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離子蝕刻機 4 IBE
伯東公司日本原裝進口小型離子蝕刻機, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.
離子蝕刻機 4 IBE 技術規格
| 型號 | 4 IBE |
| 樣品數量尺寸 | 4”φ, 1片 |
| 離子束入射角度 | 0～± 90 |
| 考夫曼離子源 | KDC 40 |
| 極限真空度 Pa | ≦1x10-4 |
| Pfeiffer 分子泵抽速 l/s | 350 |
| 均勻性 | ≤±5% |
伯東離子蝕刻機主要優點
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
離子蝕刻機通不同氣體的蝕刻速率
Hakuto 日本原裝設計制造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!
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