近日公布2011年“科技創新獎”,英特爾的3-D三柵極晶體管設計獲得半導體類別創新大獎。英特爾的3-D三柵極晶體管結構代表著從2-D平面晶體管結構的根本性轉變
2011-10-23 01:01:04915 ``近日,2016年第五屆中國創新創業大賽(上海賽區)落下帷幕,上海靈動微電子股份有限公司經過多輪角逐,榮獲上海賽區企業組優勝獎并進入全國賽。 中國創新創業大賽由科技部、教育部、財政部等發起,由
2016-09-27 11:42:17
。OpenHarmony將在數字經濟時代乘風破浪,凝聚全產業鏈力量,以根技術創新驅動生態繁榮,打造使能千行百業的泛終端數字底座。為此,電子發燒友特邀行業技術大咖為開發者們講解過去一年中有哪些重大的技術突破
2023-01-10 10:20:19
功率晶體管。
保護電路來自圖。使用2歐姆負載時,還必須更改4。R24和R28值為3k9,R26和R28為220歐姆,D5、D6和R30全部消除。
70W/8歐姆版本的整流電壓±40V處于負載
2023-08-01 17:25:06
應用。產品型號:2SC3422產品名稱:功率晶體管2SC3422產品特性適用于5瓦汽車收音機和汽車音響的輸出級良好的h FE線性度 2SC3422產品描述:2SC3422東芝是設計和制造高質量閃存存儲解決方案
2018-07-24 18:05:11
T2G6003028-FS射頻功率晶體管產品介紹T2G6003028-FS報價T2G6003028-FS代理T2G6003028-FS現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司T2
2018-11-16 09:49:48
的典型結構,其結構和符號如圖1所示。這種結構的優點是結面積較大,電流分布均勻,易于提高耐壓和耗散熱量;缺點是電流增益較低,一般約為10~20g。圖1、功率晶體管結構及符號圖2、達林頓GTR結構(a
2018-01-15 11:59:52
的典型結構,其結構和符號如圖1所示。這種結構的優點是結面積較大,電流分布均勻,易于提高耐壓和耗散熱量;缺點是電流增益較低,一般約為10~20g。圖1、功率晶體管結構及符號圖2、達林頓GTR結構(a
2018-01-25 11:27:53
業化實時操作系統到協議棧、到開發編譯環境等核心軟件的一站式服務,均是首次出現在嵌入式MCU軟件領域,因此獲得2017中國IOT技術創新獎提名。2.賽普拉斯雙核微控制器架構PSoC 6 ←(點擊可看詳細
2017-08-09 10:19:08
晶體管技術方案面臨了哪些瓶頸?
2021-05-26 06:57:13
: ID例:開關雙極晶體管2SD2673時的波形(100μs/div)由于隨后要計算開關時的功率損耗,所以要確認OFF→ON時和ON→OFF時的擴大波形。2. 是否一直滿足絕對最大額定值?確認絕對最大
2019-04-15 06:20:06
及制造工藝分類 晶體管按其結構及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
,發射極E接紅表筆;PNP管的集電極C接紅表筆,發射極E接黑表筆。正常時,鍺材料的小功率晶體管和中功率晶體管的電阻值一般大于10Kω(用R×100檔測,電阻值大于2kΩ),鍺大功率晶體管的電阻值為1.5k
2012-04-26 17:06:32
從事電子設計7年了,發覺這兩本書挺好的,發上來給大家分享一下附件晶體管電路設計(上)放大電路技術的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設計(下)FET_功率MOS_開關電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且,正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首,電子技術取得急速
2019-07-23 00:07:18
有效芯片面積的增加,(2)技術上的簡化,(3)晶體管的復合——達林頓,(4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。、直接工作在整流380V市電上的晶體管功率開關晶體管復合(達林頓)和并聯都是有效地增加
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年,晶體管的發明給當時的電子工業界來帶來了前所未有的沖擊。而且,正是這個時候成為了今日電子時代的開端。之后以計算機為首,電子技術取得急速
2019-05-05 00:52:40
300V,一般可選用3DG182N、2SC2068、2SC2611、2SC2482等型號的晶體管。 3.行推動管的選用彩色電視機中使用的行推動管,應選用中、大功率的高頻晶體管。其耗散功率應大于或等于10W
