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描述

這種30V，54mΩ，N溝道FemtoFET?MOSFET技術(shù)經(jīng)過(guò)了設(shè)計(jì)和優(yōu)化，能夠以最大限度減小許多手持式和移動(dòng)類應(yīng)用中的封裝尺寸。這項(xiàng)技術(shù)能夠在替代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào)MOSFET的同時(shí)將封裝尺寸減小60％以上。

特性

低導(dǎo)通電阻
低Q _g和Q _gd
低閾值電壓
超小型封裝尺寸（0402外殼尺寸）
- 1.0mm×0.6mm
超薄
- 高度為0.35mm
集成型靜電放電（ESD）保護(hù)二極管
- 額定值＆gt; 3kV人體模型（HBM）
- 額定值＆gt;
- 無(wú)鉛且無(wú)鹵素small>所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
?

CSD17382F4	CSD13381F4	CSD13383F4	CSD17484F4
30 ? ?	12 ? ?	12 ? ?	30 ? ?
Single ? ?	Single ? ?	Single ? ?	Single ? ?
67 ? ?	180 ? ?	44 ? ?	128 ? ?
14.8 ? ?	7 ? ?	27 ? ?	18 ? ?
2.1 ? ?	1.06 ? ?	2 ? ?	0.92 ? ?
0.63 ? ?	0.14 ? ?	0.6 ? ?	0.075 ? ?
LGA 1.0 x 0.6mm ? ?	LGA 1.0 x 0.6mm ? ?	LGA 1.0 x 0.6mm ? ?	LGA 1.0x0.6mm ? ?
67 ? ?	170 ? ?	53 ? ?	125 ? ?
10 ? ?	8 ? ?	10 ? ?	12 ? ?
0.9 ? ?	0.85 ? ?	1 ? ?	0.85 ? ?
Yes ? ?	Yes ? ?	Yes ? ?	Yes ? ?

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CSD17382F4 CSD17382F4

描述

特性

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

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