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NS 離子蝕刻機(jī) 20 IBE-J
上海伯東日本原裝進(jìn)口適合大規(guī)模量產(chǎn)使用的離子刻蝕機(jī)

Φ4 inch X 12片	基片尺寸	Φ4 inch X 12片 φ5 inch X 10片 φ6 inch X 8片
	樣品臺(tái)	直接冷卻,水冷
	離子源	Φ20cm 考夫曼離子源

伯東 NS 離子蝕刻機(jī)主要優(yōu)點(diǎn):
1. 干式制程的微細(xì)加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導(dǎo)體元件, MR sensor 等領(lǐng)域的開(kāi)發(fā)研究及量產(chǎn)得以廣泛應(yīng)用.
2. 物理蝕刻的特性, 無(wú)論使用什么材料都可以用來(lái)加工, 所以各種領(lǐng)域都可以被廣泛應(yīng)用.
3. 配置使用美國(guó)考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調(diào)整, 蝕刻可以根據(jù)需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環(huán)境下蝕刻.
6. 配置公轉(zhuǎn)自轉(zhuǎn)傳輸機(jī)構(gòu), 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機(jī)臺(tái)設(shè)計(jì)使用自動(dòng)化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產(chǎn)過(guò)程.

NS 離子蝕刻機(jī)通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率：
 

Hakuto NS 日本原裝設(shè)計(jì)制造離子刻蝕機(jī), 提供微米級(jí)刻蝕, 滿(mǎn)足所有材料的刻蝕, 即使對(duì)黃金 AU, 鉑 PT, 合金等金屬及半導(dǎo)體材料也能提供蝕刻. 適用于 MR 薄膜磁頭, 自旋電子學(xué), 應(yīng)力傳感器, 射頻濾波器, 超導(dǎo)體, 復(fù)合半導(dǎo)體材料的刻蝕. NS 蝕刻機(jī)可選配置德國(guó) Pfeiffer 渦輪分子泵和美國(guó) KRI 考夫曼離子源!

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