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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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NCE2302D-VB一款N—Channel溝道SOT23的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: NCE2302D-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SOT23封裝
  • 溝道 N—Channel

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

NCE2302D-VB 是VBsemi 品牌的SOT23封裝的N-Channel溝道場效應(yīng)晶體管。參數(shù)包括:20V耐壓,6A電流,RDS(ON)為24mΩ(在VGS=4.5V、VGS=8V時(shí)),閾值電壓Vth在0.45~1V之間。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- 耐壓:20V
- 電流:6A
- RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 閾值電壓:0.45~1V

**應(yīng)用簡介:**
適用于SOT23封裝的應(yīng)用場景,其中需要N-Channel溝道MOSFET。常見領(lǐng)域包括電源管理、功率放大、開關(guān)電源等。

**應(yīng)用領(lǐng)域:**
1. **電源管理模塊:** 用于穩(wěn)定和管理電源輸出。
2. **功率放大模塊:** 在放大電路中提供高效能的功率放大。
3. **開關(guān)電源:** 用于開關(guān)電源中的開關(guān)控制。

這些晶體管可廣泛應(yīng)用于需要可靠的開關(guān)和調(diào)節(jié)功能的電子設(shè)備中。

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