3月1日，TikTok for Business在廣東珠海揭曉了2023年度出海營(yíng)銷(xiāo)獎(jiǎng)項(xiàng)名單。Infinix作為T(mén)ikTok營(yíng)銷(xiāo)生態(tài)的“探索者”，以其多元化的品牌營(yíng)銷(xiāo)策略脫穎而出，成功斬獲“多元創(chuàng)新獎(jiǎng)”！
2024-03-08 16:45:47
264 本帖最后由 jf_50240986 于 2024-3-8 22:51 編輯
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極
2024-03-06 20:49:11
據(jù)悉，18A 制程是英特爾技術(shù)引領(lǐng)道路上的關(guān)鍵階段，雖非直接采用 1.8納米工藝，英特爾仍自豪宣稱(chēng)其性能與晶體管密度媲美友商的 1.8 nm制程。
2024-02-29 15:13:29139 雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
繼電器通過(guò)通斷線(xiàn)圈產(chǎn)生磁場(chǎng)來(lái)控制機(jī)械開(kāi)關(guān)，實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的控制。而場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOS管）是一種基于半導(dǎo)體材料工作的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，通過(guò)柵極施加正負(fù)偏壓來(lái)控制漏極與源極之間的通斷狀態(tài)。
2024-02-18 10:16:41545 
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
英特爾最近宣布，他們已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了基于業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體封裝解決方案的大規(guī)模生產(chǎn)，其中包括具有劃時(shí)代意義的3D封裝技術(shù)Foveros。
2024-01-26 16:53:24911 英特爾在封裝技術(shù)方面取得了重大突破，并已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)基于3D Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。這項(xiàng)技術(shù)使得英特爾能夠在單個(gè)封裝中整合多個(gè)小芯片（Chiplets），從而提高了芯片的性能、尺寸和設(shè)計(jì)靈活性。
2024-01-26 16:04:50231 眾所周知，整個(gè)半導(dǎo)體領(lǐng)域正邁進(jìn)一個(gè)同時(shí)整合多個(gè)‘芯粒’（Chiplets，也被稱(chēng)為‘小芯片’）在同一封裝中的多元時(shí)代。基于此，英特爾的 Foveros 及新型 EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）等高級(jí)封裝解決方案被譽(yù)為能將一萬(wàn)億個(gè)晶體管融于單一封裝之內(nèi)
2024-01-26 09:44:28188 近日，「2024廣汽傳祺供應(yīng)鏈合作伙伴大會(huì)」在廣州隆重召開(kāi)，智駕科技MAXIEYE 作為廣汽傳祺深度合作伙伴，榮獲「年度科技創(chuàng)新獎(jiǎng)」殊榮，智駕科技MAXIEYE創(chuàng)始人&CEO周圣硯受邀出席會(huì)議和頒獎(jiǎng)儀式。
2024-01-23 10:10:35283 我在切換晶體管時(shí)遇到了一個(gè)問(wèn)題。我正在嘗試讓 LED 通過(guò)晶體管閃爍。當(dāng)我從評(píng)估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時(shí)，該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開(kāi)通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
三極管功率會(huì)先上升后下降，因?yàn)殡妷航翟谙陆刀娏髟谏仙９β首畲簏c(diǎn)在中間位置。
3、當(dāng)基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時(shí)，晶體管進(jìn)入飽和，此時(shí)無(wú)論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
的正負(fù)極短接，此時(shí)的輸出電阻是不是等于源極電阻和源漏導(dǎo)通電阻？
在求解輸入輸出電阻的問(wèn)題上，為什么要將供電電源的正負(fù)極短接？這個(gè)問(wèn)題困惑已久，尤其是在含有晶體管這種分立器件或者含有運(yùn)方放的電路上。
2024-01-15 18:06:15
