)- **通道類型：** N—Channel溝道- **漏極-源極電壓（VDS）：** 40V- **漏極-源極電流（ID）：** 123A- **導通電阻（RDS(ON)）
2024-02-19 16:27:26
**NP40N10PDF-VB****絲印：** VBL1104N **品牌：** VBsemi **參數：** TO263；N—Channel溝道, 100V；45A
2024-02-19 15:14:12
**產品型號：** SIR462DP-T1-GE3-VB**絲印：** VBQA1308**品牌：** VBsemi**參數：**- 封裝：DFN8(5X6)- 溝道類型：N-Channel- 額定
2024-02-19 14:42:26
;- N—Channel溝道 - 額定電壓：30V - 最大電流：80A - RDS(ON)：7mΩ @ VGS=10V, VGS=2
2024-02-03 14:24:45
8(5X6) - 溝道類型: N—Channel - 額定電壓(VDS): 100V - 額定電流(ID): 100A - 導
2024-02-03 13:43:26
型號：STD100N10F7-VB絲印：VBE1101N品牌：VBsemi參數：- 封裝：TO252- 溝道類型：N—Channel- 最大耐壓：100V- 最大電流：70A- 開態電阻：RDS
2024-02-03 10:54:37
型號: SI7852ADP-VB絲印: VBQA1806品牌: VBsemi參數:- 封裝: DFN8(5X6)- 溝道類型: N-Channel- 最大電壓(Vds): 80V- 最大電流(Id
2024-02-02 16:57:27
變大。
如果在柵源之間加負向電壓，溝道電阻會越來越小失去控制的作用。漏極和源極可以互換。
2、絕緣柵型場效應管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強型和耗盡型。
N溝道增強型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型
2024-01-30 11:51:42
電壓時導電溝道是低阻狀態，加上控制電壓溝道電阻逐漸變大。
2、絕緣柵型場效應管分為N溝道和P溝道，每一種又分為增強型和耗盡型。
N溝道增強型MOS管在其柵源之間加正向電壓，形成反型層和導電溝道，溝道電阻
2024-01-30 11:38:27
產品概述 DK5V100R10VN是一款簡單高效率的同步整 流芯片。芯片內部集成了100V功率NMOS管，可 以大幅降低二極管導通損耗，提高整機效率，取 代或替換目前市場上等規的肖特基
2024-01-27 16:58:41
產品概述 DK5V100R10ST1是一款簡單高效率的同步 整流芯片，只有A，K兩個引腳，分別對應肖特 基二極管PN管腳。芯片內部集成了100V功率 NMOS管，可以大幅降低二極管導通損耗
2024-01-27 16:56:04
Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創新型封裝為 AOS 產品賦予了卓越的散熱性能，使其在長期惡劣的運行條件下仍能保持穩定的性能。
2024-01-26 18:25:15
1382 H6203G 是一款150V高耐壓芯片支持100V轉3.3V 100V轉5V 100V轉12V。
產品描述
H6203G是一種內置150V耐壓MOS，支持輸入高達120V的高壓降壓開關控制器，可以向負載
2024-01-26 14:13:26
產品不適合電動車控制器比如80V100A、150A、200A等需要抗大電流沖擊的應用領域。最適合用的領域就是芯片+mos管的驅動方式、5A以內的普通邏輯開關或者高頻開關應用。
惠海MOS管在典型應用領域
2024-01-20 15:30:35
：- **溝道類型：** N—Channel- **最大溝道電壓：** 60V- **最大持續電流：** 100A- **導通電阻：** RDS(ON)=3mΩ @
2024-01-02 15:59:28
型號：MDU1514URH-VB絲印：VBQA1308品牌：VBsemi參數：- 封裝類型：DFN8(5X6)- 溝道類型：N—Channel- 最大漏電壓（Vds）：30V- 最大漏極電流（Id
2023-12-29 11:22:19
型號: SI7850DP-T1-E3-VB絲印: VBQA1638品牌: VBsemi參數:- 封裝類型: DFN8(5X6)- 溝道類型: N-Channel- 額定電壓: 60V- 最大電流
2023-12-29 11:10:55
場效應晶體管（Field Effect Transistor，FET）是一種利用電場效應來控制電流的半導體器件。根據導電溝道的類型，場效應晶體管可以分為n溝道和p溝道兩種類型。本文將對n溝道MOS
2023-12-28 15:28:282894 
型號：CMU12N10-VB絲印：VBFB1101M品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：100V- 最大連續電流：15A- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：115m
2023-12-21 15:47:19
型號：12N10-VB絲印：VBE1101M品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：100V- 最大連續電流：18A- 靜態導通電阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V
2023-12-21 10:55:58
, 5mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 閾值電壓（Vth）：1.79V- 封裝類型：DFN8(5X6)應用簡介：MDU1517RH-VB是一款N溝道功率MO
2023-12-20 15:52:36
型號：ME20N10-VB絲印：VBE1101M品牌：VBsemi參數：N溝道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V
2023-12-20 11:10:43
型號：SUD40N10-25-E3-VB絲印：VBE1104N品牌：VBsemi參數：N溝道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth
2023-12-20 10:39:02
型號：FDD3672-VB絲印：VBE1104N品牌：VBsemi參數：N溝道,100V,40A,RDS(ON),30mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V
