型號: SI3460DDV-T1-GE3-VB

絲印: VB7322

品牌: VBsemi

參數:
- 封裝類型: SOT23-6
- 溝道類型: N-Channel
- 額定電壓: 30V
- 最大電流: 6A
- 開態電阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: Vth = 1.2V

封裝: SOT23-6

**詳細參數說明:**
1. **封裝類型 (Package Type):** SOT23-6，表明該器件使用SOT23-6封裝。
2. **溝道類型 (Channel Type):** N-Channel，指示這是一個N溝道MOSFET。
3. **額定電壓 (Rated Voltage):** 30V，說明器件能夠正常工作的最大電壓。
4. **最大電流 (Maximum Current):** 6A，表示器件能夠承受的最大電流。
5. **開態電阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，說明在特定的柵源電壓下，開態時的電阻。
6. **閾值電壓 (Threshold Voltage):** Vth = 1.2V，表示在柵源電壓作用下，器件從關態切換到開態所需的電壓。

**應用簡介:**
SI3460DDV-T1-GE3-VB是一款N-Channel MOSFET，適用于多種應用領域，包括但不限于：
1. **電源開關:** 由于其N溝道性質，可用于電源開關和電源逆變器。
2. **電機驅動:** 適用于直流電機和步進電機的驅動電路，提供高效的電流控制。
3. **電源逆變器:** 用于太陽能逆變器和其他電源逆變器，提供高效的能量轉換。
4. **電源管理模塊:** 適用于各種電源管理應用，如開關電源、電池管理等。

請注意，在具體設計中應仔細參考該器件的數據手冊以及應用手冊，以確保正確的使用和性能。