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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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AM2313P-T1-PF-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: AM2313P-T1-PF-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**AM2313P-T1-PF-VB 詳細參數(shù)說明和應(yīng)用簡介**

 

**產(chǎn)品規(guī)格:**
- 絲?。篤B264K
- 品牌:VBsemi
- 封裝:SOT23
- 溝道類型:P—Channel
- 最大漏電流:-0.5A
- 最大漏電壓:-60V
- 靜態(tài)漏極-源極電阻 (RDS(ON)):3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 閾值電壓 (Vth):-1.87V

**產(chǎn)品應(yīng)用簡介:**

AM2313P-T1-PF-VB是一款P—Channel場效應(yīng)晶體管,采用SOT23封裝,適用于各種電路設(shè)計,尤其在需要P—Channel溝道的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

**主要特點和優(yōu)勢:**
1. **P—Channel溝道:** 適用于需要P—Channel溝道的電路設(shè)計,提供靈活的電源極性選擇。
2. **低漏電流:** 最大漏電流為-0.5A,適用于對功耗要求較低的場景。
3. **寬工作電壓范圍:** 最大漏電壓為-60V,適用于各種電源電壓要求的應(yīng)用。
4. **低靜態(tài)漏極-源極電阻:** 具有3000mΩ的低RDS(ON),有助于減小導(dǎo)通時的功耗。

**應(yīng)用領(lǐng)域舉例:**

1. **電源管理模塊:** 由于P—Channel特性,可用于電源開關(guān)和電源管理模塊,幫助實現(xiàn)高效的電源控制。

2. **信號開關(guān):** 適用于信號開關(guān)電路,通過控制溝道的導(dǎo)通和截斷,實現(xiàn)信號的有效切換。

3. **電流控制模塊:** 在需要對電流進行精確控制的電路中,AM2313P-T1-PF-VB可作為電流控制的關(guān)鍵部件。

4. **低功耗設(shè)備:** 由于低漏電流和低靜態(tài)漏極-源極電阻的特性,適用于對功耗要求較高的低功耗設(shè)備,如便攜式電子產(chǎn)品。

通過上述特點和應(yīng)用領(lǐng)域的舉例,AM2313P-T1-PF-VB可以廣泛應(yīng)用于電源管理、信號開關(guān)、電流控制等模塊,為各種電子設(shè)備提供可靠的性能支持。

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