全球領(lǐng)先的存儲解決方案供應(yīng)商西部數(shù)據(jù)，在2023年宣布了重大的業(yè)務(wù)分拆計劃，旨在將其HDD機械硬盤業(yè)務(wù)和Flash閃存及SSD固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)進行拆分，各自獨立成為新的公司。這一戰(zhàn)略決策旨在更好地適應(yīng)市場變化，提升業(yè)務(wù)運營效率，并促進各業(yè)務(wù)的持續(xù)發(fā)展。
2024-03-11 11:07:13
206 自2021年起，西部數(shù)據(jù)及合作方鎧俠一直著手探討合并事宜，以便共同掌控占據(jù)全世界NAND閃存市場三分之一份額的市場份額。然而，2023年10月的合并協(xié)商陷入停滯，此后西部數(shù)據(jù)宣布，他們將逐步剝離受供應(yīng)過盛所困的閃存業(yè)務(wù)
2024-03-06 16:57:07243 我有一個 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個 NOR 閃存，我可以從中將固件讀取到 RAM，然后 NOR 閃存的一部分內(nèi)存應(yīng)該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲設(shè)備。
我應(yīng)該采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:3058 
我嘗試在藍牙模塊CYBT-343026-01（CYW20706）上下載應(yīng)用程序到串行閃存，但失敗了。
第一步是按照 AIROC? HCI UART 控制協(xié)議文檔（見下文）的指示向模塊發(fā)送
2024-03-01 11:59:18
Lin 進一步補充道，盡管以往日本并非外國銀行拓展的理想之地，因其負(fù)利率導(dǎo)致這些銀行難以實現(xiàn)利潤。然而，近年來，諸如七家臺灣銀行 - 玉山商業(yè)銀行、彰化銀行等紛紛在日本開設(shè)分行，這已是芯片產(chǎn)業(yè)繁榮發(fā)展的有力證據(jù)。
2024-02-23 16:02:20455 ; 沒有這樣的文件或目錄\"。
似乎串行閃存庫尚未設(shè)置。在庫管理器1.0下，而我使用的是庫管理器2.0，在管理器2.0下找不到串行閃存庫。
在此先謝謝。
2024-01-24 07:09:52
NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個存儲單元都有一個地址，可以直接訪問任何存儲單元，這使NOR Flash具有快速的隨機訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 14:37:05292 對于DRAM業(yè)務(wù)，這個公司的主要是低端市場，如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品，且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā)，以便完善標(biāo)準(zhǔn)接口DRAM產(chǎn)品線，推動DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展，滿足客戶需求。
2023-12-27 13:58:31247 FLASH閃存是一種非易失性內(nèi)存，閃存在沒有電流供應(yīng)的條件下也能夠長久地保持?jǐn)?shù)據(jù)，其存儲特性相當(dāng)于硬盤，這項特性正是閃存得以成為各類便攜型數(shù)字設(shè)備的存儲介質(zhì)的基礎(chǔ)。
2023-12-15 14:06:27419 Nor Flash采用NOR門結(jié)構(gòu)，其中每個存儲單元都有不同的地址用于直接訪問。這種并行訪問功能可以實現(xiàn)高效的隨機訪問和快速的數(shù)據(jù)檢索。
2023-12-05 15:21:59363 選擇Nor Flash作為存儲解決方案的一個主要原因就是Nor Flash的并行訪問結(jié)構(gòu)可實現(xiàn)快速讀取速度和低讀取延遲。
2023-12-05 14:32:31275 閃存編程也不涉及將數(shù)據(jù)寫入存儲單元，為確保準(zhǔn)確編程，Nor Flash 支持字節(jié)級編程，允許寫入或修改單個字節(jié)，而無需擦除整個塊。
2023-12-05 14:03:22390 Nor Flash是一種非易失性存儲技術(shù)，用于存儲數(shù)據(jù)和代碼。它是一種閃存存儲器，類似于NAND Flash，但具有不同的特性和應(yīng)用場景。
2023-12-05 13:57:37837 NOR FLASH是一種非易失性存儲技術(shù)，對計算機存儲具有重大影響，閃存其獨特的特性和功能影響著計算機存儲系統(tǒng)的各個方面
2023-12-05 10:32:31332 PY25Q128HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計用于各種大容量的基于消費者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁面擦除粒度也是數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，消除了對額外數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的需要。
2023-11-30 16:38:00267 
NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
PY25Q64HA是一種串行接口閃存設(shè)備，設(shè)計用于各種大容量的基于消費者的應(yīng)用程序，其中程序代碼從閃存隱藏到嵌入式或外部RAM中進行執(zhí)行。該設(shè)備靈活的擦除架構(gòu)，其頁面擦除粒度也是數(shù)據(jù)存儲的理想選擇，消除了對額外數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的需要。
2023-11-29 16:45:57390 
NOR Flash。 全球 NOR Flash 廠商主要有美光科技、飛索半導(dǎo)體(Spansion）、旺宏、華邦等 IDM 企業(yè)。全球 NAND Flash 廠商主要有三星電子、東芝、SK 海力士、美光科技四家 IDM 企業(yè)。
2023-11-23 09:36:17909 
2023年至第三季度，恒爍股份的研發(fā)投資為6945.60萬元人民幣。重點研發(fā)項目主要包括nor閃存芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、通用mcu芯片升級研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目、CiNOR 存算一體 ai推理芯片研發(fā)項目。第二，在公司新的業(yè)務(wù)方面，基于mcu的tinyml解決方案也是公司重點研發(fā)投資方向。
2023-11-09 12:00:35479 西部數(shù)據(jù)（Western Digital）宣布計劃將其閃存業(yè)務(wù)與硬盤驅(qū)動器業(yè)務(wù)分拆為兩家獨立上市的公司。這一決定是為了滿足激進投資者埃利奧特（Elliott Management）的要求，并因應(yīng)市場變化和競爭壓力。
2023-11-01 16:15:46404 地解釋它們之間的差異。 1. FLASH存儲器結(jié)構(gòu) NOR Flash和NAND Flash的主要區(qū)別在于它們的存儲器結(jié)構(gòu)。 NOR Flash 的存儲器結(jié)構(gòu)
2023-10-29 16:32:58646 i.MX RT500/600系列上串行NOR Flash雙程序可交替啟動設(shè)計
2023-10-27 09:36:12236 
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
恩智浦i.MX RT1060/1010上串行NOR Flash冗余程序啟動設(shè)計
2023-09-26 16:53:52364 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用STARTUPE3對并行NOR閃存進行配置后訪問的UltraScale FPGA應(yīng)用說明.pdf》資料免費下載
2023-09-14 15:18:20
1 NAND Flash 和NOR Flash 的差別在哪兒呢？從字面意思上看， NAND = not AND(與非)，NOR = not OR(或非)，也有可能是NMOS AND/OR。同為非揮發(fā)
2023-09-11 16:59:231901 
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件，在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-09-05 10:09:341663 
點擊上方 藍字 關(guān)注我們 NOR閃存已作為FPGA（現(xiàn)場可編程門列陣）的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)
2023-08-15 13:55:02330 
）接口提高了系統(tǒng)性能，簡化了設(shè)計，并降低了系統(tǒng)成本。Serial Nor Flash的最新八進制系列產(chǎn)品包括：八進制（xSPI）Flash、八進制RAM和八進制MCP。OctaBus Memory將閃存和RAM存儲器集成到同一數(shù)據(jù)I/O總線中，將引腳數(shù)量減少到12個。
2023-08-11 15:45:32896 
引言：串行Nor Flash是一類使用比較多的存儲器件，在特殊應(yīng)用場景中具有不可替代的地位，本節(jié)是數(shù)字存儲器件系列第一節(jié)，介紹串行Nor Flash的結(jié)構(gòu)和參數(shù)特性。
2023-08-11 15:44:221074 
制造商: Winbond 產(chǎn)品種類: NOR閃存
2023-08-04 12:46:29
近年來，在物聯(lián)網(wǎng)和消費電子產(chǎn)品的需求下，特別是在各種新興應(yīng)用的推動下，NOR?Flash迎來了低谷翻轉(zhuǎn)的機遇。不僅中高容量價格穩(wěn)定，而且低容量NOR?Flash價格的下降也大大縮小。特別是在TWS
2023-07-31 14:33:10460 阿里云、華為云、騰訊云等云服務(wù)商都有強大的云代理商資源，通過云代理商資源進行云業(yè)務(wù)拓展和運營，在自身渠道拓展之外開辟另外的主戰(zhàn)場;同時，通過云代理的機制加強和行業(yè)重點客戶、上下游目標(biāo)客戶、生態(tài)合作客戶等群體的聯(lián)系，提升整體業(yè)務(wù)質(zhì)態(tài)。
