因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準
多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter
多層膜的結構廣泛用于各個領域. 在單一材料薄膜無法滿足所需規(guī)格的精密系統(tǒng)中, 高質量多層膜的作用至關重要. 因此, 新材料的開發(fā)和薄膜的精確控制制程已成為當前多層薄膜研究的重要方向. 上海伯東代理多層膜磁控濺鍍設備 Multilayer sputter 擁有基板公自轉機構, 搭配美國 KRI 離子源可實現(xiàn)精準的多層膜結構并可以一次批量生產, 廣泛應用于半導體, 納米科技, 太陽能電池, 科研等行業(yè), 氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
上海伯東多層膜磁控濺鍍設備配置和優(yōu)點
客制化基板尺寸, 最大直徑可達 12寸晶圓
薄膜均勻度小于 ±3％
磁控濺鍍源（最多6個源）, 靶材尺寸多種可選
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導電, 導電靶材
具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源
精準流量控制器（最多4條氣體管線）
基板可加熱到 600°C
基材到靶材的間距可調節(jié)
每個濺鍍源和基板均安裝遮板
載臺可公自轉或定在靶材位置自轉
磁控濺鍍設備基本參數(shù)
| 系統(tǒng)類型 | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 | 緊湊型高真空 |
| 極限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr | 5X10-7 Torr |
| 腔室密封 | 全部 CF(烘烤) | 一些密封圈(烘烤) | 全部密封圈 | 全部密封圈 |
| 電子槍 | 3-4, 2-3 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-3 英寸 |
| 電源 | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF |
| Load-lock | 標準(HV) | 標準(HV) | 標準(HV)/可選 | 標準(HV)/可選 |
| 基板 | 4-6 英寸 加熱至 800°C或水冷 | 4-8 英寸 加熱至 800°C或水冷 | 4-8 英寸 加熱至 800°C | 4-6 英寸 加熱至 800°C |
| 真空泵 | 低溫泵 | 低溫泵 / 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 |
| 監(jiān)控 | 真空規(guī)和Baratron | 真空規(guī)和Baratron | 真空規(guī)和Baratron | 真空規(guī)和Baratron |
| 工藝控制 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 |
| 氣體 | 氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選) | 氬氣, 氮氣, 氧氣(load-lock可選) | 氬氣, 氮氣, 氧氣 | 氬氣, 氮氣, 氧氣 |
| 射頻偏壓清潔 | 300W RF(清潔和蝕刻) | 300W RF(清潔和蝕刻) | 可選 | 可選 |
| 離子源 | 100 KRi 離子源 | 100 KRi 離子源 | 可選 | 可選 |
| 薄膜 | 鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等 | 鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等 |
腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應用
寬大的前開式門, 并有兩個窗口和窗口遮版用于觀察基材和濺鍍源
具有顯示功能的全量程真空計和用于壓力控制的 Baratron 真空計
腔體的極限真空度約 10-8 Torr
選件
可以與傳送腔, 機械手臂和手套箱整合在一起
結合離子源, 熱蒸發(fā)源, 電子束...
基板可用射頻或直流偏壓
膜厚監(jiān)測儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監(jiān)控的額外備用端口
應用領域
半導體類, 納米科技
產品質量控制和質量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽能電池
光學研究, 材料研究
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