2023-12-20 10:32:42
型號：ME15N10-VB絲印：VBE1101M品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：100V- 額定電流：18A- 開通電阻（RDS(ON)）：115mΩ @ 10V
2023-12-19 11:01:35
型號：SIR802DP-T1-GE3-VB絲印：VBQA1302品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：160A- 導通電阻（RDS
2023-12-14 15:34:43
型號：SI7478DP-T1-GE3-VB絲印：VBQA1606品牌：VBsemi參數：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：60V- 最大連續電流：90A- 靜態開啟電阻（RDS(ON)）：6
2023-12-14 11:59:15
Ω @ 10Vgs- 閾值電壓（Vth）：3.5V- 封裝類型：TO252應用簡介：FQD6N40CTM-VB是一款高耐壓N溝道MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管），
2023-12-13 17:18:09
型號：UT100N03L-VB絲印：VBM1303品牌：VBsemi詳細參數說明：- 類型：N溝道MOSFET- 額定電壓（Vds）：30V- 額定電流（Id）：120A- 導通電阻（RDS
2023-12-13 15:30:53
型號：15N10 TO252-VB絲印：VBE1101M品牌：VBsemi詳細參數說明：- 溝道類型：N溝道- 額定電壓：100V- 額定電流：18A- 靜態電阻：115mΩ @ 10V, 121m
2023-12-13 14:29:03
VBsemi推出了ZXMN10A07ZTA型號的MOS管，該產品以VBI1101M為絲印型號。這款MOS管屬于N溝道型晶體管，具備出色的性能指標。它的最大工作電壓可達100V，最大工作電流為3.1A
2023-11-30 16:15:59
AOD603A（VBE5638）是一款N+P溝道MOS型晶體管，采用TO252-5封裝。該產品具有±60V的耐壓能力和35A的正向電流承載能力，以及-18A的反向電流承載能力。其導通電阻RDS
2023-11-29 16:53:53
AOD482是由VBsemi品牌推出的一款MOS管產品，絲印型號為VBE1104N。該產品屬于N溝道類型，可承受最高100V的電壓和40A的電流。其RDS(ON)參數為30mΩ（在10V工作電壓
2023-11-29 16:52:11
Transistor（金屬氧化物半導體場效應管）的縮寫。它一般有耗盡型和增強型兩種。這里我們以增強型MOS為例分析。
場效應管是由源極，漏極，柵極組成，由于襯底的摻雜不同可分為N溝道和P溝道場效應管。（溝道
2023-11-28 15:53:49
電路和外置場效應晶體管驅動電路等，具有外部元件少，電路簡單等優點。
當接通輸入電源后，FS4067進 入充電狀態，控制外置N溝道MOSFET導通，電感電流上升，當上升到外部電流檢測電阻設置的上限時，外置
2023-11-21 12:14:43
請問：CMOS管的功耗與MOS管的導電溝道的關系？
2023-11-20 07:01:20
Features
? 9V to 100V input voltage range
? 1.5A/5A continuous output current
? 95% Peak Efficiency
2023-11-09 15:48:40
型號 IPD78CN10N G絲印 VBE1106N品牌 VBsemi詳細參數說明 極性 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 25A 開通電阻（RDS(ON)） 55mΩ @ 10V
2023-11-06 10:34:32
Ω @ 10V, 20Vgs (±V) 閾值電壓 3.2V 封裝類型 TO252詳細參數說明 PSMN025100D是一款N溝道MOS管，適用于最大100V的工作電壓，最大
2023-11-03 15:21:13
1.9Vth (V) 封裝類型 DFN8 (5X6)應用簡介 SIR422DPT1GE3是一款N溝道MOSFET，適用于各種電源管理和功率放大器應用。具有較高的
2023-11-03 13:55:28
型號 STD10NF10T4絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導通電阻 115mΩ@10V, 121m
2023-11-03 13:44:15
型號 CMD12N10絲印 VBE1101M品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 18A RDS(ON) 115mΩ @ 10V，121m
2023-11-03 11:03:51
型號 FDT86113LZ絲印 VBJ1101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 5A 導通電阻 100mΩ@10V, 120m
2023-11-02 11:37:02
;100V 額定電流(ID) 70A 開通電阻(RDS(ON)) 18mΩ@10V, 22mΩ@4.5V &nbs
2023-11-02 11:26:58
型號 15N10 TO251絲印 VBFB1101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 15A 導通電阻 115mΩ @10V
2023-11-01 13:45:32
型號 RSD050N10TL絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導通電阻 115mΩ @10V
2023-10-31 14:54:56
型號 FDC3512絲印 VB7101M品牌 VBsemi詳細參數說明 類型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 3.2A 導通電阻 100mΩ @10V, 127m
2023-10-31 10:23:37
)；TO263該產品具有以下詳細參數說明 類型 N溝道功率場效應管 最大耐壓 100V 最大漏極電流 45A 導通時的電阻（RDS(ON)） 32mΩ@10V
2023-10-31 10:12:53
CED12N10詳細參數說明 極性 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 15A 導通電阻 115mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-10-30 16:06:33