2012-01-28 11:27:38
(max)。(假設1W晶體管的情況下,輸入條件為VCB=10V IE=100mA)如圖2:測定VBE的初始值VBE1對晶體管輸入功率,使PN結熱飽和VBE的后續值:測定VBE2從這個結果得出△VBE
2019-05-09 23:12:18
集中制造在一塊很小的硅片上,封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導體三極管中應用最廣泛的器件之一,在電路中用“V”或“VT”(舊文字符號為“Q”、“GB”等)表示。 晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發明
2010-08-12 13:57:39
進一步減少所需的組件。 憑借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術,PTVA127002EV展現出了極高的能效:利用300微秒10%占空比脈沖進行測量,在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
,從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個普遍的希望是,能夠最終避免采用插件封裝的器件(比如TO220、TO247)。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET,如今可滿足設計工
2018-12-06 09:46:29
安森美半導體新推出的互補金屬氧化物半導體(CMOS)數字圖像傳感器AR0430用于物聯網(IoT)、增強現實/虛擬現實(AR/VR)和安防攝像機應用,榮獲CES 2018創新獎。在標準成像模式下
2018-10-11 14:09:54
40典型的PAE50歐姆的內部匹配?<0.3 dB的功率下垂?CGHV96100F2產品詳情:CGHV96100F2是碳化硅(SiC)襯底上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。這種GaN內
2018-08-13 10:58:03
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 該GaN內部匹配(IM)FET與其他技術相比,具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
晶體管ILD0912M150HV功率晶體管ILD0912M15HV功率晶體管ILD0912M400HV功率晶體管ILD0912M60功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產臺聯系人:王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:07:29
IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產臺聯系人:王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:29:42
`IB0912M600是一種高功率脈沖晶體管器件,設計用于在0.960-1.215 GHz瞬時帶寬上運行的系統。 當在規定的脈沖條件下且VCC = 50V時以C類模式工作時,該通用基本設備可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB1011M800是高功率脈沖航空電子晶體管,專為工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空電子系統而設計。 當在VCC = 50V的模式S脈沖突發條件下以C類模式運行時,此通用基本設備可提供
2021-04-01 10:11:46
650W輸出功率經過100%大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
IGN1011L1000R2功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產臺聯系人:王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:35:32
和雙極技術。產品型號:IGN1090M800產品名稱: L波段晶體管 產品特性GaN HEMT技術對SiCP out-pk = 800w @ 128us / 2% / 50v1.090ghz操作頻率
