率和高功率密度的電力應用。
2023-10-16 14:52:44544 在當今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應用。然而，為了確保氮化鎵功率器件的性能和可靠性，制定一套科學、規(guī)范的測試方案至關(guān)重要。
2023-10-08 15:13:23476 
是什么因素導致充電器充電效率高，功率大的
2023-09-27 06:25:41
I.特點
? HDMI和DVI
-符合HDMI 2.0b
-高達6Gbps TMDS比特率
-分辨率高達4096x2160p/30Hz
? 支持HDMI的直流耦合。
? 支持集成的50歐姆終端電阻器
用于高速輸入信號
? 支持輸出擺動調(diào)整和前置增強
? 支持可編程均衡比
調(diào)整視頻質(zhì)量和電纜長度
? 支持HDMI的自動輸入選擇
? 支持在活動輸入之間手動選擇
? 支持外部控制器進行輸入選擇
? 支持深彩色和RGB/YUV（4:4:4），YUV
（4:2:2）和YUV（4:2:0）顏色格式
? 嵌入式LDO穩(wěn)壓器，從5V到3.3V/1.2V
2023-09-25 06:54:16
氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu)
2023-09-19 14:50:342697 
本書系統(tǒng)地介紹了功率因數(shù)校正電路的原理和應用技術(shù)。書中詳細介紹了單相功率因數(shù)校正電路原理及控制方法（包括CCM單相Boost 型功率因數(shù)校正電路、CRM單相Boost型功率因數(shù)校正電路、交錯并聯(lián)
2023-09-19 07:12:10
氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料，具有優(yōu)異的電特性，例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強度。這使得氮化鎵功率器具有低導通電阻、高工作頻率和高開關(guān)速度等優(yōu)勢，能夠在較小體積下提供大功率和高效率。
2023-09-11 15:47:56285 的功率型分立器件針對軟開關(guān)諧振和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統(tǒng)效率?；?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。
2023-09-07 06:49:47
的功率型分立器件針對軟開關(guān)諧振和硬開關(guān)轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化，可最大限度提高低功率和高功率應用的系統(tǒng)效率。基于氮化鎵的最新產(chǎn)品具備更高的能源效率，并支持面向廣泛的應用提供更緊湊的電源設計。意法半導體的數(shù)字電源解決方案可以使用專用的評估板、參考設計、技術(shù)文檔和eDesignSuite軟件配置器和設計工具來實現(xiàn)
2023-09-06 07:44:16
功率器件在工業(yè)應用中的解決方案，議程分為：功率分立器件概覽 、 IGBT產(chǎn)品3、高壓MOSFET 、 碳化硅Mosfet、碳化硅二極管和整流器、氮化鎵PowerGaN、工業(yè)電源中的應用和總結(jié)八個部分。
2023-09-05 06:13:28
下面介紹排版慣例以及如何提供反饋：
排版慣例使用以下排版慣例：
等寬表示可以在鍵盤上輸入的文本，例如命令、文件名和程序名以及源代碼。
等距表示命令或選項的允許縮寫。
可以輸入帶下劃線的文本，而不是
2023-08-30 08:17:23
氮化鎵功率器件具有較低的導通阻抗和較高的開關(guān)速度，使其適用于高功率和高頻率應用，如電源轉(zhuǎn)換、無線通信、雷達和太陽能逆變器等領(lǐng)域。由于其優(yōu)異的性能，氮化鎵功率器件在提高功率密度、提高系統(tǒng)效率和減小尺寸方面具有很大的潛力。
2023-08-24 16:09:151942 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SAS3808N Tri-Mode IOC產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費下載
2023-08-23 15:13:33
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SAS3516 Tri-Mode ROC產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費下載
2023-08-23 10:54:390 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SAS3408 Tri-Mode IOC產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費下載
2023-08-22 16:37:340 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SAS3908 Tri-Mode ROC產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費下載
2023-08-22 14:44:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SAS3808 Tri-Mode IOC產(chǎn)品介紹.pdf》資料免費下載
2023-08-22 10:36:340 。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它
2023-08-21 17:06:18
。Nexperia（安世半導體）在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，從 GaN FET 到其他硅基功率器件， Nexperia（安世半導體）豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。
2023-08-10 13:55:54500 這是以電源IC AN7115為主要部分搭建的微型音頻放大器電路。通常，使用 9VDC 電源和 4Ω 揚聲器時，該放大器將提供約 2.1W 的功率。當電源電壓（Vcc）為9.0VDC、THD=10%、RL=8Ω時，AN7114的輸出功率可達1.4W，噪聲輸出為3mV。
2023-08-02 15:33:10412 
相對于傳統(tǒng)的硅材料，氮化鎵電源在高功率工作時產(chǎn)生的熱量較少，因為氮化鎵具有較低的電阻和較高的熱導率。這意味著在相同功率輸出下，氮化鎵電源相對于傳統(tǒng)的硅電源會產(chǎn)生較少的熱量。
2023-07-31 15:16:233605 氮化鎵功率器件多用于充電器領(lǐng)域，出貨量很大。并陸續(xù)擴展到車載OBC、數(shù)據(jù)中心的電源、分布式電源等應用。最近羅姆發(fā)布EcoGaN? Power Stage IC “BM3G0xxMUV-LB”。該產(chǎn)品
2023-07-27 11:06:201179 
R2A20112SP/DD 數(shù)據(jù)表 (Critical Conduction Mode Interleaved PFC Control IC)
2023-07-13 19:23:530 ; CP1342AMDCDAD1R2G安森美65W氮化鎵快充電源IC 產(chǎn)品介紹：NCP1342準諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調(diào)制)控制器，旨在
2023-07-11 11:31:20
安森美65W氮化鎵PD充電器芯片 產(chǎn)品介紹：NCP1342準諧振反激控制器是一種高度集成的高頻PWM(脈寬調(diào)制)控制器，旨在簡化高性能脫機功率變換器的設計。NCP13
2023-07-05 15:24:23
