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CSD17381F4 N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD17381F4

數據:

描述

這款90mΩ,30V N通道FemtoFET?MOSFET技術經過了設計和優化,能夠以最大限度減小許多手持式和移動類應用中的封裝尺寸。這項技術能夠在替代標準小信號MOSFET的同時將封裝尺寸減小60%以上。

特性

  • 超低導通電阻
  • 超低Q g 和Q gd
  • 低閾值電壓
  • 超小型封裝尺寸(0402外殼尺寸)
    • 1.0mm×0.6mm
    < /li>
  • 超薄
    • 高度0.35mm
  • 集成型靜電放電(ESD)保護二極管
    • 額定值&gt ; 4kV人體放電模型(HBM)
    • 額定值&gt; 2kV充電器件模型(CDM)
  • 無先且無鹵素
  • 符合RoHS標準

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
CSD17381F4
30 ? ?
Single ? ?
117 ? ?
109 ? ?
10 ? ?
1.04 ? ?
0.133 ? ?
LGA 1.0 x 0.6mm ? ?
110 ? ?
12 ? ?
0.85 ? ?
Yes ? ?

方框圖 (1)

技術文檔

數據手冊(1)
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