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CSD23382F4 P-Channel NexFET Power MOSFET, CSD23382F4

數據:

描述

此66mΩ,12V P通道FemtoFET MOSFET被設計且被優化,以最大限度地減少多種手持式和移動類應用中的封裝尺寸。這個技術能夠在將封裝尺寸至少減少60%的同時,替代標準的小信號MOSFET。

特性

  • 低導通電阻
  • 超低Q g 和Q gd < /sub>
  • 超小型封裝尺寸(0402外殼尺寸)
    • 1.0mm×0.6mm
  • 低高度
    • 最大高度0.35mm
  • 集成型靜電放電(ESD)保護二極管
    • 額定值&gt; 2kV人體模型(HBM)
    • 額定值&gt; 2kV充電器件模型(CDM)
  • 無鉛端子鍍層
  • 無鹵素
  • 符合RoHS環保標準

應用范圍

  • 針對負載開關應用進行了優化
  • 針對通用開關應用進行了優化
  • 電池類應用
  • 手持式和移動類應用

參數 與其它產品相比?P 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
VGS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=2.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=1.8V (mOhms)
Id Peak (Max) (A)
Id Max Cont (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
QGS Typ (nC)
VGSTH Typ (V)
Package (mm)
CSD23382F4 CSD23280F3 CSD25480F3 CSD25501F3
-12 ? ? -12 ? ? -20 ? ? -20 ? ?
-8 ? ? -6 ? ? -12 ? ? -20 ? ?
Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
76 ? ? 116 ? ? 159 ? ? 76 ? ?
105 ? ? 165 ? ? 260 ? ? 125 ? ?
199 ? ? 250 ? ? 840 ? ? 260 ? ?
-22 ? ? -11.4 ? ? -10.4 ? ? -13.6 ? ?
-3.5 ? ? -1.8 ? ? -1.7 ? ? -3.6 ? ?
1.04 ? ? 0.95 ? ? 0.7 ? ? 1.02 ? ?
0.15 ? ? 0.068 ? ? 0.1 ? ? 0.09 ? ?
0.5 ? ? 0.3 ? ? 0.26 ? ? 0.45 ? ?
-0.8 ? ? -0.65 ? ? -0.95 ? ? -0.75 ? ?
LGA 0.6x1.0 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ? LGA 0.6x0.7 ? ?

技術文檔

數據手冊(1)
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