• 1％THD + N時的功率為20W（4Ω，16V）
• 1％THD + N時的功率為15.4W（4Ω，12.6V）
• 1％THD + N時的功率為9.1W（8Ω，12.6V）
• 1％THD + N時的功率為8.2W（4Ω，8.4V）
• 1％THD + N時的功率為4W（8Ω，8.4V）
< /ul>
• 1W時的THD + N為0.03％（4Ω，VBAT = 12.6V）
• 8.4V Vbat時的A加權空閑通道噪聲為32μVrms
• 20-20kHz下的PSRR為90dB，200mV _PP 紋波
• 1W（4Ω，VBAT = 12.6V）下的效率為82.5％
< LI>＆LT; 1μAHW關斷VBAT電流
• 42mW /63mW空閑損耗（8.4V /12.6V）
• 揚聲器電壓和電流感測
• 使用I /V揚聲器感測進行實時診斷
  • 過流
  • 短路（電源短路，接地短路和終端至終端短路）
  • 過熱
  < /li>
• VBAT跟蹤峰值電壓限制器提供欠壓保護
• 44.1kHz至192kHz采樣速率
• 靈活的用戶界面
  • I ² S /TDM：8通道（32位/96kHz）
  • I ² C：8個可選擇地址
• 無MCLK運行
• 低噗聲和嘀噠聲
• 電源
  • VBAT：4.5V至16V
  • AVDD ：1.8V
• 擴頻頻譜低EMI模式
• 熱保護和過流保護

所有商標均為其各自所有者的財產。