描述

D1023UK是由Semelab plc生產(chǎn)的一款高性能的多功能硅DMOS射頻場效應(yīng)管(RF FET)。這款產(chǎn)品專為60W功率范圍內(nèi)的應(yīng)用設(shè)計，適用于28V以下的電壓，并且能夠處理高達(dá)175MHz的頻率。D1023UK的設(shè)計旨在簡化放大器設(shè)計，提供寬帶應(yīng)用的解決方案，同時具備低交叉電容(Crss)和簡單的偏置電路設(shè)計。

特性

• 簡化的放大器設(shè)計：D1023UK的設(shè)計允許簡化放大器的電路設(shè)計，減少組件數(shù)量和復(fù)雜性。
• 寬帶應(yīng)用：適用于從1MHz到175MHz的HF/VHF通信。
• 低Crss：低交叉電容有助于減少信號失真，提高放大器的性能。
• 簡單的偏置電路：簡化的偏置設(shè)計使得產(chǎn)品更容易集成到現(xiàn)有電路中。
• 低噪聲：低噪聲特性使其非常適合高保真度的通信系統(tǒng)。
• 高增益：至少16dB的最小增益，確保信號的有效放大。
• 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)：產(chǎn)品符合歐盟關(guān)于限制有害物質(zhì)使用的法規(guī)。

應(yīng)用

D1023UK的應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，主要包括：

• HF/VHF通信：在1MHz到175MHz的頻率范圍內(nèi)，適用于各種通信系統(tǒng)。
• 金屬柵射頻硅場效應(yīng)管：采用先進(jìn)的金屬柵技術(shù)，提供更好的性能和可靠性。
• TetraFET技術(shù)：利用TetraFET技術(shù)，提供更高的功率處理能力和更優(yōu)的熱性能。

電氣特性

• 最大漏極電流：15A
• 漏源擊穿電壓：70V
• 柵源擊穿電壓：±20V
• 存儲溫度：-65°C至150°C
• 最大工作結(jié)溫：200°C

機(jī)械數(shù)據(jù)

• 封裝類型：金層化多功能硅DMOS射頻場效應(yīng)管
• 引腳配置：包括源極、漏極和柵極等
• 尺寸：詳細(xì)尺寸數(shù)據(jù)在產(chǎn)品數(shù)據(jù)手冊中有詳細(xì)描述

危險物質(zhì)警告

D1023UK的陶瓷部分含有氧化鈹，氧化鈹粉塵具有高毒性。在處理和安裝時必須小心，避免損壞該區(qū)域。

總結(jié)

D1023UK是一款高性能的射頻場效應(yīng)管，適用于需要高功率、寬帶寬和低噪聲的應(yīng)用。其簡化的設(shè)計和符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)的特性使其成為通信和相關(guān)領(lǐng)域的理想選擇。