型號：SI4410DY-T1-E3-VB
絲印：VBA1311
品牌：VBsemi
參數(shù)：
- 溝道類型：N溝道
- 額定電壓：30V
- 最大持續(xù)電流：12A
- 靜態(tài)導通電阻 (RDS(ON))：12mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 閾值電壓 (Vth)：0.8V 到 2.5V
- 封裝：SOP8

詳細參數(shù)說明：
SI4410DY-T1-E3-VB 是一款 N 溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）器件，具有 30V 的額定電壓和最大持續(xù)電流為 12A。它的 RDS(ON) 在不同電壓下表現(xiàn)出色良好，分別為 12mΩ @ 10V 和 15mΩ @ 4.5V。閾值電壓 (Vth) 的范圍為 0.8V 到 2.5V。

應用簡介：
SI4410DY-T1-E3-VB 通常用于電源管理、電源開關和電源轉換器應用中，特別適用于需要 N 溝道 MOSFET 的電路。SOP8 封裝使其易于集成到各種電子設備和電路中。這種型號的 MOSFET 具有低導通電阻和高電流承受能力，可提供卓越的性能和高效率。它適用于多種領域的模塊，如電源開關、電源轉換器、電池保護電路、電源管理、電源放大器、電動工具和其他低至中功率應用。閾值電壓的范圍使其適用于多種電路設計，可以在不同的電壓條件下提供可靠的性能。