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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BST82-VB一款Single-N溝道SOT23-3的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BST82-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23-3
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BST82-VB是一款高電壓?jiǎn)喂躈溝道MOSFET,封裝形式為SOT23-3。該MOSFET設(shè)計(jì)用于處理高電壓應(yīng)用,具有100V的漏極-源極耐壓和±20V的柵極-源極耐壓,門檻電壓為1.5V。其Trench技術(shù)使其在高電壓場(chǎng)合中保持穩(wěn)定性,雖然導(dǎo)通電阻相對(duì)較高,但它在特定應(yīng)用中表現(xiàn)良好。

### 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BST82-VB
- **封裝**: SOT23-3
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 100V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 3000mΩ
 - 10V柵極驅(qū)動(dòng)下: 2800mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 0.26A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BST82-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **高電壓開關(guān)**: 由于其高達(dá)100V的耐壓,適用于高電壓開關(guān)應(yīng)用,如電源開關(guān)和高電壓控制電路。
2. **電源保護(hù)**: 在電源保護(hù)電路中作為高電壓開關(guān),提供電流切換和電壓保護(hù)功能。
3. **信號(hào)開關(guān)**: 在處理高電壓信號(hào)的應(yīng)用中使用,盡管導(dǎo)通電阻較高,但仍適合高電壓信號(hào)切換。
4. **小功率開關(guān)**: 適用于小功率設(shè)備中的開關(guān)控制,尤其是在需要處理高電壓的情況下,如消費(fèi)電子產(chǎn)品中的開關(guān)元件。

該MOSFET的高電壓耐受能力使其在需要處理高電壓和小功率的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

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