2023-07-14 15:15:501062 Flash閃存是一種存儲器,主要用于一般性程序存儲，以及電腦與其他數(shù)字產(chǎn)品間交換傳輸數(shù)據(jù)。根據(jù)內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)不同,Flash主要有兩種，NOR Flash和NAND Flash。
2023-06-12 17:08:26468 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001982 我們知道外部串行NOR Flash是接到i.MXRT的FlexSPI外設(shè)引腳上，有時串行NOR Flash啟動也叫FlexSPI NOR啟動。
2023-06-02 17:43:28928 
我需要為生產(chǎn)目的對 ESP8285 IC 進行閃存編程。我正在尋找可以在 3 秒內(nèi)完成此操作的 SPI 閃存編程器，而不是通常需要 24 秒/芯片的串行方法。
有人知道嗎？
2023-05-31 10:11:19
我正在使用 S32K312，我需要使用 RTD 連接 Spansion S25 閃存，我正在使用 Lpspi_Ip_SyncTransmit() 函數(shù)來傳輸和接收數(shù)據(jù)，但是函數(shù)描述告訴長度參數(shù)是要發(fā)送的字節(jié)數(shù)，但是我們?nèi)绾尾拍苁褂孟嗤暮瘮?shù)接收所需的字節(jié)數(shù)？
2023-05-29 06:05:57
和 26（U0TXD，U0RXD）。有與 SD_Data_2 和 3（引腳 18 和 19）的連接，所以我的問題是 - 我可以使用 18 和 19 通過串行連接進入閃存模式，還是我有一塊不是為訪問通常的串行引腳而設(shè)計的板？在無法訪問 25 和 26 的情況下，他們?nèi)绾卧谏a(chǎn)環(huán)境中閃現(xiàn)這個東西？
2023-05-26 10:02:03
為了避免在一些用于測試 ESP8266 固件的串行終端和一些閃存編程工具之間切換，我制作了自己的小 win 程序，它將這兩個任務(wù)合并到一個 exe 中。
如果 USB2UART 橋的 RTS
2023-05-24 07:39:04
記：S32G_QSPI_NOR_20211125_V3.pdf。不幸的是，在中文中，為 MT35XU256ABA1G12-0AAT 提供了 QSPI 重新配置數(shù)據(jù)，與我們的非常相似：
LUT@0x244（從閃存基地址 0
2023-05-22 09:35:01
我對從 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 閃存感到頭疼。
該板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
我有一個帶有兩個 rt600 處理器的設(shè)置，其中只有一個連接了閃存。
我想從閃存啟動一個處理器，然后該處理器通過串行連接將圖像發(fā)送到另一個處理器。
兩個圖像都需要經(jīng)過身份驗證。我已經(jīng)成功地為第一個
2023-05-18 06:56:48
了 evkmimxrt1160_flexspi_nor_config.c 中的閃存配置。
代碼編譯但在我運行它時永遠不會進入主要狀態(tài)（請參見下面的屏幕截圖）：
知道我哪里出錯了嗎？我附上了 MCUXpresso 項目。
2023-05-18 06:28:12
是 0x90000000
根據(jù)文檔（表 1. 系統(tǒng)內(nèi)存映射）
兩者都是有效的（ DRAM - GPP DRAM 區(qū)域#1（ 0-2 GB））。
上傳圖片時沒有錯誤。
NOR 閃存的標(biāo)準(zhǔn)刻錄命令是（來自文檔
2023-05-16 07:43:42
我正在使用 S32G274A 板（不是 NXP 產(chǎn)品之一，它是由第三方制造的），它安裝了 Micron
MT35XU512ABA 八進制串行 NOR 閃存。對于 M7_0，我必須調(diào)整 RTD
2023-05-16 06:04:49
NORFlash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。大多數(shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些，而NAND
2023-05-15 09:18:591240 
我們在板上使用 MIMXRT1051CVL5B。
通過 LPSPI NOR/EEPROM（BOOT_MODE[1:0]= x01 串行下載器）成功連接到引導(dǎo)實用程序。
在燒斷保險絲并定義
2023-05-10 08:53:24
MXRT1050 FlexSPI 模塊具有 LUT，最多支持 16 個序列，相當(dāng)于 16 個閃存命令。
現(xiàn)在許多 NOR 閃存芯片支持的命令遠遠超過 16 條。
1. 有沒有辦法支持超過 16 個
2023-05-08 06:52:22
我正在使用帶有連接到 lpspi3 接口的 NOR 閃存的 i.MX8Q。
這是我的設(shè)備樹的相關(guān)部分
&lpspi3 {
pinctrl-names = \\\"
2023-05-06 06:23:09
我有一個iMX8X iMX8QXP，我正在嘗試在 NOR 閃存（最終是 eMMC）上設(shè)置輔助引導(dǎo)容器集。我試圖在燒掉任何 OTP 保險絲之前驗證基本功能，所以這就是我目前對 NOR 閃存進行分區(qū)
2023-05-05 10:40:17
從 NOR 閃存啟動時，Core0 如何獲取啟動代碼？
電路板設(shè)置 (T1024RDB) 是：
開關(guān)將 RCW_SRC 設(shè)置為 NOR 閃存