型號 FQU13N10L絲印 VBFB1101M品牌 VBsemi參數 頻道類型 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 15A RDS
2023-10-30 14:13:32
供應APG095N01 100v 65a 的mos管-G095N01 mos管主要參數，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供APG095N01 規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 17:14:45
FDC5661N詳細參數說明 - 極性 N溝道- 額定電壓 60V- 額定電流 7A- 導通電阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V- 門源電壓 20Vgs (±V
2023-10-27 17:10:05
供應APG082N01 n溝道mos管100v 100a-電源適配器mos管規格書，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供APG082N01規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 16:38:06
0 供應APG082N01 100v控制器mos管銓力N通道增強型MOSFET管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供APG082N01規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-27 16:35:09
ZXMN6A07ZTA (VBI1695)參數說明：N溝道，60V，5A，導通電阻76mΩ@10V，88mΩ@4.5V，門源電壓范圍20V(±V)，閾值電壓1~3V，封裝：SOT89-3。應用簡介
2023-10-27 10:30:17
供應AP40N100LK耐壓100v貼片mos管-40N100管子，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP40N100LK規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-10-23 17:23:43
特點
9V 至 100V 的輸入電壓范圍功率管 4A 電流限制
2A 連續負載電流
93%峰值效率
400μA 工作靜態電流
集成 100V/400mΩ的 NMOS 管
峰值電流控制模式
300
2023-10-23 15:03:33
DMTH10H4M5LPS 產品簡介DIODES 的 DMTH10H4M5LPS 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該
2023-09-19 13:30:37
DMTH10H2M5STLW 產品簡介DIODES 的 DMTH10H2M5STLW 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少(R DS(ON) )， 同時保持卓越
2023-09-19 12:36:29
DMTH10H072LPS 產品簡介DIODES 的 DMTH10H072LPS 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該
2023-09-19 11:55:10
DMTH10H010LCTB 產品簡介DIODES 的 DMTH10H010LCTB 這種新一代N溝道增強型MOSFET設計用于最小化RDS（ON），同時保持卓越的切換表演該設備是高效電源
2023-09-19 11:39:39
DMTH10H009LPS 產品簡介DIODES 的 DMTH10H009LPS 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該
2023-09-19 11:26:18
DMT10H4M5LPS 產品簡介DIODES 的 DMT10H4M5LPS 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該器件
2023-09-18 13:23:02
DMT10H015LCG 產品簡介DIODES 的 DMT10H015LCG 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該器件
2023-09-18 11:23:58
DMT10H010LPS 產品簡介DIODES 的 DMT10H010LPS 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該器件
2023-09-18 11:18:46
DMT10H009SCG 產品簡介DIODES 的 DMT10H009SCG 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該器件
2023-09-18 11:05:00
DMT10H009LPS 產品簡介DIODES 的 DMT10H009LPS 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該器件
2023-09-18 10:56:52
DMT10H009LCG 產品簡介DIODES 的 DMT10H009LCG 這款新一代 N 溝道增強型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時保持卓越的開關性能。該器件
2023-09-18 10:29:47
Features 100V, 75ARDS(ON)
2023-09-02 17:13:59
mos管p溝道n溝道的區別 MOS管是一種主流的場效應晶體管，分為p溝道MOS管和n溝道MOS管兩種類型。這兩種MOS管的區別主要在于導電性質、靜態特性、輸入電容、噪聲功率和門極結色散等方面
2023-08-25 15:11:258265 PL8311是寶礫微電子推出的一款36V，1.5A單片式降壓型開關穩壓器。 PL8311集成了36V 250mΩ高側和36V，140mΩ低側MOSFET，可在4.5V至36V寬工作輸入電壓范圍內提供
2023-08-23 17:07:49
供應AP8205 雙n mos 20v6A 絲印：8205A-銓力mos管，是ALLPOWER銓力半導體代理商，提供AP8205規格參數等，更多產品手冊、應用料資請向驪微電子申請。>>
2023-08-22 17:07:51
