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LMG5200 LMG5200 80V GaN 半橋功率級

數據:

描述

LMG5200器件集成了80V,10A驅動器和GaN半橋功率級,采用增強模式氮化鎵(GaN)FET提供了一套集成功率級解決方案。該器件包含兩個80V GaNFET,它們由采用半橋配置的同一高頻GaN FET驅動器提供驅動。

GaN FET在功率轉換方面的優勢顯著,因為其反向恢復電荷幾乎為零,輸入電容C ISS 也非常小。所有器件均安裝在一個完全無鍵合線的封裝平臺上,盡可能減少了封裝寄生元件數.LMG5200器件采用6mm×8mm ×2mm無鉛封裝,可輕松安裝在PCB上。

該器件的輸入與TTL邏輯兼容,無論VCC電壓如何,都能夠承受高達12V的輸入電壓。專有的自舉電壓鉗位置技術確保了增強模式GaN FET的柵極電壓處于安全的工作范圍內。

該器件配有用戶友好型接口并更為出色,進一步提升了分立式GaN FET的優勢。對于具有高頻,高效操作及尺寸要求的應用而言,該器件堪稱理想的解決方案。與TPS53632G控制器搭配使用時,LMG5200能夠直接將48V電壓轉換為負載點電壓(0.5-1.5V)。

特性

  • 集成15mΩGaiFET和驅動器
  • 80V連續電壓,100V脈沖電壓額定值
  • 封裝經過優化,可實現簡單的PCB布局,無需考慮底層填料,爬電和余隙要求
  • 超低共源電感可確保實現高壓擺率開關,同時在硬開關拓撲中不會造成過度振鈴
  • 非常適合隔離式和非隔離式應用
  • 柵極驅動器支持高達10MHz的開關頻率
  • 內部自舉電源電壓鉗位可防止GaN FET過驅
  • 電源軌欠壓鎖定保護
  • 優異的傳播延遲(典型值為29.5ns)和匹配(典型值為2ns)
  • < li>低功耗

所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?GaN FET 模塊

?
Configuration
VDS (Max) (V)
ID (Max) (A)
RDS (on) (Milliohm)
Coss (pF)
VCC (V)
Logic Level
Prop Delay (ns)
Control Method
LMG5200 LMG3410
Half Bridge Power Stage ? ? Single-Channel Power Stage ? ?
80 ? ? 600 ? ?
10 ? ? 12 ? ?
15 ? ? 70 ? ?
266 ? ? 71 ? ?
5 ? ? 12 ? ?
3V to 5V CMOS and TTL ? ? 3V to 5V CMOS and TTL ? ?
29.5 ? ? 20 ? ?
External ? ? External ? ?

技術文檔

數據手冊(1)
元器件購買 LMG5200 相關庫存

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