有人已經(jīng)考慮將暗視野檢測用于檢測薄晶圓缺陷。基于光學(xué)技術(shù)，暗視野是指進行較低角度反射光測量。 暗視野對于晶圓前端檢測是有效的，但是由于研磨造成晶圓背面粗糙，對于背面檢測它是無效的。因此，晶圓背面研磨后應(yīng)避免暗視野檢測。

隨著汽車電子市場持續(xù)增長，受半自動和全自動汽車研發(fā)的推動，具先進轉(zhuǎn)換方案的功率半導(dǎo)體元件需求持續(xù)增長，可降低功耗并有助于散熱。為了滿足以上需求，功率半導(dǎo)體制造商正將目標轉(zhuǎn)向生產(chǎn)薄晶圓。

現(xiàn)今的功率半導(dǎo)體主要在厚度為50 至 100 μm 的 200 mm 晶圓上生產(chǎn)，但其目標藍圖直指薄至 1μm 的晶圓。這種晶圓通過在其背面進行機械拋光使其變薄。拋光過程中會導(dǎo)致一些缺陷，包括研磨痕跡，磨削失敗產(chǎn)生的邊緣碎片、星形裂紋和碎屑，以及一些其他瑕疵。其中邊緣碎片、星形裂紋和碎屑是由邊緣夾在砂輪中顆粒、嵌入顆粒和裂縫形成的。

由于以上缺陷通常出現(xiàn)在晶圓背面而不是活性側(cè)，因此它們對于較厚晶圓而言并不是問題。但隨著晶圓變得越來越薄，這些缺陷正在影響芯片的可靠性。雖然薄晶圓背面的缺陷最初不會妨礙芯片功能，但它們確實會影響設(shè)備的整體可靠性。事實上，功率半導(dǎo)體可以很容易地加工成最終封裝，而缺陷不會被檢測到。然而，當如汽車處于高溫條件時，有可能形成裂紋并導(dǎo)致芯片故障。?

薄晶圓檢測對于晶圓分選工藝至關(guān)重要，也有助于工程師改進減薄工藝，但是許多現(xiàn)有缺陷檢測技術(shù)存在局限和不足。

目前大部分缺陷檢測依靠人工進行，通過強光下肉眼檢查實現(xiàn)，但并沒有進行放大檢測。由于該工藝通常由不同操作人員執(zhí)行而不可重復(fù)，將導(dǎo)致缺少準確分類的最少缺陷信息。

使用可放大照相機進行自動光學(xué)檢測的方式也已經(jīng)進行過嘗試，但是沒有成功，原因是該方式雖然提供自動化和可重復(fù)的工藝過程，但是不能檢查晶圓形貌以區(qū)分磨痕和深裂紋。

有人已經(jīng)考慮將暗視野檢測用于檢測薄晶圓缺陷?；诠鈱W(xué)技術(shù)，暗視野是指進行較低角度反射光測量。 暗視野對于晶圓前端檢測是有效的，但是由于研磨造成晶圓背面粗糙，對于背面檢測它是無效的。因此，晶圓背面研磨后應(yīng)避免暗視野檢測。

最佳薄晶圓檢測需要對納米圖形敏感的技術(shù)，可同時檢測和測量納米比例表面變化。干涉測量法是使用光、無線電或聲波1干擾現(xiàn)象的測量方法，可以實現(xiàn)以上目的，但是基于干涉測量的許多工具速度緩慢、價格昂貴，且吞吐量較低。此外，干涉測量對于某些表面檢測應(yīng)用來說是很好的選擇，但它不適用于在大批量制造環(huán)境中檢查和分選薄晶圓。

然而，有一種稱為相移偏轉(zhuǎn)測量 (PSD) 的技術(shù)，可以通過表面成像并在工具顯示器上產(chǎn)生的圖案來測量晶圓表面形貌。表面形貌變化會改變圖案形狀，來指征缺陷的存在。通過生成形貌圖圖像，可進行間距分析以對缺陷進行精確分類，并提供其尺寸和深度。最近才應(yīng)用于 Silicon on Insulator (SOI) 與 Epitaxial (EPI) 晶圓檢測和滑移線檢測的PSD 正越來越受晶圓薄化檢測的歡迎。

由于 PSD 技術(shù)既具有成本效益又可快速進行大批量制造，生產(chǎn)超薄晶圓的公司開始采用該技術(shù)。此外，一些公司正在開始整合自動分類軟件，提供準確和詳細的缺陷信息。這種方法具有目前大多數(shù)制造商主要使用目視檢查所不具備的優(yōu)點，預(yù)計將成為薄晶圓檢測的首選方法——特別是在諸如汽車等關(guān)鍵系統(tǒng)的功率半導(dǎo)體應(yīng)用中。UnitySC 正通過 4See 系列和偏轉(zhuǎn)器模塊開創(chuàng)這一方法。