上海伯東日本進口離子蝕刻機 20 IBE-C

型號： 20 IBE-C

--- 產品參數 ---

產地日本

--- 產品詳情 ---

因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準
上海伯東日本原裝進口適合中等規模量產使用的離子刻蝕機, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻

NS 離子蝕刻機 20IBE-C 組成

伯東離子蝕刻機主要優點:
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.

NS 離子蝕刻機通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:

Hakuto 日本原裝設計制造離子刻蝕機 IBE, 提供微米級刻蝕, 滿足所有材料的刻蝕, 即使對磁性材料,黃金 Au, 鉑 Pt, 合金等金屬及復合半導體材料, 這些難刻蝕的材料也能提供蝕刻. 可用于反應離子刻蝕 RIE 不能很好刻蝕的材料. 自 1970年至今, Hakuto 伯東已累計交付約 500套離子蝕刻機. 蝕刻機可配置德國 Pfeiffer 渦輪分子泵和美國 KRI 考夫曼離子源!

若您需要進一步的了解離子蝕刻機詳細信息, 請聯絡上海伯東葉女士分機107

現部分品牌誠招合作代理商, 有意向者歡迎聯絡上海伯東葉女士
上海伯東版權所有, 翻拷必究！

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φ4 inch X 6片	基板尺寸	< φ3 inch X 8片 < φ4 inch X 6片 < φ8 inch X 1片	可選
	樣品臺	樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉
	離子源	20cm 考夫曼離子源
	均勻性	±10% for 8”Ф
	硅片刻蝕率	20 nm/min
	溫度	<100

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伯東企業（上海）有限公司

上海伯東日本進口離子蝕刻機 20 IBE-C

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上海伯東日本進口離子蝕刻機 20 IBE-C

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