2019-05-20 09:16:24
IGN2856S40產品詳情:IGN2856S40是一種高功率脈沖晶體管,專門用于AB類操作。該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率,最小峰值功率為500瓦,50V和3%占空比。通過芯片和電線技術組裝
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管,指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率,最小40W的峰值脈沖功率,50V和3%的占空比。 該單元采用金線技術通過芯片和線材技術組裝
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120現貨,王先生 深圳市首質誠科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年,是一家通過ISO 9001:2008認證的射頻功率晶體管,托盤和高功率放大器(HPA
2018-11-12 10:26:20
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當晶體管工作在負載失配狀態下時,它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件,此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時,重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結果的條件,因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
光電二極管榮獲行業媒體《電子發燒友》(Elecfans)2022年度中國IoT創新獎“傳感器技術獎”。第七屆中國IoT創新獎旨在表彰過去一年推出的對物聯網(IoT)行業具有深遠影響的產品和技術。入圍提名以
2023-02-21 11:24:22
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
了功率晶體管的性能。如 (1)開關晶體管有效芯片面積的增加, (2)技術上的簡化, (3)晶體管的復合——達林頓, (4)用于大功率開關的基極驅動技術的進步。 、直接工作在整流380V市電上
2010-08-13 11:38:59
主要參數 晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。電流放大系數 電流放大系數也稱電流放大倍數,用來表示晶體管放大能力。 耗散功率也稱集電極
2010-08-13 11:35:21
。 二、技術創新獎評選標準1. 參評對象必須是2014 – 2017年度推出新產品或特定技術;2. 參評對象必須適用于中國市場,同時達國際領先水平,或者幫助中國IoT行業達到或領先相同領域的國際先進水平
2017-10-12 17:15:13
`熱烈慶祝一博科技榮獲Cadence2013用戶大會杰出論文獎!EDA業內矚目的年度活動Cadence用戶大會CDNLive于2013年9月12日于北京香格里拉酒店召開。此會議集聚中國產業鏈高階主管
2013-09-24 09:07:09
科技設計團隊憑借在“高速串行總線設計與測試驗證”領域領先的技術能力,以及年均完成6000余款高質量的PCB設計對中國電子行業的貢獻,榮獲2013年度創新工程師獎。一博科技作為全球最大的PCB設計公司,在
2013-11-21 17:51:10
晶體管,鍺PNP晶體管,硅NPN晶體管和硅PNP晶體管。》技術根據其結構和制造工藝,晶體管可分為擴散晶體管、合金晶體管和平面晶體管。》 當前容量根據目前的容量,晶體管可分為低功率晶體管、中功率晶體管和高
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應用包括音頻放大器輸出級、功率調節器、電機控制器和顯示驅動器。 達林頓晶體管也被稱為達林頓對,由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
的能量收集嵌入式微控制器(MCU)RE榮獲由全球電子技術領域知名媒體集團Aspencore評選出的2019年度MCU產品獎。該獎項此次共收到來自行業內知名半導體供應商的100多款候選產品,通過Aspencore編輯的評估,挑選出10多款產品入圍,最終RE脫穎而出,獲得該產品獎。
2020-10-22 16:47:48
