型號: IPD048N06L3G-VB

絲印: VBE1606

品牌: VBsemi

### 詳細參數說明：

- **封裝類型:** TO252
- **溝道類型:** N-Channel
- **額定電壓 (VDS):** 60V
- **最大持續電流 (ID):** 110A
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
 - @ VGS = 10V: 4.5mΩ
 - @ VGS = 20V: 未提供具體數值
- **閾值電壓 (Vth):** 2.8V

### 應用簡介：

IPD048N06L3G-VB是一款TO252封裝的N-Channel溝道場效應晶體管。由于其高額定電壓和電流能力，適用于高功率的電源和開關應用。

### 適用領域和模塊：

1. **電源模塊：** 由于其高電流和低導通電阻，IPD048N06L3G-VB可用于設計高功率的電源模塊，如服務器電源和工控電源。

2. **電機驅動：** 在需要高電流的電機驅動應用中，如工業電機控制系統。

3. **電動汽車電源系統：** 由于其高電壓和電流能力，可用于電動汽車的電源系統，如電動汽車電池管理系統（BMS）。

### 使用注意事項：

1. **電壓等級：** 在使用過程中，確保不要超過額定電壓60V。

2. **電流限制：** 不要超過規定的最大持續電流，即110A。

3. **閾值電壓：** 注意閾值電壓為2.8V，在設計電路時需考慮適當的電壓范圍。

4. **散熱：** 對于高功率應用，提供足夠的散熱以確保晶體管正常工作溫度。

5. **靜電防護：** 在操作過程中，采取適當的靜電防護措施，以防止損壞晶體管。

請注意，這只是一個基本的概述，具體的設計和應用需要根據具體的項目需求和制造商的推薦進行。在使用該器件之前，請務必查閱相關的數據表和技術文檔以獲取詳細的信息和指導。