2023年10月30日，由全球知名電子科技媒體和慕尼黑華南電子展聯(lián)合主辦的2023第十屆中國(guó)IoT大會(huì)暨第八屆中國(guó)IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)頒獎(jiǎng)典禮在深圳圓滿(mǎn)落幕。在眾多參與本次大會(huì)的企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)、行業(yè)專(zhuān)家及產(chǎn)業(yè)鏈
2024-01-12 08:16:00322 
對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
英特爾對(duì)此次活動(dòng)的定位如下： “誠(chéng)摯邀請(qǐng)您傾聽(tīng)
英特爾高層精英、技術(shù)專(zhuān)才以及各方合作伙伴深度解讀我們的戰(zhàn)略布局、卓越工藝技術(shù)、尖端封裝技巧與生態(tài)建設(shè)。旨在讓您深入理解
英特爾的代工廠服務(wù)如何助力貴司充分利用
英特爾強(qiáng)大的彈性供應(yīng)實(shí)力構(gòu)筑芯片設(shè)計(jì)?！?/div>
2024-01-05 09:40:29368 12月9日，英特爾在IEDM 2023（2023 IEEE 國(guó)際電子器件會(huì)議）上展示了使用背面電源觸點(diǎn)將晶體管縮小到1納米及以上范圍的關(guān)鍵技術(shù)。英特爾表示將在2030年前實(shí)現(xiàn)在單個(gè)封裝內(nèi)集成1萬(wàn)億個(gè)晶體管。
2023-12-28 13:58:43258 影響四個(gè)維度為評(píng)選標(biāo)準(zhǔn)，樹(shù)立產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí)，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。優(yōu)地科技在眾多競(jìng)爭(zhēng)者中脫穎而出，成功獲評(píng)2023年度小巨人創(chuàng)新獎(jiǎng)。 創(chuàng)新性是小巨人最顯著的特點(diǎn)，小巨人承載著大創(chuàng)新，開(kāi)啟大時(shí)代，撬動(dòng)大發(fā)展的使命。優(yōu)地科技
2023-12-26 15:54:14118 
帕特·基辛格進(jìn)一步預(yù)測(cè)，盡管摩爾定律顯著放緩，到2030年英特爾依然可以生產(chǎn)出包含1萬(wàn)億個(gè)晶體管的芯片。這將主要依靠新 RibbonFET晶體管、PowerVIA電源傳輸、下一代工藝節(jié)點(diǎn)以及3D芯片堆疊等技術(shù)實(shí)現(xiàn)。目前單個(gè)封裝的最大芯片含有約1000億個(gè)晶體管。
2023-12-26 15:07:37312 摩爾定律概念最早由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾在1970年提出，明確指出芯片晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?。得益于新?jié)點(diǎn)密度提升及大規(guī)模生產(chǎn)芯片的能力。
2023-12-25 14:54:14227 用新一代計(jì)算體驗(yàn)，釋放創(chuàng)新無(wú)限想象 ? ? ? ?12月16日，英特爾人工智能創(chuàng)新應(yīng)用大賽啟動(dòng)儀式在深圳舉辦。通過(guò)本次大賽，英特爾為廣大開(kāi)發(fā)者提供了一個(gè)展示創(chuàng)意和成果的平臺(tái)，并依托強(qiáng)大的英特爾
2023-12-19 11:23:32343 英特爾是三者中最早演示 CFET 的，早在 2020 年就在 IEDM 上推出了早期版本。這一次，英特爾報(bào)告了圍繞 CFET 制造的最簡(jiǎn)單電路（inverter）的多項(xiàng)改進(jìn)。CMOS inverter 將相同的輸入電壓發(fā)送到堆棧中兩個(gè)器件的柵極，并產(chǎn)生與輸入邏輯相反的輸出。
2023-12-19 11:15:56259 
？ 預(yù)告來(lái)襲，精彩先知！ 收藏這份大會(huì)“游覽指南”， 將大會(huì)旅程中的亮點(diǎn)一網(wǎng)打盡！ 英特爾面向智算時(shí)代開(kāi)發(fā)者的年度盛大旅程 12月19日?09:00 正式發(fā)車(chē)！ 起始站 2場(chǎng)主題演講，開(kāi)啟開(kāi)發(fā)者盛會(huì) 主題：芯生無(wú)限 賦能 AI 創(chuàng)新 演講者： 帕特·基辛格 英特
2023-12-16 16:25:02408 
在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 09:23:06547 
眾所周知，晶體管微縮和背面供電是英特爾滿(mǎn)足快速增長(zhǎng)的算力市場(chǎng)需求的關(guān)鍵所在。雖然面臨著困境和挑戰(zhàn)，例如成本壓力，但英特爾堅(jiān)定不移地推動(dòng)著自己的發(fā)展計(jì)劃，使自身在滿(mǎn)足此類(lèi)市場(chǎng)需求時(shí)處于領(lǐng)先地位。
2023-12-12 15:00:53219 在IEDM 2023上，英特爾展示了結(jié)合背面供電和直接背面觸點(diǎn)的3D堆疊CMOS晶體管，這些開(kāi)創(chuàng)性的技術(shù)進(jìn)展將繼續(xù)推進(jìn)摩爾定律。
2023-12-11 16:31:05342 英特爾在2023年國(guó)際電子設(shè)備制造大會(huì)上宣布，他們已經(jīng)成功完成了一項(xiàng)名為PowerVia的背面供電技術(shù)的開(kāi)發(fā)。這個(gè)技術(shù)是基于英特爾的最新晶體管研究成果，它實(shí)現(xiàn)了互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-12-11 16:10:42501 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種基于電場(chǎng)控制的電子器件，常用于放大、開(kāi)關(guān)和調(diào)制等電子電路中。在FET中，柵極電流是其關(guān)鍵特性
2023-12-08 10:27:08655 11月28日-30日，第八屆中國(guó)分析儀器學(xué)術(shù)大會(huì)(ACAIC2023)在浙江杭州成功舉辦。會(huì)議期間，中國(guó)儀器儀表學(xué)會(huì)分析儀器分會(huì)頒布了2023年度“朱良漪分析儀器創(chuàng)新獎(jiǎng)”。國(guó)儀量子副總裁許克標(biāo)博士
2023-12-07 12:09:37336 
轉(zhuǎn)型行動(dòng)方案 英特爾宋繼強(qiáng)：智慧教育的加速密碼——要算力井噴，更要產(chǎn)學(xué)融合 2023中關(guān)村論壇系列活動(dòng)——英特爾智能醫(yī)療健康創(chuàng)新合作論壇在京成功舉辦 原文標(biāo)題：2023?英特爾On技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)中國(guó)站，相約12月19日！ 文章出處：【微信公眾號(hào)：
2023-12-01 20:40:02402 
一種常見(jiàn)的晶體管類(lèi)型，在現(xiàn)代集成電路中廣泛應(yīng)用。MOS晶體管具有三個(gè)極，分別是柵極（Gate）、漏極（Drain）和源極（Source）。在MOS晶體管的工作過(guò)程中，源極和漏極之間形成一個(gè)電流
2023-11-30 14:24:54617 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用基于三相絕緣柵極雙極性晶體管 (IGBT)的逆變器應(yīng)用筆記.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-29 11:05:31
5 來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區(qū)分？漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)，它由兩個(gè)PN
2023-11-21 16:00:457771 我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
近日，由工業(yè)和信息化部、江西省人民政府主辦的“2023世界VR產(chǎn)業(yè)大會(huì)”圓滿(mǎn)落幕。會(huì)上發(fā)布了“2023世界VR產(chǎn)業(yè)大會(huì)VR/AR年度創(chuàng)新獎(jiǎng)”榜單，積木易搭旗下的3D數(shù)字化營(yíng)銷(xiāo)服務(wù)平臺(tái)視創(chuàng)云展獲得
2023-11-08 10:00:35330 萊迪思半導(dǎo)體近日宣布榮獲《網(wǎng)絡(luò)防御》（Cyber Defence）雜志頒發(fā)的“2023年度信息安全最具創(chuàng)新獎(jiǎng)”稱(chēng)號(hào)。
2023-11-02 15:16:42497 文章轉(zhuǎn)載自電子發(fā)燒友網(wǎng)：重磅！電子發(fā)燒友2023年度中國(guó)IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)名單正式揭曉2023年10月30日，由全球知名電子科技媒體和慕尼黑華南電子展聯(lián)合主辦的2023第十屆中國(guó)IoT大會(huì)暨第八屆中國(guó)
2023-11-01 08:16:56564 及產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作伙伴的見(jiàn)證下，揭曉了本次大會(huì)的獲獎(jiǎng)名單。 ? 2023第八屆中國(guó)IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)設(shè)立五個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)：IoT 技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)、IoT云服務(wù)/ IP/ EDA 技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)獎(jiǎng)、IoT 最具潛力企業(yè)獎(jiǎng)、IoT年度產(chǎn)品獎(jiǎng)、IoT市場(chǎng)突破表現(xiàn)企業(yè)獎(jiǎng)。 ? 本次IoT創(chuàng)新獎(jiǎng)旨在發(fā)掘和表彰IoT行業(yè)中具有
2023-10-31 09:08:551073 
專(zhuān)業(yè)圖書(shū)47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
