WD4000系列半導(dǎo)體晶圓幾何形貌自動檢測機(jī)采用高精度光譜共焦傳感技術(shù)、光干涉雙向掃描技術(shù)，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實(shí)現(xiàn)晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等反應(yīng)表面形貌的參數(shù)。
WD4000自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。
1、使用光譜共焦對射技術(shù)測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI等參數(shù)，同時生成Mapping圖；
2、采用白光干涉測量技術(shù)對Wafer表面進(jìn)行非接觸式掃描同時建立表面3D層析圖像，顯示2D剖面圖和3D立體彩色視圖，高效分析表面形貌、粗糙度及相關(guān)3D參數(shù)；
3、基于白光干涉圖的光譜分析儀，通過數(shù)值七點(diǎn)相移算法計算，達(dá)到亞納米分辨率測量表面的局部高度，實(shí)現(xiàn)膜厚測量功能；
4、紅外傳感器發(fā)出的探測光在Wafer不同表面反射并形成干涉，由此計算出兩表面間的距離（即厚度），可適用于測量BondingWafer的多層厚度。該傳感器可用于測量不同材料的厚度，包括碳化硅、藍(lán)寶石、氮化鎵、硅等。
產(chǎn)品優(yōu)勢
1、非接觸厚度、三維維納形貌一體測量
WD4000系列半導(dǎo)體晶圓幾何形貌自動檢測機(jī)集成厚度測量模組和三維形貌、粗糙度測量模組，使用一臺機(jī)器便可完成厚度、TTV、LTV、BOW、WARP、粗糙度、及三維形貌的測量。
2、高精度厚度測量技術(shù)
（1）采用高分辨率光譜共焦對射技術(shù)對Wafer進(jìn)行高效掃描。
（2）搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤，晶圓規(guī)格最大可支持至12寸。
（3）采用Mapping跟隨技術(shù)，可編程包含多點(diǎn)、線、面的自動測量。
3、高精度三維形貌測量技術(shù)
（1）采用光學(xué)白光干涉技術(shù)、精密Z向掃描模塊和高精度3D重建算法，Z向分辨率高可到0.1nm；
（2）隔振設(shè)計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲，獲得高測量重復(fù)性。
（3）機(jī)器視覺技術(shù)檢測圖像Mark點(diǎn)，虛擬夾具擺正樣品，可對多點(diǎn)形貌進(jìn)行自動化連續(xù)測量。
4、大行程高速龍門結(jié)構(gòu)平臺
（1）大行程龍門結(jié)構(gòu)(400x400x75mm)，移動速度500mm/s。
（2）高精度花崗巖基座和橫梁，整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、可靠。
（3）關(guān)鍵運(yùn)動機(jī)構(gòu)采用高精度直線導(dǎo)軌導(dǎo)引、AC伺服直驅(qū)電機(jī)驅(qū)動，搭配分辨率0.1μm的光柵系統(tǒng)，保證設(shè)備的高精度、高效率。
5、操作簡單、輕松無憂
（1）集成XYZ三個方向位移調(diào)整功能的操縱手柄，可快速完成載物臺平移、Z向聚焦等測量前準(zhǔn)工作。
（2）具備雙重防撞設(shè)計，避免誤操作導(dǎo)致的物鏡與待測物因碰撞而發(fā)生的損壞情況。
（3）具備電動物鏡切換功能，讓觀察變得快速和簡單。
WD4000系列半導(dǎo)體晶圓幾何形貌自動檢測機(jī)可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學(xué)加工、顯示面板、MEMS器件等超精密加工行業(yè)?？蓽y各類包括從光滑到粗糙、低反射率到高反射率的物體表面，從納米到微米級別工件的厚度、粗糙度、平整度、微觀幾何輪廓、曲率等，提供依據(jù)SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT四大國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)共計300余種2D、3D參數(shù)作為評價標(biāo)準(zhǔn)。
應(yīng)用場景
1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過非接觸測量，將晶圓上下面的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV)，有效保護(hù)膜或圖案的晶片的完整性。
2、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細(xì)磨后的硅片表面3D圖像，用表面粗糙度Sa數(shù)值大小及多次測量數(shù)值的穩(wěn)定性來反饋加工質(zhì)量。在生產(chǎn)車間強(qiáng)噪聲環(huán)境中測量的減薄硅片，細(xì)磨硅片粗糙度集中在5nm附近，以25次測量數(shù)據(jù)計算重復(fù)性為0.046987nm，測量穩(wěn)定性良好。
懇請注意：因市場發(fā)展和產(chǎn)品開發(fā)的需要，本產(chǎn)品資料中有關(guān)內(nèi)容可能會根據(jù)實(shí)際情況隨時更新或修改，恕不另行通知，不便之處敬請諒解。
部分技術(shù)規(guī)格
| 品牌 | CHOTEST中圖儀器 |
| 型號 | ED4000 |
厚度和翹曲度測量系統(tǒng) | |
可測材料 | 砷化鎵 ;氮化鎵 ;磷化 鎵;鍺;磷化銦;鈮酸鋰;藍(lán)寶石;硅 ;碳化硅 ;玻璃等 |
測量范圍 | 150μm~2000μm |
掃描方式 | Fullmap面掃、米字、自由多點(diǎn) |
測量參數(shù) | 厚度、TTV(總體厚度變 化)、LTV、BOW、WARP、平面度、線粗糙度 |
三維顯微形貌測量系統(tǒng) | |
測量原理 | 白光干涉 |
干涉物鏡 | 10X(2.5X、5X、20X、50X,可選多個) |
可測樣品反射率 | 0.05%~100 |
粗糙度RMS重復(fù)性 | 0.005nm |
測量參數(shù) | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大類300余種參數(shù) |
膜厚測量系統(tǒng) | |
測量范圍 | 90um(n= 1.5) |
景深 | 1200um |
最小可測厚度 | 0.4um |
紅外干涉測量系統(tǒng) | |
光源 | SLED |
測量范圍 | 37-1850um |
晶圓尺寸 | 4"、6"、8"、12" |
晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
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