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伯東企業(yè)(上海)有限公司

上海伯東是德國(guó)Pfeiffer 全系列真空產(chǎn)品,美國(guó) KRI 離子源,美國(guó)HVA 真空閥門,美國(guó) inTEST熱流儀代理商

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上海伯東多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備 Multilayer Sputter

型號(hào): Multilayer Sputter

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 產(chǎn)地 中國(guó)臺(tái)灣

--- 產(chǎn)品詳情 ---

因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備 Multilayer sputter
多層膜的結(jié)構(gòu)廣泛用于各個(gè)領(lǐng)域. 在單一材料薄膜無(wú)法滿足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中, 高質(zhì)量多層膜的作用至關(guān)重要. 因此, 新材料的開(kāi)發(fā)和薄膜的精確控制制程已成為當(dāng)前多層薄膜研究的重要方向. 上海伯東代理多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備 Multilayer sputter 擁有基板公自轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu), 搭配美國(guó) KRI 離子源可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的多層膜結(jié)構(gòu)并可以一次批量生產(chǎn), 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽(yáng)能電池, 科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.

上海伯東多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備配置和優(yōu)點(diǎn)
客制化基板尺寸, 最大直徑可達(dá) 12寸晶圓
薄膜均勻度小于 ±3%
磁控濺鍍?cè)矗ㄗ疃?個(gè)源), 靶材尺寸多種可選
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導(dǎo)電, 導(dǎo)電靶材
具有順序操作或共沉積的多個(gè)濺鍍?cè)?br>精準(zhǔn)流量控制器(最多4條氣體管線)
基板可加熱到 600°C
基材到靶材的間距可調(diào)節(jié)
每個(gè)濺鍍?cè)春突寰惭b遮板
 

多層膜磁控濺鍍?cè)O(shè)備


載臺(tái)可公自轉(zhuǎn)或定在靶材位置自轉(zhuǎn)

磁控濺鍍?cè)O(shè)備基本參數(shù)

系統(tǒng)類型Real 超高真空超高真空高真空緊湊型高真空
極限真空5X10-10 Torr5X10-9 Torr3X10-7 Torr5X10-7 Torr
腔室密封全部 CF(烘烤)一些密封圈(烘烤)全部密封圈全部密封圈
電子槍3-4, 2-3 英寸3-4, 2-4 英寸3-4, 2-4 英寸3-4, 2-3 英寸
電源DC / DC pulse / RFDC / DC pulse / RFDC / DC pulse / RFDC / DC pulse / RF
Load-lock標(biāo)準(zhǔn)(HV)標(biāo)準(zhǔn)(HV)標(biāo)準(zhǔn)(HV)/可選標(biāo)準(zhǔn)(HV)/可選
基板4-6 英寸
加熱至 800°C或水冷
4-8 英寸
加熱至 800°C或水冷
4-8 英寸
加熱至 800°C
4-6 英寸
加熱至 800°C
真空泵低溫泵低溫泵 / 分子泵分子泵分子泵
監(jiān)控真空規(guī)和Baratron真空規(guī)和Baratron真空規(guī)和Baratron真空規(guī)和Baratron
工藝控制部分 / 3位 /手動(dòng)閘閥部分 / 3位 /手動(dòng)閘閥部分 / 3位 /手動(dòng)閘閥部分 / 3位 /手動(dòng)閘閥
氣體氬氣, 氮?dú)? 氧氣(load-lock可選)氬氣, 氮?dú)? 氧氣(load-lock可選)氬氣, 氮?dú)? 氧氣氬氣, 氮?dú)? 氧氣
射頻偏壓清潔300W RF(清潔和蝕刻)300W RF(清潔和蝕刻)可選可選
離子源100 KRi 離子源100 KRi 離子源可選可選
薄膜鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等
磁控濺鍍?cè)O(shè)備 Sputter



腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
寬大的前開(kāi)式門, 并有兩個(gè)窗口和窗口遮版用于觀察基材和濺鍍?cè)?br>具有顯示功能的全量程真空計(jì)和用于壓力控制的 Baratron 真空計(jì)
腔體的極限真空度約 10-8 Torr

選件
可以與傳送腔, 機(jī)械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合離子源, 熱蒸發(fā)源, 電子束...
基板可用射頻或直流偏壓
膜厚監(jiān)測(cè)儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監(jiān)控的額外備用端口

應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體類, 納米科技
產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽(yáng)能電池
光學(xué)研究, 材料研究

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