價(jià)格貨期電議
磁控共濺鍍是指同時(shí)有兩個(gè)或多個(gè)磁控濺鍍槍, 濺鍍于被鍍物上. 磁控共濺鍍主要用于復(fù)合金屬或復(fù)合材料, 通過(guò)分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍 (靶材) 的功率來(lái)控制薄膜質(zhì)量, 其薄膜厚度取決于濺鍍時(shí)間.

上海伯東代理的磁控共濺鍍腔提供了精準(zhǔn)控制多個(gè)磁控濺鍍的制程條件, 加裝美國(guó) KRi 離子源為客戶提供更好質(zhì)量的復(fù)合式薄膜.單片和多片式的loading chamber, 可節(jié)省其制程腔體的抽氣時(shí)間, 進(jìn)而節(jié)省整體實(shí)驗(yàn)時(shí)間. 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽(yáng)能電池等行業(yè)以及氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

上海伯東磁控共濺鍍?cè)O(shè)備配置和優(yōu)點(diǎn)
客制化基板尺寸, 最大直徑可達(dá) 12寸晶圓
薄膜均勻度小于 ±3％
磁控濺鍍?cè)?(最多8個(gè)源), 具有多種可選的靶材尺寸
具有順序操作或共沉積的多個(gè)濺鍍?cè)?br>射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導(dǎo)電與導(dǎo)電靶材
精準(zhǔn)流量控制器（最多4條氣體管線）
基板可加熱到 1000°C
基材到靶材之間距為可調(diào)節(jié)的
每個(gè)濺鍍?cè)春突寰惭b遮板

濺鍍腔中, 在載臺(tái)部分可獨(dú)立施打偏壓, 對(duì)其基板進(jìn)行清潔與增加材料的附著性等功能. 安裝美國(guó) KRi 離子源: 上海伯東代理美國(guó) KRi 離子源可用于基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速率, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.

磁控濺鍍?cè)O(shè)備基本參數(shù)

腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
寬大的前開(kāi)式門, 并有兩個(gè)窗口和窗口遮版, 用于觀察基材和濺鍍?cè)?br>具有顯示功能的全量程真空計(jì)和用于壓力控制的 Baratron 真空計(jì)
腔體的極限真空度約 10-8 Torr

選件
可以與傳送腔, 機(jī)械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合離子源, 熱蒸發(fā)源, 電子束...等等
基板射頻或直流偏壓
膜厚監(jiān)測(cè)儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監(jiān)控的額外備用端口

應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體類, 納米科技
產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽(yáng)能電池
光學(xué)研究, 材料研究

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