描述

LMG341xR070 GaN功率級集成了驅動器和保護功能，使設計人員能夠在電力電子系統中實現更高水平的功率密度和效率。 LMG341x相對于硅MOSFET的固有優勢包括超低輸入和輸出電容，零反向恢復，可將開關損耗降低多達80％，以及低開關節點振鈴以降低EMI。這些優勢可實現密集且高效的拓撲結構，如圖騰柱PFC。

LMG341xR070通過集成一系列獨特功能簡化設計，最大限度地提高可靠性并優化性能，為傳統共源共柵GaN和獨立GaN FET提供了智能替代方案。任何電源。集成門驅動器可實現100V /ns切換，并且零Vds振鈴，<100 ns電流限制可自我保護，防止意外射擊，過溫關閉可防止熱失控，系統接口信號提供自我監控功能。

特性

• TI GaN工藝通過加速可靠性應用硬切換任務配置文件進行認證
• 實現高密度電源轉換設計< ul>
• 在共源共柵或獨立GaN FET上具有出色的系統性能
• 低電感8mm x 8mm QFN封裝，易于設計和布局
• 可調節驅動強度，實現開關性能和EMIControl
• 數字故障狀態OutputSignal
• 僅+12 V未調節SupplyNeeded

集成門驅動器

• 零公共源電感
• 20 ns MHz操作的傳播延遲
• 可靠性的工藝調諧柵極偏置電壓
• 25至100V /ns用戶可調節斜率

強健保護

• 不需要外部保護組件
• 過度保護<100ns響應
• ＆gt ; 150V /ns漏電率抗擾度
• 瞬態過電壓免疫
• 過溫保護
• 所有SupplyRails上的UVLO保護

Device Options

:

• LMG3410R070

  : LatchedOvercurrent Protection

• LMG3411R070

  :Cycle-by-cycle Overcurrent Protection

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參數 與其它產品相比?GaN FET功率級

? Prop delay (ns) Rating Operating temperature range (C) Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? LMG3411R070 LMG3410R050 LMG3410R070 20 ? ? 20 ? ? 20 ? ? Catalog ? ? Catalog ? ? Catalog ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? -40 to 125 ? ? VQFN | 32 ? ? VQFN | 32 ? ? VQFN | 32 ? ? 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) ? ? 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) ? ? 32VQFN: 64 mm2: 8 x 8 (VQFN | 32) ? ? 無樣片

方框圖

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  LMG3411R070 - 功能方框圖