KRI 考夫曼離子源真空鍍膜離子源

離子源

型號(hào)： KDC 160

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

產(chǎn)地美國(guó)
類(lèi)型考夫曼型號(hào)
品牌 KRi

--- 產(chǎn)品詳情 ---

因產(chǎn)品配置不同, 價(jià)格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實(shí)際成交合同為準(zhǔn)
KRI 考夫曼離子源 KDC 160
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列最大,離子能量最強(qiáng)的柵極離子源, 適用于已知的所有離子源應(yīng)用, 離子源 KDC 160 高輸出設(shè)計(jì),最大電流超過(guò) 1000 mA. 無(wú)需水冷, 降低安裝要求并排除腔體漏水的幾率, 雙陰極設(shè)計(jì),標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 800 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)

* 可選: 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 160 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

若您需要進(jìn)一步的了解考夫曼離子源, 請(qǐng)聯(lián)絡(luò)上海伯東葉女士,分機(jī)107

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產(chǎn)品型號(hào)：HiPace 80 Neo 產(chǎn)地：德國(guó)

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氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340W 鋰電池蓋帽(蓋板)檢漏系統(tǒng)2024-09-13 10:53

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Si3?N4 氮化硅鍍膜系統(tǒng). 在某次維護(hù)之后, 抽真空時(shí)只能達(dá)到 80 mbar 的壓力. 為了在如此高的工作壓力之下依然能夠進(jìn)行檢漏, 推薦選用上海伯東氦質(zhì)譜檢漏儀 ASM 340. ASM 340 檢漏儀特有的定性大漏檢測(cè)模式 ( 在 100 hPa 即可進(jìn)行大漏測(cè)試 ) , 借助此模式即可定位存在的漏點(diǎn).

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50V GaN HMET 芯片采用上海伯東美國(guó) Gel-Pak VR 真空釋放盒進(jìn)行包裝, Gel-Pak 采用了無(wú)殘膠的膜技術(shù), 可以將芯片牢固地固定住, 避免在運(yùn)輸和儲(chǔ)存過(guò)程中因?yàn)榕鲎驳仍斐尚酒膿p害.

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inTEST熱流儀邏輯芯片 FPGA高低溫沖擊測(cè)試2023-08-07 14:21

FPGA 芯片需要按照 JED22-A104 標(biāo)準(zhǔn)做溫度循環(huán) TC 測(cè)試, 讓其經(jīng)受極端高溫和低溫之間的快速轉(zhuǎn)換. 一般在?-55℃~150℃ 進(jìn)行測(cè)試, 傳統(tǒng)的環(huán)境箱因?yàn)樯禍厮俣仁芟? 無(wú)法滿足研發(fā)的快速循環(huán)測(cè)試需求. 上海伯東美國(guó) inTEST 熱流儀 ATS-710E 變溫速率約 10 s, 實(shí)現(xiàn) FPGA 芯片極端高溫和低溫之間的快速轉(zhuǎn)換測(cè)

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上海伯東分子泵應(yīng)用于 LED 芯片退火合金爐2023-08-07 14:14

LED 芯片退火合金爐屬于真空爐的一種, 需要在真空環(huán)境下實(shí)現(xiàn) LED 芯片的退火, 合金, 濕氧氧化, 歐姆電極燒結(jié)等工藝. 腔體真空度一般在 10-3 至 10-6 hPa 之間, 上海伯東德國(guó) Pfeiffer 分子泵憑借大抽速,高穩(wěn)定性廣泛應(yīng)用于退火合金爐設(shè)備.

led 真空泵芯片
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Aston Impact 高靈敏度質(zhì)譜分析儀 CVD 清洗終點(diǎn)優(yōu)化2024-10-18 13:42

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半導(dǎo)體工藝一般會(huì)產(chǎn)生各種工藝氣體和顆粒材料副產(chǎn)品, 有害氣體需要以受控方式進(jìn)行處理. 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜分析儀與 Scrubber 半導(dǎo)體尾氣處理設(shè)備聯(lián)用, 對(duì)處理完的氣體在線監(jiān)測(cè)分析, 并對(duì)分析數(shù)據(jù)進(jìn)行監(jiān)控和記錄, 使其符合環(huán)境法規(guī).

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