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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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RFD12N06RLESM-VB一款N溝道TO252封裝MOSFET應用分析

型號: RFD12N06RLESM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 溝道 N溝道
  • 封裝 TO252封裝

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

產品型號: RFD12N06RLESM-VB

絲印: VBE1638

品牌: VBsemi

**詳細參數說明:**
- 封裝類型: TO252
- 溝道類型: N-Channel
- 額定電壓: 60V
- 最大電流: 45A
- RDS(ON) (導通電阻): 24mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓: 1.8V

**應用簡介:**
RFD12N06RLESM-VB是一款TO252封裝的N-Channel溝道MOSFET。它在電子領域中廣泛應用,適用于需要高性能開關電源的應用。

**主要應用領域模塊:**
1. **電源模塊:** 在電源模塊中,RFD12N06RLESM-VB可用作電源開關,實現高效的電能轉換。

2. **電機驅動模塊:** 該器件可應用于電機驅動模塊,實現電機控制,提高電機的效率。

3. **電源逆變器模塊:** 在電源逆變器模塊中,可用于實現電能從直流到交流的轉換。

**作用:**
- 實現電能轉換
- 提供可靠的電源管理
- 控制電流

**使用注意事項:**
1. 請確保在規定的電壓范圍內操作,不要超過60V。
2. 在使用過程中避免過載,以防損壞器件。
3. 遵循廠家提供的電氣特性和封裝規格。
4. 正確連接極性,確保與電路要求一致。
5. 在高電流和高溫環境中,需采取散熱措施,以確保器件正常工作。

以上僅為產品的簡要說明,具體的使用和應用需參考廠家提供的數據手冊和規格書。

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