)需要幾毫安才能上電,并且可以由邏輯門輸出驅動。然而,螺線管、燈和電機等大功率電子設備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關。 晶體管開關操作和操作區域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管?如何提高微波功率晶體管可靠性?
2021-04-06 09:46:57
率根據區域不同而不同。1-1. 熱限制區域在該區域,SOA線具有45o 的傾斜度(功率固定線)。在該區域,下降率是0.8%/oC。1-2. 2次下降區域晶體管存在熱失控引起的2次下降區域。在2次下降
2019-05-05 09:27:01
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配,即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
國內領先的電子元器件線上授權代理商——唯樣商城,榮膺2021年度ASPENCORE全球電子元器件分銷商卓越表現獎。2021年11月4日晚,唯樣商城總經理吳興陽應邀出席2021年度全球分銷與供應鏈領袖
2021-11-05 15:01:03
,分別為“2022年度 最佳MCU芯片獎 ”和“ 2022年度卓越成長表現企業獎 ”。“硬核中國芯”由國內領先的半導體電子信息媒體芯師爺發起并主辦,是業內聚焦飛速發展中的國產芯企業及相關創新應用項目的產業
2022-11-21 17:21:48
的開關動作關于數字晶體管的用語選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有
2019-04-09 21:49:36
選定方法①使TR達到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻:R1是±30% E-B間的電阻:R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數字晶體管具有下面的關系式。■數字晶體管
2019-04-22 05:39:52
杰出的產品性能和獨特的架構設計,榮獲光模塊類“2021年度創新產品獎”。 顛覆傳統,創新突破 易飛揚400G QSFP-DD LR8是一款可熱插拔的光收發模塊,采用單PCB設計,三溫情況下功耗低于
2021-06-28 14:01:02
評審后,機智云與美的、海爾、華為、美菱等企業一同成功入圍,最終機智云智能家電運營管理服務平臺榮獲2017年度中國家電艾普蘭獎“智能創新獎”。機智云智能家電運營管理服務平臺機智云4.0智能家電運營管理
2017-03-13 18:30:00
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管,一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
和500KHz的半橋LLC諧振轉換器的拓撲結構。在較高頻率下,無源諧振電路(例如變壓器、諧振電感器和諧振電容器)的尺寸明顯減小,從而提高了功率密度。此外,還需要考慮功率晶體管(Q1和Q2)的選擇,以權衡
2023-02-27 09:37:29
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術的射頻(RF)晶體管系列,推出新型S波段500WRF器件2729GN-500,新器件瞄準大功率空中交通控制機場監視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
,江蘇潤和軟件股份有限公司(以下簡稱“潤和軟件”)受邀參會,并在華為終端云開發者聯盟舉辦的“一站式開發者服務及開放能力”分論壇上榮獲“華為開發者聯盟 2022年度最佳生態服務商獎”。在本次大會上,潤
2022-11-09 10:24:44
` 2016年度大中華IC設計成就獎頒獎典禮于2016年3月14日在上海國豐大酒店隆重舉行,深圳比亞迪微電子有限公司憑借在電子行業深厚的技術積淀和優秀的產品設計榮獲“2016年度十大大中華IC
2016-03-22 10:53:36
,觀展人數超過16萬人次。 MM32 MCU產品榮獲“CITE 2018集成電路MCU產品創新獎”在此次博覽會上靈動的MM32系列MCU產品從參展的眾多產品中脫穎而出,榮獲了“CITE2018集成電路
2018-04-13 10:38:14
。在這次活動中,劍橋 GaN 器件公司宣布了其集成電路增強氮化鎵(ICeGaN)技術,以修改 GaN 基功率晶體管的柵極行為。這種新技術基于增強型 GaN 高電子遷移率晶體管,具有超低比導通電阻和非常低
2022-06-15 11:43:25
