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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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TPC8126-VB場效應管一款P溝道SOP8封裝的晶體管

型號: TPC8126-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號:TPC8126-VB

絲印:VBA2311

品牌:VBsemi

封裝:SOP8

**詳細參數說明:**
- **溝道類型(Channel Type):** P—Channel
- **最大漏電流(Maximum Drain Current):** -11A
- **最大漏電壓(Maximum Drain-Source Voltage):** -30V
- **導通電阻(On-Resistance):** RDS(ON)=10mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **閾值電壓(Gate Threshold Voltage):** Vth=-1.42V

**應用簡介:**
TPC8126-VB是一款P—Channel溝道場效應晶體管,具有高漏電流、低漏電壓、低導通電阻等優異特性。采用SOP8標準封裝,適用于多種電子應用。

**主要應用領域模塊:**
1. **電源開關模塊:** 由于TPC8126-VB的P—Channel結構,適用于電源開關模塊,實現高效的電源控制和管理。

2. **電流控制模塊:** 由于其高漏電流和低導通電阻,可用于電流控制模塊,確保對負載電流的精準控制。

3. **功率放大器模塊:** 適用于功率放大器模塊,具備足夠的漏電流和導通電阻,可提供可靠的功率放大功能。

4. **電池保護模塊:** 適用于電池保護電路,提供對電池的有效保護。

**使用注意事項:**
- 請按照廠家提供的規格書和應用指南使用,并確保工作條件在組件的規定范圍內。
- 確保電路設計合理,以防過電流、過電壓等情況對器件造成損害。
- 注意適當的散熱設計,特別是在高功率應用中,以確保器件在正常工作溫度范圍內。
- 遵循焊接和封裝的相關標準,確保器件與電路板的可靠連接。

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