中探索如何幫助人類(lèi)應(yīng)對(duì)在計(jì)算、連接、從云到邊緣的基礎(chǔ)設(shè)施、AI、傳感和感知等領(lǐng)域面臨的重大技術(shù)挑戰(zhàn)。 這就是英特爾研究院（Intel Labs）在做的事情。2023英特爾on技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)期間，英特爾研究院院長(zhǎng)Rich Uhlig介紹了英特爾在AI、集成光電
2023-09-26 17:25:58268 
美國(guó)半導(dǎo)體巨頭英特爾在9月19日舉辦的年度創(chuàng)新峰會(huì)上發(fā)布了最新的PC處理器Meteor Lake，這是英特爾首款采用Intel 4制程工藝打造的處理器。
2023-09-20 16:54:421197 是一種半導(dǎo)體晶體器件，通常由層層不同摻雜的硅和其他半導(dǎo)體材料組成，主要由PN結(jié)和柵極構(gòu)成。而電子管由電子射極、網(wǎng)格和屏蔽極三部分組成，形狀通常是玻璃管。 二、物理原理 晶體管是利用PN結(jié)的導(dǎo)電特性來(lái)控制電流流動(dòng)的器件
2023-08-25 15:21:016859 重建物體的三維模型。這種測(cè)量方式具有非接觸性、高精度、高速度等優(yōu)點(diǎn)，非常適合用于金屬等材料的表面測(cè)量。
光學(xué)3D表面輪廓儀可以測(cè)量金屬的形狀、表面缺陷、幾何尺寸等多個(gè)方面：
1、形狀測(cè)量。光學(xué)3D表面
2023-08-21 13:41:46
安裝OpenVINO?工具套件英特爾 Distribution時(shí)，出現(xiàn)錯(cuò)誤： Python 3.10.0.ECHO is off. Unsupported Python version.
2023-08-15 08:14:13
近日，英特爾和三星宣布將通過(guò)一項(xiàng)全新產(chǎn)品創(chuàng)新協(xié)議擴(kuò)大合作，即把集成英特爾vRAN Boost的第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器與三星vRAN 3.0進(jìn)行結(jié)合。 此次結(jié)合將為運(yùn)營(yíng)商提供一款創(chuàng)新vRAN
2023-08-11 19:10:06401 2023年7月29日，深圳，英特爾大灣區(qū)科技創(chuàng)新中心于深圳市南山區(qū)開(kāi)幕， 深圳市南山區(qū)人民政府副區(qū)長(zhǎng)韋鋒，英特爾公司高級(jí)副總裁、英特爾中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)王銳博士，英特爾市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)集團(tuán)副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理
2023-08-04 20:45:03365 
英特爾媒體加速器參考軟件是用于數(shù)字標(biāo)志、交互式白板(IWBs)和亭位使用模型的參考媒體播放器應(yīng)用軟件,它利用固定功能硬件加速來(lái)提高媒體流速、改進(jìn)工作量平衡和資源利用,以及定制的圖形處理股(GPU)管道解決方案。該用戶(hù)指南將介紹和解釋如何為L(zhǎng)inux* 使用英特爾媒體加速器參考軟件。
2023-08-04 06:34:54
。
· 這些晶體管用于不同的電路中以減少負(fù)載效應(yīng)。
· 它們用于多種電路，如相移振蕩器、電壓表和緩沖放大器。
場(chǎng)效應(yīng)管端子
FET 具有源極、柵極和漏極三個(gè)端子，這與 BJT 的端子不同。在 FET 中，源極端
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
2023年7月29日，深圳——今天，英特爾大灣區(qū)科技創(chuàng)新中心于深圳市南山區(qū)開(kāi)幕，?深圳市南山區(qū)人民政府副區(qū)長(zhǎng)韋鋒，英特爾公司高級(jí)副總裁、英特爾中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)王銳博士，英特爾市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)集團(tuán)副總裁兼中國(guó)
2023-07-29 18:03:25250 
。 英特爾市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)集團(tuán)副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理王稚聰先生開(kāi)場(chǎng)致辭 吉方工控董事長(zhǎng)李洪明先生（左3）與英特爾（中國(guó)）高層在會(huì)場(chǎng)交流 在隨后舉辦的頒獎(jiǎng)典禮上，英特爾為吉方工控頒發(fā)了-產(chǎn)品創(chuàng)新獎(jiǎng)。 英特爾市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)集團(tuán)副總裁兼中國(guó)區(qū)總經(jīng)理王稚聰先生為
2023-07-28 18:01:56430 
