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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IRF9310TRPBF&9-VB場效應管一款P溝道SOP8封裝的晶體管

型號: IRF9310TRPBF&9-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 P溝道
  • 封裝 SOP8封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

型號: IRF9310TRPBF&9-VB

絲印: VBA2309

品牌: VBsemi

### 詳細參數說明:

- **封裝類型:** SOP8
- **溝道類型:** P-Channel
- **額定電壓 (VDS):** -30V
- **最大持續電流 (ID):** -11A
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
 - @ VGS = 10V: 11mΩ
 - @ VGS = 20V: 未提供具體數值
- **閾值電壓 (Vth):** -1.5V

### 應用簡介:

IRF9310TRPBF&9-VB是一款SOP8封裝的P-Channel溝道場效應晶體管。由于其P-Channel特性,它適用于一些需要負電源電壓的場景,如功率開關和負載開關。

### 適用領域和模塊:

1. **負載開關模塊:** 由于其負電源電壓和適中的電流能力,IRF9310TRPBF&9-VB可用于設計負載開關模塊,例如用于負載的開關電源。

2. **功率開關:** 在一些需要P-Channel MOSFET的功率開關應用中,如電源開關和逆變器。

3. **電源逆變器:** 適用于需要負電源電壓的電源逆變器模塊,用于將直流電源轉換為交流電源。

### 使用注意事項:

1. **電壓等級:** 在使用過程中,確保不要超過額定電壓-30V。

2. **電流限制:** 不要超過規定的最大持續電流,即-11A。

3. **閾值電壓:** 注意閾值電壓為-1.5V,在設計電路時需考慮適當的電壓范圍。

4. **散熱:** 對于高負載應用,需要提供足夠的散熱,以確保晶體管在安全溫度范圍內運行。

5. **靜電防護:** 在操作過程中,采取適當的靜電防護措施,以防止損壞晶體管。

請注意,這只是一個基本的概述,具體的設計和應用需要根據具體的項目需求和制造商的推薦進行。在使用該器件之前,請務必查閱相關的數據表和技術文檔以獲取詳細的信息和指導。

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