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KRi 射頻離子源 RFICP 40
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 射頻離子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射頻離子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效離子源. 適用于集成在小型的真空腔體內(nèi). 離子源 RFICP 40 設(shè)計(jì)采用創(chuàng)新的柵極技術(shù)用于研發(fā)和開發(fā)應(yīng)用. 離子源 RFICP 40 無需電離燈絲設(shè)計(jì), 適用于通氣氣體是活性氣體時的工業(yè)應(yīng)用. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 40 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 120 mA.
射頻離子源 RFICP 40 特性:
1. 離子源放電腔 Discharge Chamber, 無需電離燈絲, 通過射頻技術(shù)提供高密度離子, 工藝時間更長.
2. 離子源結(jié)構(gòu)模塊化設(shè)計(jì), 使用更簡單; 基座可調(diào)節(jié), 優(yōu)化蝕刻率和均勻性.
3. 提供聚焦, 發(fā)散, 平行的離子束
4. 離子源自動調(diào)節(jié)技術(shù)保障柵極的使用壽命和可重復(fù)的工藝運(yùn)行
5. 柵極材質(zhì)鉬和石墨,堅(jiān)固耐用
6. 離子源中和器 Neutralizer, 測量和控制電子發(fā)射,確保電荷中性
KRI 射頻離子源 RFICP 40 技術(shù)參數(shù):
KRi 射頻離子源典型應(yīng)用：
預(yù)清洗 PC
表面改性
輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜 ) IBAD
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
KRi 射頻離子源 RFICP 40 客戶案例：
安裝于 e-beam 電子束蒸發(fā)系統(tǒng), 進(jìn)行 IBAD 輔助鍍膜 (玻璃上鍍反射涂層).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國 KRi 考夫曼離子源中國總代理.
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