ADR435 超低噪聲XFET基準(zhǔn)電壓源，具有吸電流和源電流能力

數(shù)據(jù)：

優(yōu)勢和特點(diǎn)

低噪聲（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 μV p-p（2.5 V輸出）
無需外部電容
低溫度系數(shù)
- A級：10 ppm/°C（最大值）
- B級：3 ppm/°C（最大值）
負(fù)載調(diào)整率：15 ppm/mA
電壓調(diào)整率：20 ppm/V
寬工作溫度范圍：7.0 V至18 V
欲了解更多特性，請參考數(shù)據(jù)手冊

ADR435-EP支持防務(wù)和航空航天應(yīng)用（AQEC標(biāo)準(zhǔn)）

下載 ADR431-EP/ADR434-EP/ADR435-EP數(shù)據(jù)手冊(pdf)
軍用溫度范圍（?55℃至+125℃）
受控制造基線
唯一封裝/測試廠
唯一制造廠
增強(qiáng)型產(chǎn)品變更通知
認(rèn)證數(shù)據(jù)可應(yīng)要求提供
V62/11602 DSCC圖紙?zhí)?/li>

產(chǎn)品詳情

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET^?系列基準(zhǔn)電壓源，具有低噪聲、高精度和低溫度漂移性能。利用ADI公司的溫度漂移曲率校正技術(shù)和外加離子注入場效應(yīng)管(XFET)技術(shù)，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435電壓隨溫度變化的非線性度降至最小。

與嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源相比，XFET基準(zhǔn)電壓源能以更低的電流(800 μA)和更小的電源電壓裕量(2 V)工作。嵌入式齊納基準(zhǔn)電壓源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基準(zhǔn)電壓源是唯一適合5 V系統(tǒng)的低噪聲解決方案。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源電流輸出最高達(dá)30 mA，最大吸電流能力為-20 mA。它還具有調(diào)整引腳，可以在±0.5%范圍內(nèi)調(diào)整輸出電壓，而性能則不受影響。

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引腳MSOP和8引腳窄體SOIC兩種封裝。所有型號產(chǎn)品的額定溫度范圍均為?40°C至+125°C擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍。