優勢和特點

• 轉換損耗： 10 dB（典型值）
• 邊帶抑制： 針對1 dB壓縮(P1dB)的典型輸入功率：22 dBc 16 dBm（典型值）
• 輸入三階交調截點(IP3)： 24 dBm（典型值）
• 輸入二階交調截點(IP2)： -5 dBm（典型值）
• RFOUT上6倍本振(LO)泄漏： -23 dBm（典型值）
• RF回損： 12 dB（典型值）
• LO回損： 20 dB（典型值）
• 裸片尺寸： 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

產品詳情

HMC8119是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、同相和正交(I/Q)上變頻器芯片，工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz。 HMC8119在整個頻段內提供10 dB小信號轉換增益和22 dBc邊帶抑制性能。 該器件采用由6倍LO倍頻器驅動的圖像抑制混頻器。 提供差分I和Q混頻器輸入。 輸入可由針對直接變頻應用的差分I和Q基帶波形驅動。 或者，輸入可通過使用針對單邊帶應用的外部90混合型器件和兩個外部180型器件進行驅動。 所有數據包括中頻(IF)端口上1 mil金線焊的效應。

應用

• E頻段通信系統
• 高容量無線回程
• 測試與測量

方框圖