在半導(dǎo)體行業(yè)的最初幾十年里，新的工藝節(jié)點(diǎn)只需縮小晶體管的物理尺寸并將更多晶體管塞到芯片上即可實(shí)現(xiàn)性能、功耗和面積增益，這稱(chēng)為經(jīng)典縮放。集成電路工作得更好，因?yàn)殡娦盘?hào)在每個(gè)晶體管之間傳播的距離更短。
2023-07-16 15:47:43413 研發(fā)的最先進(jìn)的硅自旋量子比特芯片，利用了英特爾數(shù)十年來(lái)積累的晶體管設(shè)計(jì)和制造能力。 在英特爾的晶圓廠里，Tunnel Falls是在300毫米的硅晶圓上生產(chǎn)的，利用了英特爾領(lǐng)先的晶體管工業(yè)化制造能力，如極紫外光刻技術(shù)（EUV），以及柵極和接觸層加工技術(shù)。在硅自旋量子比特中，信息（0/1）被編碼
2023-06-17 10:15:03416 
在比利時(shí)安特衛(wèi)普舉行的ITF World 2023上，英特爾技術(shù)開(kāi)發(fā)總經(jīng)理Ann Kelleher概述了英特爾在幾個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的最新進(jìn)展，最有趣的是英特爾將在未來(lái)采用堆疊CFET晶體管。
2023-05-20 10:01:14424 
芯片”榮獲“榮格技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”、“年度創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)獎(jiǎng)”兩大獎(jiǎng)項(xiàng)。榮格技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)由國(guó)內(nèi)知名的資訊媒體榮格工業(yè)傳媒主辦，以其公正、客觀的評(píng)選流程倍受業(yè)界廣泛關(guān)注，已成為工業(yè)制
2023-05-08 10:30:24355 
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說(shuō)RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說(shuō)的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
中圖儀器基于3D光學(xué)成像測(cè)量非接觸、操作簡(jiǎn)單、速度快等優(yōu)點(diǎn)，以光學(xué)測(cè)量技術(shù)創(chuàng)新為發(fā)展基礎(chǔ)，研發(fā)出了常規(guī)尺寸光學(xué)3D測(cè)量?jī)x、微觀尺寸光學(xué)3D測(cè)量?jī)x、大尺寸光學(xué)3D測(cè)量?jī)x等，能提供從納米到百米的精密測(cè)量
2023-04-21 11:32:11
西門(mén)子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門(mén)子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過(guò)程中的規(guī)范化和有效性，最終為廣大客戶(hù)提供高可靠多層板制造服務(wù)。本次榮獲優(yōu)秀質(zhì)量獎(jiǎng)，是對(duì)華秋高可靠多層板制造服務(wù)的認(rèn)可。未來(lái)，我們將深耕產(chǎn)業(yè)，和創(chuàng)想三維攜手并進(jìn)、揚(yáng)帆起航，一同助力3D打印技術(shù)
2023-04-14 11:29:30
，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過(guò)程中的規(guī)范化和有效性，最終為廣大客戶(hù)提供高可靠多層板制造服務(wù)。本次榮獲優(yōu)秀質(zhì)量獎(jiǎng)，是對(duì)華秋高可靠多層板制造服務(wù)的認(rèn)可。未來(lái)，我們將深耕產(chǎn)業(yè)，和創(chuàng)想三維攜手并進(jìn)、揚(yáng)帆起航，一同助力3D打印技術(shù)
2023-04-14 11:27:20
身處日新月異的數(shù)字化時(shí)代，面對(duì)新概念、新技術(shù)、新應(yīng)用的不斷涌現(xiàn)，應(yīng)如何穿越技術(shù)周期，讓前沿研究能夠快速轉(zhuǎn)化為真正有利于產(chǎn)業(yè)和大眾的應(yīng)用？ 近日，在“英特爾中國(guó)研究院、南京英麒智能科技2023探索創(chuàng)新
2023-04-04 10:15:56332 
采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線(xiàn)性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
每個(gè)晶體管的兩個(gè)p-n結(jié)提供了電荷流動(dòng)的電子能壘，而晶體管可以通過(guò)向溝道上方的柵極施加電壓來(lái)導(dǎo)通。
2023-03-24 10:58:255426 我想索取S32K3X4EVB-Q172開(kāi)發(fā)板的3D模型。我已經(jīng)下載了硬件設(shè)計(jì)文件，但沒(méi)有包含 3D 模型。你能給我一份 .step 格式的嗎？
2023-03-24 07:12:57
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