PBL/RCW 設(shè)置為 BOOT_LOC = NOR
2023-05-04 07:16:23
。SPI-NOR 內(nèi)存有類似的東西嗎？fitImages 有用嗎？
4. 由于 uuu 強制 bootcmd=fastboot 0，我如何將其更改為從我的 SPI-NOR 閃存加載？我需要 2 個不同版本
2023-05-04 06:30:41
我們有一個定制板，其中存在 T1042 處理器。以前我已經(jīng)能夠通過修改 T1042D4DRB QORIQ SDK 項目的 u-boot 源代碼從 SDCARD 啟動它。現(xiàn)在，我試圖從 NOR 閃存啟動它，但我無法成功。 我已經(jīng)將圖像寫入了NOR flash的以下地址。
2023-04-17 07:55:21
大家好，我們剛剛獲得了自己設(shè)計的第一個原型，其中包含以下組件：- MCU 是 MIMXRT1061CVL5B - 閃存是連接到 QSPI1 的微芯片 SST26VF064B - J-link SWD
2023-04-17 07:06:03
我從使用板載 NOR 閃存映像啟動的 LS1028A 處理器 EVM 開始。現(xiàn)在，需要從 I2C EEPROM [RCW] 啟動并跳轉(zhuǎn)到 NOR Flash [U-Boot Image]。如何在 RCW PBI 命令中指定它？
2023-04-14 07:45:39
帶多I/O SPI的3V四路串行閃存
2023-04-06 11:13:39
4 Mbit SPI串行閃存
2023-04-04 20:31:37
我需要一些關(guān)于 i.MX RT 1160 EVK 中的閃存支持的說明1. 在 SPT V4.1 中，我可以看到一些 FLEX SPI NOR 變體，如 IS25WP128、AT25SF128A
2023-03-29 08:24:08
512 Kbit SPI串行閃存
2023-03-28 18:25:33
512K位CMOS串行NOR閃存 TSSOP8_3X4.4MM
2023-03-28 17:08:17
16M位串行閃存
2023-03-28 16:48:13
微米串行NOR閃存3V，多I/O，4KB扇區(qū)擦除
2023-03-28 15:18:09
512K位[x 1]CMOS串行閃存
2023-03-28 15:17:15
32M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
32M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
8M BIT 串行接口閃存
2023-03-28 13:02:29
超低功耗，8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗，8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:08
超低功耗，8 m位串行多I/O閃存
2023-03-28 12:53:07
16M位 SPI NOR閃存
2023-03-28 12:51:10
8M BIT SPI NOR閃存
2023-03-28 12:51:10
4/2M 位 SPI NOR 閃存
2023-03-28 12:51:07
16M位 SPI NOR閃存
2023-03-28 12:51:06
8M BIT SPI NOR閃存
2023-03-28 12:51:04
8M位串行NOR閃存，1024K字節(jié)
2023-03-28 12:50:24
16 Mbit SPI串行閃存
2023-03-28 00:21:26
3V 4位串行NOR閃存，帶雙和四芯SPI SOP8
2023-03-28 00:18:22
32 Mbit數(shù)據(jù)閃存（帶額外1位）2.3V最小SPI串行閃存
2023-03-27 13:53:05
串行閃存與雙/四spi
2023-03-27 11:56:46
我正在使用 i.MXRT1176 并計劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫入外部 NOR 閃存。該應(yīng)用程序?qū)耐煌獠看鎯ζ鬟\行，但是，更新將寫入不同的部分。我以前沒有使用過帶有外部程序存儲器
2023-03-24 08:08:30
我有一個有趣的問題，我確定是配置問題。這是我第一次使用 QSPI 閃存設(shè)備和 i.MX 系列部件。我通常在 M4 或更小的機器上跑得慢很多。我有 2 個 NOR 閃存設(shè)備連接到 RT1062
2023-03-24 07:52:57
的 ivt_flashloader.bin 文件和實用程序從我們的 FlexSPI NOR 閃存讀取/寫入。為了進步我實際上有兩個問題：- 有人可以向我解釋一下為 EVKB 板提供的 ivt_flashloader.bin
2023-03-24 07:17:47
）。現(xiàn)在我們正在嘗試從未融合單元上的 FLEXSPI NOR 存儲器啟動生產(chǎn)測試應(yīng)用程序。我正在嘗試使用 MIMXRT1060 的閃存加載器將應(yīng)用程序加載到 NOR 內(nèi)存中。寫入似乎沒問題，但應(yīng)用程序似乎
2023-03-23 07:37:28
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認(rèn)逐個扇區(qū)擦除閃存是可行且有效的，然后繼續(xù)我測試的其他階段。（我不想一次擦除整個芯片，因為我們的主要軟件需要從閃存中
2023-03-23 06:06:43
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