E1抗干擾開發系統包含SGZ21（華瑞高）突發脈沖發生器，
SGZ21能產生連續的類似于Burst或者ESD的干擾脈沖，
脈沖的上升沿時間為2ns，下降沿時間為約10ns。
這些脈沖包含的能量比2/50ns的Burst脈沖【根據EN 61000-4-4】或ESD【根據EN 61000-4-2】脈沖小，
因此能在不損壞被測設備的情況下，把干擾直接耦合到電子模塊內。
由于SGZ21（ｈｏｒｉｇｏｌ）產生的脈沖，上升沿時間短，峰值電壓也比較低，所以這些干擾對被測設備的影響，是和EN 61000-4-4的Burst脈沖的影響類似的。
E1抗干擾開發系統中SGZ21脈沖的幅度是連續變化的。
峰值在0－1500V之間，是按統計平均分布的。
利用這種方法，配合傳感器能對模塊進行特別快速的抗干擾性能評估（脈沖率測試法－見2.5節），
為此，發生器內置了一個帶光纖（2.2mm塑料光纖）輸入的計數器。
同時SGZ21采用電氣隔離（無PE參考）的對稱輸出。
干擾脈沖能被容性耦合，極性可變。這樣，就能采用各種耦合方式，例如：
－把發生器的輸出直接連接到被測物的GND系統上，把干擾電流直接注入到GND系統。 －把干擾電流注入到GND，然后從VCC返回。
－干擾電流可以注入到變壓器、分配器或者光耦的初級，從次級返回（在工作電壓大于42V時，對SGZ21要有相應的保護）
連接到發生器的場源，可以很好的定位被測設備的臨界結構。
E1抗干擾開發系統利用場源，把burst信號轉換為很小區域的磁場或者電場，可以注入到被測設備內部很小的區域內，或者單根電纜上。從而準確定位被測設備內部電磁敏感點的位置。
不同的電路結構，可能會對磁場敏感，也可能會對電場敏感。E1中的場源，有的是產生磁場的，有的是產生電場的，這樣可以確認EUT是對哪種類型的干擾場敏感。場源和SGZ21（華瑞高）的連接方法見圖5。除了場源能產生干擾場之外，連接電纜也會把干擾耦合到EUT并影響測量結果。所以，電纜應該盡可能放置得離EUT遠一些。
