型號: SI2333DS-T1-GE3-VB

絲印: VB2290

品牌: VBsemi

參數:
- 封裝類型: SOT23
- 溝道類型: P-Channel
- 額定電壓: -20V
- 最大電流: -4A
- 開態電阻: RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 閾值電壓: Vth = -0.81V

封裝: SOT23

**詳細參數說明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** SOT23，表明該器件使用SOT23封裝。
2. **溝道類型 (Channel Type):** P-Channel，指示這是一個P溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** -20V，說明器件能夠正常工作的最大負電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** -4A，表示器件能夠承受的最大電流，負號表示電流方向為從漏極到源極。
5. **開態電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V，說明在特定的柵源電壓下，開態時的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = -0.81V，表示在柵源電壓作用下，器件從關態切換到開態所需的最小電壓。

**應用簡介:**
SI2333DS-T1-GE3-VB是一款P-Channel MOSFET，適用于多種應用領域，包括但不限于：
1. **電源管理模塊:** 由于其P溝道性質，可用于電源開關、逆變器等電源管理模塊。
2. **電池保護:** 適用于電池管理系統，用于保護電池免受過放電和過充電的影響。
3. **電荷開關:** 用于控制電荷流動，例如在移動設備充電電路中。
4. **信號開關:** 用于開關信號線，例如在通信系統中。

請注意，在具體設計中應仔細參考該器件的數據手冊以及應用手冊，以確保正確的使用和性能。