• 符合QML V類（QMLV）標準，SMD 5962-86704
• 5962 P 8670409Vxx：
  • 抗輻射加固保障（RHA）能力高達
    30-krad（Si）總電離劑量（TID）
  • 通過了45krad /LDR（10mrad /s）測試條件（符合MIL-STD-883測試方法1019.9的3.13.3.b小節(jié)定義的1.5倍過量測試）下的功能性測試且在規(guī)定的后輻射參數(shù)限值范圍內(nèi)
  • 展現(xiàn)出低劑量率靈敏度的同時在30krad總劑量水平下仍保持在MIL-STD-883，TM1019所允許的預輻射電氣限制范圍內(nèi)
• 經(jīng)過優(yōu)化適用于離線和DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 低啟動電流（＆lt; 0.5mA）
• 修整的振蕩器放電電流
• 自動前饋補償
• 逐脈沖電流限制
• 增強型負載響應特性
• 帶滯后的欠壓閉鎖（UVLO）保護
• 雙脈沖抑制
• 高電流推挽式輸出
• 內(nèi)部調(diào)整的帶隙參考
• 500kHz工作頻率
• 低R _O 誤差放大器

應用

• DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 支持多種拓撲結(jié)構(gòu)：
  • 反激，正激，降壓，升壓
  • 推挽，半橋，全橋（采用外部接口電路時）
• 支持軍用溫度范圍（-55°C至125°C）

所有商標均為其各自所有者的財產(chǎn)。