（Ta=25°C）：70W(Tc) 類型：N溝道 N溝道 600V 4A。應用場景：適用于高效率開關電源、電機驅動器和照明應用等，可用于電源因數校正（PFC）電路中
2023-08-21 10:49:56
原廠代理寶礫微
PL83081是一款 PWM 控制器，專為高性能同步 Buck DC/DC 應用設計，輸入電壓為3.0 V 至24 V。PL83081采用恒開時間控制。根據 FREQ 引腳和 GND
2023-08-16 11:33:09
的場合可以相互更換。
2.1N4148為小電流開關管，耐壓100V。
3.1N4007為整流管，1A-1000V。有許多類型的替代模型。
應用差異
一般來說，我們在使用續流二極管時大多
2023-07-31 16:07:44
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1碳化硅二極管，耐壓650V 6A DFN5*6封裝，原裝，庫存現貨熱銷 美浦森推出的碳化硅二極管具有更高的過電壓安全裕量，可提升全負載條件下
2023-07-05 16:00:20
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森DFN5*6封裝650V6A碳化硅二極管，原裝，庫存現貨熱銷MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5*6
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供應MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二極管DFN5*6，原裝，庫存現貨熱銷 MSM06065G1 品牌：美浦森 封裝：DFN5
2023-07-05 15:50:06
RBA250N10CHPF-4UA02 100V – 250A – N 溝道功率 MOS FET 應用：汽車
2023-07-04 20:37:360 X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產品適用于數據中心和通信基站所用的工業設備電源線路上的開關電路和熱插拔電路[1]等應用。該產品于今日開始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業界領先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導通電阻，比東芝目前100V產品“
2023-07-03 14:48:14477 
點擊“東芝半導體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10
2023-06-29 17:40:01368 
供應PTS4842 MOS場效應管-30V/7.7A雙N溝道高級功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:45:17
供應HY3810NA2P 100V180An溝道增強型場效應管，提供HY3810NA2P 100v mos管手冊及關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:23:141 供應HY3810NA2P TO-220AB 100v耐壓mos管100V/180A N溝道增強型MOSFET，提供HY3810NA2P關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請。>>
2023-06-10 14:21:45
供應功率mos管10N65L-ML UTC 10A，650V，提供-10n65參數及代換 ，更多產品手冊、應用料資請向深圳市驪微電子申請 。>>
2023-06-09 15:24:46
*附件：power1.pdf
遇到一個電源板無法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護設計。正常啟動時Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導通，經過后級U9基準和U27運放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
PL30502是寶礫微電子推出的20V同步升壓轉換器，內置柵極驅動器，可斷開負載。 PL30502集成了兩個低導通電阻功率FET：一個7mΩ的開關FET和一個7mΩ的整流FET。PL
2023-05-30 14:54:09
中國—— 意法半導體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 保護和過溫保護。
SL3041 外圍電路簡單，封裝采用ESOP8
特點
3A輸出峰值電流
10V至100V寬工作電壓范圍
內置功率MOSFET
110KHZ固定開關頻率
軟啟動
輸出短路保護
2023-05-24 16:39:12
Boost升壓電路，DC60-DC72大功率用于電動車增速使用，MOSFET管燒壞導致短路，這種管子網上找不到啊，可以用什么代替？
LR080N10S3-A
LR080N10S3-D
2023-05-21 11:55:34
描述BL6N120，硅N溝道增強MOSFET，由先進的MOSFET獲得降低傳導損耗的技術，提高開關性能并增強雪崩能量。晶體管適合用于開關電源、高速開關和通用應用程序。特點? 快速切換? 低Crss
2023-05-16 16:28:47
MOSFET(MOS管)中的“開關”時間可以改變電壓嗎？
2023-05-16 14:26:16
limit of 3.5A, typically. The wide 5Vto 100V input range accommodates a variety
2023-04-21 15:36:47
概述SL3041 是一款內部集成有功率MOSFET管可設定輸出電流的降壓型開關穩壓器。可工作在寬輸入電壓范圍具有優良的負載和線性調整。寬范圍輸入電壓（10V至100V）可提供最大3A電流的高效率輸出
2023-04-20 10:19:11
PL1201 鋰電充電芯片產品型號供貨狀態模式串數(s)鋰離子（V）磷酸鐵鋰輸入電壓(V)充電電流(A)靜態電流（uA）指示燈輸入過壓(V)輸入欠壓(V)封裝PL1201量產Linear Charger14.20/4.35N4.5-241.22Y6.53.9ESOP8DFN3x3-10
2023-04-07 14:11:45
對于N溝道增強型MOS管而言，為何漏源電壓增大到一定反型層會消失？此時柵極和襯底間不是仍然有一個正壓嗎
2023-03-31 15:31:55
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