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這款100V，49mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET?功率金屬氧化物半導體場效應應晶體管（MOSFET）旨在以最大限度降低導通損耗并減小以太網供電（PoE）應用中的電路板尺寸。
所有商標均為其各自所有者的財產。
| ? |
|---|
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| ? |
| CSD19538Q3A | CSD19537Q3 | CSD19538Q2 |
|---|---|---|
| 100 ? ? | 100 ? ? | 100 ? ? |
| Single ? ? | ? | Single ? ? |
| 61 ? ? | 14.5 ? ? | 59 ? ? |
| 36 ? ? | 219 ? ? | 34.4 ? ? |
| 4.3 ? ? | 16 ? ? | 4.3 ? ? |
| 0.8 ? ? | 2.9 ? ? | 0.8 ? ? |
| SON3x3 ? ? | SON3x3 ? ? | SON2x2 ? ? |
| 20 ? ? | 20 ? ? | 20 ? ? |
| 3.2 ? ? | 3 ? ? | 3.2 ? ? |
| 13.7 ? ? | 53 ? ? | 13.1 ? ? |
| 15 ? ? | 50 ? ? | 14.4 ? ? |
| No ? ? | No ? ? | No ? ? |
型號：CSD19538Q3A 封裝：VSONP8_3.25X3.1MM
品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=15A P=53W VSONP8_3.25X3.1MM
金額：￥3.49170
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