` 引言 在功率變換器應用中,寬帶隙(WBG)技術日益成為傳統硅晶體管的替代產品。在某些細分市場的應用場景中,提升效率極限一或兩個百分點依然關系重大,變換器功率密度的提高可以提供更多應用優勢
2021-01-19 16:48:15
進入,即可找到本次研討會主題:立锜科技將在[電源網2013年度技術交流大會]中與大家分享最新的照明解決方案進入點擊:“立馬報名”,謝謝。
2013-11-12 10:03:56
專業性和影響力的行業評選。2018年度第三屆中國IoT創新獎設立三個獎項:IoT企業CEO獎、IoT杰出技術創新獎、IoT產品金獅獎。頒獎典禮于2018年12月4日在深圳與第五屆中國IoT大會同期舉行。
2019-07-11 04:20:24
技術創新產品大獎。
自2006年以來,“中國芯”優秀產品征集活動至今已連續開展18年,旨在對國內集成電路領域產品創新、技術創新和應用創新的成果進行表彰,發揮示范效應,影響和帶動行業發展,是國內集成電路領域
2023-09-22 14:46:30
由BBC Research & Development、Global Radio和Frontier Silicon成員組成的RadioTAG應用小組以其近期RadioTAG的開發工作榮獲了首屆TechCon技術創新獎
2011-11-12 14:39:19813 Altera公司 近日宣布,公司榮獲了中國電子報(CEN)的2012年度FPGA創新技術獎。2012年8月17號在成都舉行的年度FPGA行業發展論壇上,Altera被授予該獎項。該獎項是對Altera FPGA技術及其業界領
2012-09-21 11:02:081185 China創新獎中獲得兩項大獎,專為中國智能電表市場而設計的Si4438 EZRadioPRO? 無線收發器和Si7005相對溫濕度傳感器分別榮獲網絡類最佳產品獎以及傳感類優秀產品獎。
2013-11-21 10:49:01770 全球領先的測試、測量和監測儀器提供商---泰克公司日前宣布,泰克AWG70000系列任意波形發生器榮獲“2013年電子測量儀器產品用戶應用情況調查暨年度特殊貢獻產品評選”的信號源類“技術創新獎”。
2014-01-06 18:49:521045 2018年12月4日,由全球專業的電子科技媒體電子發燒友舉辦的2018年度第三屆中國物聯網創新獎頒獎典禮在深圳科興園圓滿落幕。Fluke DS701/ DS703FC 高分辨率工業診斷內窺鏡榮獲IoT技術創新獎。
2018-12-12 14:44:317406 剛剛結束的2019年度第六屆中國IoT大會上,《電子發燒友》公布了中國IoT創新獎名單,泰克科技新一代示波器4 系列 MSO 混合信號示波器榮獲“IoT技術創新獎”
2019-12-13 09:33:42865 經過獎項提名、網絡投票及專家評審后,最終赫聯電子推出的TE Connectivity IoT物聯網迷你入門套件榮獲“2019年度IoT技術創新獎”。
2019-12-13 11:51:30775 本次共評選出4個團體獎項:北大深研院AVS3開源編碼器研發團隊、AVS2音頻項目組團隊、上海海思技術有限公司、北京字節跳動網絡技術有限公司(簡稱“字節跳動”)獲得2019年度AVS產業技術創新獎。
2020-04-11 14:36:532866 由電子發燒友舉辦的第七屆中國IoT大會于深圳舉辦。在當天晚上的中國IoT創新獎頒獎典禮上,安森美半導體的RSL10 Mesh 平臺榮獲“IoT技術創新獎”。
2020-12-17 15:52:58797 ? 喜報 2020年度ICT產業龍虎榜暨優秀解決方案評選 通鼎互聯 榮獲2020年度ICT產業影響力企業 2020年度光通信技術創新獎 ? ? ? ? 2020年是極不平凡的一年。這一年挑戰重重
2021-01-13 11:56:272457 ? 喜報2020年度ICT產業龍虎榜暨優秀解決方案評選信銳技術榮獲2020年度無線網絡技術創新獎 ? ? ? 秉承著“讓聯接更簡單、更安全、更有價值”的使命,深圳市信銳網科技術有限公司(以下簡稱
2021-01-13 13:45:512660 億源通科技的PM(保偏)FA-MT產品憑借行業領先技術優勢及產品創新能力,榮獲“2022年度創新產品獎”,展現硬核技術實力!
2022-07-13 10:40:191010 2022第七屆物聯網行業年度獎項,移芯通信斬獲“物聯網行業創新技術產品獎-通信技術創新獎”和“物聯網行業社會責任貢獻獎”兩項大獎。? 本屆大會以“萬物智聯·引領未來”為主題,邀請國內外院士及政府高層、科研專家、業內領軍企業高層等領袖作為本次大會的重要嘉賓,深度剖析