NP83P06PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 20:17:160 NP100P06PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 20:17:040 NP83P04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 20:13:510 NP100P04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-30 20:00:430 NP110N04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-26 20:55:200 NP82N06PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-26 20:54:420 NP82N04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-06-26 19:41:180 功率/高頻射頻晶體管和發(fā)光二極管。2010年，第一款增強型氮化鎵晶體管普遍可用，旨在取代硅功率MOSFET。之后隨即推出氮化鎵功率集成電路- 將GaN FET、氮化鎵基驅(qū)動電路和電路保護集成為單個器件
2023-06-25 14:17:47
的性能已接近理論極限[1-2]，而且市場對更高功率密度的需求日益增加。氮化鎵(GaN)晶體管和IC具有優(yōu)越特性，可以滿足這些需求。
氮化鎵器件具備卓越的開關(guān)性能，有助消除死區(qū)時間且增加PWM頻率，從而
2023-06-25 13:58:54
GaN功率半導體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
AN011: NV612x GaNFast功率集成電路(氮化鎵)的熱管理
2023-06-19 10:05:37
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
前言
橙果電子是一家專業(yè)的電源適配器，快充電源和氮化鎵充電器的制造商，公司具有標準無塵生產(chǎn)車間，為客戶進行一站式服務。充電頭網(wǎng)拿到了橙果電子推出的一款2C1A氮化鎵充電器，總輸出功率為65W，單口
2023-06-16 14:05:50
電機逆變器功率開關(guān)的比較電機逆變器:三相拓撲?IGBT:行業(yè)“主力”開關(guān)速度慢，損耗低?MOSFET:更快的開關(guān)，更好?氮化鎵:幾乎沒有開關(guān)損耗
2023-06-16 11:31:56
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅(qū)動器?應用示例；高功率開關(guān)電源?結(jié)論
2023-06-16 10:09:51
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現(xiàn)氮化鎵器件、驅(qū)動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數(shù)字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
超低的電阻和電容，開關(guān)速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關(guān)頻率，已經(jīng)從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
的存在。1875年，德布瓦博德蘭（Paul-émile Lecoq de Boisbaudran）在巴黎被發(fā)現(xiàn)鎵，并以他祖國法國的拉丁語 Gallia (高盧)為這種元素命名它。純氮化鎵的熔點只有30
2023-06-15 15:50:54
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結(jié)合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結(jié)構(gòu)的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化鎵為單開關(guān)電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優(yōu)勢。和傳統(tǒng)慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關(guān)頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小：GaNFast? 功率芯片，可實現(xiàn)比傳統(tǒng)硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節(jié)約方面，它最高能節(jié)約 40% 的能量。
更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
2023-06-15 15:32:41
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術(shù)研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產(chǎn)，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
氮化鎵(GaN)功率芯片，將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中，氮化鎵功率芯片，能令先進的電源轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)，從學術(shù)概念和理論達到
2023-06-15 14:17:56
基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:15384 業(yè)內(nèi)唯一可同時提供級聯(lián)型（cascade）和增強型（e-mode）氮化鎵器件的供應商。
2023-05-10 11:23:31820 首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:51420 
NP110N04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-05-06 19:09:180 NP82N06PDG 數(shù)據(jù)表
2023-05-06 19:08:400 NP82N04PDG 數(shù)據(jù)表
2023-05-05 19:48:410 合封氮化鎵芯片是一種新型的半導體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點。與傳統(tǒng)的半導體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個半導體器件集成在一個芯片上，使得器件的體積更小、功率
2023-04-11 17:46:231327 智融SW3536是一顆支持1A1C雙USB口輸出的降壓控制器芯片，內(nèi)置多快充協(xié)議，支持雙口功率盲插，支持雙口獨立限流。內(nèi)置的同步降壓轉(zhuǎn)換器支持7A大電流輸出，可使用氮化鎵開關(guān)管，以獲得更小的體積
2023-04-04 17:53:37
R2A20112SP/DD 數(shù)據(jù)表 (Critical Conduction Mode Interleaved PFC Control IC)
2023-03-30 19:52:440 AP7115-25SEG
2023-03-28 14:52:17
，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機功耗
2023-03-28 10:31:57
電壓，可直接用于驅(qū)動氮化鎵功率管；芯片工作于帶谷底鎖定功能的谷底開啟模式，同時集成頻率抖動功能以優(yōu)化 EMI 性能；當負載降低時，芯片從 PFM 模式切換至 BURST 模式工作以優(yōu)化輕載效率，空載待機
2023-03-28 10:24:46
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