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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專(zhuān)注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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NCE2301B-VB一款P—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): NCE2301B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 P—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

VBsemi NCE2301B-VB,絲印:VB2290,是一款SOT23封裝的P溝道MOSFET。參數(shù)包括-20V、-4A、RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V、VGS=12V、Vth=-0.81V。

**應(yīng)用:**
- **詳細(xì)參數(shù):**
 - 電壓:-20V
 - 電流:-4A
 - RDS(ON):在VGS=4.5V、VGS=12V時(shí)為57mΩ
 - 閾值電壓(Vth):-0.81V

- **適用于:**
 - SOT23模塊
 - P溝道應(yīng)用
 - 負(fù)電壓、中低電流電路

- **示例應(yīng)用:**
 - 電源反極性保護(hù)電路
 - 模擬開(kāi)關(guān)電路
 - 負(fù)電壓穩(wěn)壓電路

- **使用領(lǐng)域:**
 - 電子設(shè)備的反極性保護(hù)
 - 低功耗應(yīng)用
 - 負(fù)電源系統(tǒng)

該P(yáng)溝道MOSFET適用于需要在SOT23封裝中實(shí)現(xiàn)負(fù)電壓、中低電流電路中的高效能特性。

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