2022-11-18 14:33:04312 由高科技行業門戶OFweek維科網主辦的OFweek 2022(第七屆)物聯網產業大會在深圳福田大中華喜來登酒店舉辦。大會公布并頒發了維科杯·OFweek 2022第七屆物聯網行業年度獎項,九聯科技NB-IoT模組-UMN205斬獲“維科杯 OFweek2022 物聯網行業創新技術產品獎-通信技術創新獎”
2022-11-21 15:13:25893 IoT技術創新獎 2022年12月8日,第九屆中國IoT大會在深圳圓滿落幕,大會同步舉行第七屆中國IoT創新獎頒獎活動。 芯翼信息科技新進推出的NB-IoT SoC XY1200榮獲IoT技術創新獎
2022-12-09 18:06:55430 憑借 Metavision? EVK4 榮獲技術創新獎。 ? ? EVK4 是一款超輕量、緊湊型的高清事件視覺評估套件,支持評估由索尼與 Prophesee 合作開發的堆棧式基于事件的視覺傳感器
2022-12-12 10:07:58262 12月8日,2022中國IoT大會在深圳隆重召開。會議同期,“2022第七屆中國IoT創新獎”年度評選活動揭曉。亞太區領先的電子元器件分銷商Excelpoint世健榮獲“2022第七屆中國IoT
2022-12-12 17:02:15468 的開拓精神,?比肩國際先進的創新技術水平,? 榮獲?“技術創新獎”。 本次的獲獎產品為先楫高性能高實時?RISC-V 微控制器?HPM6700 系列,該系列填補了中國在高端MCU領域的空白,對于國內芯片市場乃至整個行業皆具有創新價值。 ? ? ?2022年,市場風云變幻。在產業
2022-12-13 13:56:25301 優異的性能與積極的市場反饋,榮獲 2022中國IoT創新獎—技術創新獎 !這也是鼎陽科技第三次斬獲此項殊榮。 ? ? 中國IoT技術創新獎 --旨在發掘和表彰IoT行業中具有開拓精神并深具行業影響力、具有創新價值和深遠影響的杰出技術,以及在過去一年中,被市場和行業用戶
2022-12-19 17:14:54305 日前,康尼精機受邀參加“舍弗勒大中華區2022年度供應商大會” ,并榮獲舍弗勒“技術創新獎”。該會議以“‘和’力同輝,‘碳’尋未來”為主題,來自舍弗勒大中華區管理層、大中華區采購部、工廠等代表,以及
2022-12-26 19:01:361133 12月8日,2022中國IoT大會在深圳隆重召開。會議同期,“2022第七屆中國IoT創新獎”年度評選活動揭曉。亞太區領先的電子元器件分銷商Excelpoint世健榮獲“2022第七屆中國IoT
2022-12-13 14:58:19332 2022年度優質供應商。雅特力科技憑借高效產品性能與研發實力榮獲美的核心供應商“技術創新獎”,雅特力深圳分公司總經理陳佳延受邀出席領獎。雅特力專注于ARMCort
2023-04-07 16:34:28452 芯片”榮獲“榮格技術創新獎”、“年度創新團隊獎”兩大獎項。榮格技術創新獎由國內知名的資訊媒體榮格工業傳媒主辦,以其公正、客觀的評選流程倍受業界廣泛關注,已成為工業制
2023-05-08 10:30:24355 近日,國家互聯網數據中心產業技術創新戰略聯盟(以下簡稱NIISA聯盟) 公布了“2022年度技術創新獎”名單。曙光數創全浸式液體相變冷卻技術榮獲“2022年度技術創新項目特等獎”,曙光數創副總裁張鵬博士榮獲“2022年度技術創新人才特等獎”。
2023-08-03 11:26:08633 工智能行業年度評選獎項,美格智能通過層層篩選,旗下高算力AI模組SNM970榮獲維科杯·OFweek2023物聯網行業創新技術產品獎——通信技術創新獎。本屆大會是202
2023-08-29 15:28:12483 萊迪思半導體近日宣布榮獲《網絡防御》(Cyber Defence)雜志頒發的“2023年度信息安全最具創新獎”稱號。
2023-11-02 15:16:42497 的出色表現榮獲“IoT技術創新獎”。榮獲IoT技術創新獎物聯網技術不斷演進,從開始的將萬物無時不在無處不在的聯網,變成萬物隨時可控和數據化可呈現,再到現在的大數據上云
2023-11-03 08:14:26593 核心供方之一受邀參加此次大會,并獲得中興通訊頒發的“最佳技術創新獎”。公司總經理李森受邀參加中興通訊總裁沙龍,通訊與工業事業部總經理徐耕代表公司上臺領獎。 頒獎現場 中興通訊 最佳技術創新獎 志合者,不以山海為遠。長期以來,中航光
2023-11-12 10:17:15398 英飛凌,全球半導體技術的領導者,于2023年12月23日榮獲了年度國際功率器件行業卓越獎,其獲獎產品為160V MOTIX?三相柵極驅動器IC。這一榮譽充分體現了英飛凌在寬禁帶半導體技術和創新方面的杰出貢獻。
2024-01-03 15:32:19320
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